彭小松
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西华大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：教育部“春晖计划”国家自然科学基金西华大学研究生创新基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- Bi掺杂SrTiO_3陶瓷缺陷结构模拟及介电性能研究
- 2017年
- 采用固相反应制备Sr_(1-x)Bi_xTiO_3陶瓷,研究Bi掺杂对SrTiO_3的介电性能、缺陷结构及缺陷偶极子的影响。通过X线衍射(XRD)分析其物相结构,表明在掺杂浓度范围内均未出现第二相。通过GULP模拟,得到Sr_(1-x)Bi_xTiO_3中可稳定存在的缺陷偶极子有[2Bi_(Sr)~·+V_(Sr)″]、[V_O^(··)+V_(Sr)″]、[2V_O^(··)+V_(Ti)″″]和[V_O^(··)+2 Ti_(Ti)']。各组掺杂陶瓷样品的弛豫特性均满足Arrhenius定律,这是弛豫受热激发所致,随着Bi掺杂量的增加弛豫激活能增加,弛豫度减小。
- 肖鹏丁士华胡龙虎彭小松张瑶刘杨琼
- 关键词：介电性能
- 采用Sol-Gel法制备Al^(3+)改性钛酸钡陶瓷
- 2016年
- 采用溶胶凝胶法制备Ba Ti1-xAlxO3(x=0.02,0.04,0.06,0.08)陶瓷样品,借助XRD、SEM和Agilent4284A分别对样品的晶相、显微结构和介电性能进行研究。结果表明:Al3+加入后,主晶相没有变,仍为BaTi O3,但第2相Ba Al2O4出现;随着Al3+的掺杂含量增加,样品的平均晶粒尺寸减小,密度从5.46 g/cm3增加到了5.81 g/cm3,且当x≥0.06时,样品的密度趋于稳定;当测试频率为1 MHz时,随着Al3+掺杂含量的增加,介电常数从4 766减小到1 834,介电常数温度系数从0.001 32/℃增加到0.001 8/℃,介电峰出现展宽现象。同时,采用GULP模拟软件对体系的缺陷能进行计算,缺陷偶极子[2AlTi'+V··O]的稳定性为-1.915 e V。
- 蒋旭峰丁士华宋天秀刘旭彭小松余丽华
- 关键词：SOL-GEL介电性能
- Sc^(3+)和Ru^(4+)联合取代BZN基陶瓷结构与介电性能的研究
- 2014年
- 采用传统的固相反应法制备致密的Bi1.4Sc0.1ZnNb1.5-xRuxO7陶瓷样品,研究Sc3+,Ru4+共同替代对Bi2O3-Zn O-Nb2O5陶瓷的相结构、晶体化学特性和介电性能的影响。结果表明:当掺杂量x≤0.055 mol时,样品保持单一的立方焦绿石结构。当掺杂量x=0.055 mol时,X射线衍射峰强度变弱,峰形变宽。随着掺杂量的增加(0≤x≤0.04 mol),陶瓷样品的晶格常数a和A位离子与第7个氧O′平均键长R(A-O')逐渐减小,结晶化学参数键价和AV(O')[A4]增大,AV(O)[A2B2]减小,48f(O)偏移量ξ增加。室温下样品的介电常数随着掺杂量的增加而减小,介电损耗逐渐增加,介电松弛特征减弱。低温下样品呈现明显的弛豫现象,峰值温度Tm随着掺杂量的增加向高温方向移动。利用修正的Curie-Weiss(C-W)公式对样品εr-T曲线进行最小二乘法拟合,得出样品的弛豫度γ由R0样品的1.57减小到R40样品的1.33。
- 张倩丁士华宋天秀彭小松刘旭蒋旭峰
- 关键词：介电弛豫
- Ta_2O_5掺杂Bi_2O_3–ZnO–Nb_2O_5陶瓷的晶体结构、结晶化学及介电性能被引量：3
- 2015年
- 采用固相反应法制备Bi1.5ZnNb1.5–xTaxO7陶瓷,研究了不同掺杂量Ta2O5对Bi2O3–ZnO–Nb2O5陶瓷相结构、晶体化学特性和介电性能的影响。结果表明:当x≤0.1时,样品均保持单一的立方焦绿石结构(α–BZN)。通过对样品结晶化学计算发现,随着Ta2O5掺杂量的增加,晶格常数a逐渐减小,结晶化学参数键价和AV(O')[A4]增大,AV(O)[A2B2]减小,48f(O)坐标ξ增加。在组成样品晶体结构的多面体中,由6个48f(O)组成的八面体结构(BO6)逐渐变得扭曲,而6个48f(O)和2个8b(O')组成的六面体结构逐渐变得规则,向正立方体结构变化。室温下样品的介电常数和损耗随Ta2O5掺杂量的增加而减小,弛豫度逐渐减小。
- 彭小松丁士华宋天秀张倩蒋旭峰刘旭
- 关键词：介电性能
