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文献类型

  • 37篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 16篇显示装置
  • 12篇有源
  • 9篇晶体管
  • 9篇薄膜晶体
  • 9篇薄膜晶体管
  • 8篇液晶
  • 8篇TFT
  • 7篇液晶显示
  • 7篇基板
  • 6篇树脂
  • 6篇显示器
  • 6篇漏极
  • 6篇刻蚀
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇显示技术
  • 5篇漏电
  • 5篇面板
  • 5篇绝缘层
  • 5篇功耗

机构

  • 41篇北京京东方光...
  • 14篇京东方科技集...

作者

  • 41篇姜晓辉
  • 15篇张家祥
  • 14篇郭建
  • 13篇阎长江
  • 10篇谢振宇
  • 8篇李田生
  • 7篇陈旭
  • 6篇徐少颖
  • 4篇曲连杰
  • 3篇田宗民
  • 3篇张家祥
  • 3篇王亮
  • 3篇闵泰烨
  • 2篇崔玉琳
  • 1篇郭建
  • 1篇张金中
  • 1篇侯学成
  • 1篇卢凯

传媒

  • 2篇液晶与显示
  • 2篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 17篇2014
  • 9篇2013
  • 5篇2012
41 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种空间成像套刻检验方法及阵列基板
本发明公开了一种空间成像套刻检验方法及阵列基板,该方法包括:光刻形成一层具有空间成像套刻标记的薄膜;在所述薄膜为透明薄膜时,对所述透明薄膜上的空间成像套刻标记作显色处理,使所述空间成像套刻标记显示出非透明色;利用所述非透...
姜晓辉郭建
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一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,属于显示装置制备技术领域,其可解决现有的阵列基板功耗大的问题。本发明的阵列基板,包括栅极、有源层,以及将栅极与有源层隔开的栅极绝缘层,所述栅极绝缘层包括有机树脂材料层和保护层...
姜晓辉
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一种阵列基板及其制作方法和显示装置
本发明提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置,涉及液晶显示面板制造技术领域,解决了现有高清显示装置会出现漏极与公共电极层连通,使得公共电极层和像素电极层连通,子像素功能无法正常显示,形成暗点的问题,保证了产品品质,减少了...
姜晓辉阎长江张家祥
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一种基板上残留物的检测装置
本实用新型公开了一种基板上残留物的检测装置,包括检测信号发射源、检测信号接收器和控制器;其中,所述检测信号发射源,用于向基板发射波信号;所述检测信号接收器,用于接收基板所反馈的波信号,并将收到的波信号用于检测残留物的有用...
阎长江姜晓辉
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电润湿显示面板及其制作方法、显示装置
本发明提供了一种电润湿显示面板及其制作方法、显示装置,属于显示领域。其中,该电润湿显示面板,包括第一衬底基板、与所述第一衬底基板相对设置的第二衬底基板、设置在所述第一衬底基板上的多个像素单元,所述第一衬底基板上设置有与所...
姜晓辉阎长江
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触控基板及其制作方法、显示器件
本发明涉及触控技术领域,公开了一种触控基板及其制作方法、显示器件。所示触控基板包括多条触控电极,每条触控电极由至少两个并联的子电极组成,能够减小触控电极的电阻,降低RC延迟,提高触摸检测灵敏度。
姜晓辉曲连杰王德帅张家祥张磊
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一种TFT阵列基板及显示装置的制备方法
本发明的实施例提供一种TFT阵列基板及显示装置的制备方法,涉及显示技术领域,可以避免在沟道区产生ITO残留。所述TFT阵列基板的制备方法,包括:在基板上形成半导体层,并在所述半导体层上形成至少与所述半导体层的沟道区对应的...
姜晓辉张家祥
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一种刻蚀终点检测装置
本实用新型公开了一种刻蚀终点检测装置,包括:机械臂、两个导电器件、电源、电流检测器、控制电路,其中,机械臂与两个导电器件分别固定连接,在控制电路的控制下,可带动两个导电器件沿垂直于基板表面的方向上下移动;两个导电器件分离...
张家祥姜晓辉郭建
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一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
本发明涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示装置。该阵列基板,包括:基板;设置在所述基板上的多晶硅有源层;设置在所述有源层上的第一绝缘层;设置在所述第一绝缘层上的多个栅极和栅线;设置在所述栅极上的第二绝缘...
张家祥姜晓辉阎长江
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TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究被引量:5
2014年
对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率。无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44%;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同。
张家祥卢凯郭建姜晓辉崔玉琳王亮阎长江曲连杰陈旭闵泰烨苏顺康
关键词:透过率
共5页<12345>
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