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张亚飞

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京四方继保自动化股份有限公司更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电池
  • 1篇电流
  • 1篇短路
  • 1篇短路电流
  • 1篇致密
  • 1篇致密性
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇透过率
  • 1篇锌源
  • 1篇硫脲
  • 1篇络合剂
  • 1篇缓冲层
  • 1篇缓冲剂
  • 1篇薄膜太阳能电...
  • 1篇ZNS薄膜
  • 1篇CDS薄膜
  • 1篇CD

机构

  • 2篇北京四方继保...

作者

  • 2篇余新平
  • 2篇张宁
  • 2篇张亚飞
  • 1篇曹惠
  • 1篇曹慧

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
水浴温度对CdS薄膜性能的影响
2015年
采用化学水浴法,以不同水浴温度在玻璃衬底上沉积CdS薄膜并制备CIGS薄膜太阳能电池,研究了水浴温度对CdS薄膜和CIGS太阳能电池性能的影响。结果表明:水浴温度对CdS薄膜的致密性、沉积速率、透过率和成分比率都有影响。在65-80℃之间制备的CdS薄膜均匀致密且透过率高,可作为CIGS太阳能电池的缓冲层;另外,CdS缓冲层的厚度对CIGS电池的性能影响显著,较薄的CdS缓冲层能够增加CIGS电池在400-500nm波段对光线的吸收,提高CIGS电池的短路电流。
张亚飞张宁余新平曹慧
关键词：CD致密性透过率短路电流
一种采用化学浴反应制备ZnS薄膜的方法
本发明是一种采用化学浴反应制备的ZnS薄膜的方法。本方法采用硫酸锌和硫脲分别作为锌源和硫源，以氯化铵为缓冲剂，氨水和联氨为联合络合剂，在50℃～90℃水浴反应5min～30min即可制得ZnS薄膜，薄膜均匀致密，无针孔，...
张宁张亚飞余新平曹惠
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