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异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展被引量：1: 2023年; 相较于传统的硅材料,宽禁带半导体材料更适合制作高压、高频、高功率的半导体器件,被认为是后摩尔时代材料创新的关键角色。单晶金刚石拥有大禁带宽度、高热导率、高迁移率等优异特性,更是下一代大功率、高频电子器件的理想半导体材料。然而由于可获得单晶金刚石的尺寸较小,且价格昂贵,极大地阻碍了金刚石的发展。历经长时间的探索,异质外延生长技术成为了获得高质量、大面积单晶金刚石的有效手段。本综述从金刚石异质外延的衬底选择、生长机理以及质量改善等方面对近些年来异质外延单晶金刚石的发展进行详细介绍。进一步地,对基于异质外延单晶金刚石的场效应晶体管和二极管的研究进行了总结,说明了异质外延单晶金刚石在电子器件领域的巨大潜力。最后总结了异质外延单晶金刚石仍需面对的挑战,展望了其在未来的应用与发展前景。; 陈根强赵浠翔于众成李政李政魏强魏强; 关键词：单晶金刚石异质外延生长宽禁带半导体半导体器件场效应晶体管

高质量硼掺杂单晶金刚石同质外延及电学性质研究被引量：1: 2022年; 突破高质量、高效金刚石掺杂技术是实现高性能金刚石功率电子器件的前提。本文利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,以三甲基硼为掺杂源,制备出表面粗糙度0.35 nm,XRD(004)摇摆曲线半峰全宽28.4 arcsec,拉曼光谱半峰全宽3.05 cm^(-1)的高质量硼掺杂单晶金刚石。通过改变气体组分中硼元素的含量,实现了10^(16)~10^(20) cm^(-3)的p型金刚石可控掺杂工艺。随后,研究了硼碳比、生长温度、甲烷浓度等工艺条件对p型金刚石电学特性的影响,结果表明:在硼碳比20×10^(-6)、生长温度1100℃、甲烷浓度8%、腔压160 mbar(1 mbar=100 Pa)时p型金刚石迁移率达到207 cm^(2)/(V·s)。通过加氧生长可以提升硼掺杂金刚石结晶质量,降低杂质散射。当氧气浓度为0.8%时,样品空穴迁移率提升至614 cm^(2)/(V·s)。; 王若铮闫秀良彭博彭博魏强魏强; 关键词：单晶金刚石 P型掺杂硼掺杂 MPCVD 空穴迁移率

金刚石薄膜二次电子发射性能的研究: D法所制备的金刚石薄膜自然地具有氢终端和负电子亲和势,非常有利于二次电子的发射.本文探讨了CVD法制备金刚石过程中,衬底温度对金刚石薄膜质量及形貌的影响,同时研究了所制备金刚石薄膜的二次电子发射特性.实验结果表明,金刚石...; 魏孔庭魏强吴胜利; 关键词：金刚石薄膜化学气相沉积表面形貌

金刚石薄膜二次电子发射性能的研究: CVD法所制备的金刚石薄膜自然地具有氢终端和负电子亲和势,非常有利于二次电子的发射。本文探讨了CVD法制备金刚石过程中,衬底温度对金刚石薄膜质量及形貌的影响,同时研究了所制备金刚石薄膜的二次电子发射特性。实验结果表明,金...; 魏孔庭魏强吴胜利; 文献传递

反应磁控溅射法制备MgO薄膜: 利用反应磁控溅射的方法在Si衬底生长MgO晶粒,通过改变溅射过程中的温度以及溅射室内Ar与O2气体流量,来调整MgO薄膜的晶粒生长。随着Ar/O2中O2分量的提升,结晶取向择优(220)方向。而MgO晶粒的形成与溅射生长...; 魏强李亨胡文波吴胜利; 关键词：反应磁控溅射; 文献传递

MgO/Au复合薄膜的反应射频磁控溅射法制备及表面形貌研究被引量：2: 2014年; 采用反应射频磁控溅射法制备MgO/Au复合薄膜,并对使用Mg靶和Au靶共溅射、分步溅射方式以及在不同的衬底温度和Ar/O2气体流量比下制备的样品进行X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电子显微镜分析,研究了主要工艺参数对复合薄膜表面成分和形貌的影响。结果表明,采用共溅射方式制备的复合薄膜中Au元素的含量偏高,薄膜表面有团聚生长的Au晶粒,而采用分步溅射法可以使复合薄膜中Au元素的摩尔百分比下降到7.30%。采用分步溅射制备复合薄膜时,较高的衬底温度有助于MgO晶粒的生长,当衬底温度为500℃,通入Ar气和O2气的流量分别为25和5 mL/min时,MgO晶粒尺寸达到了30-40 nm;MgO薄膜主要呈现出了（111）、（200）和（220）三种结晶取向,较高的Ar/O2气体流量比有利于（200）晶向的形成,而较低的Ar/O2气体流量比有利于（220）晶向的形成。; 李亨胡文波吴胜利魏强; 关键词：表面形貌

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魏强