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肖红玺

作品数:28 被引量:9H指数:2
供职机构:北京京东方光电科技有限公司更多>>
相关领域:电子电信化学工程自动化与计算机技术机械工程更多>>

文献类型

  • 24篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 9篇刻蚀
  • 9篇基板
  • 6篇TFT-LC...
  • 5篇绝缘层
  • 4篇导电薄膜
  • 4篇真空
  • 4篇透明导电
  • 4篇透明导电薄膜
  • 4篇金属薄膜
  • 4篇刻蚀设备
  • 4篇构图
  • 3篇液晶
  • 3篇液晶显示
  • 3篇陶瓷层
  • 3篇零部件
  • 3篇漏电
  • 3篇漏电流
  • 3篇金属基板
  • 3篇绝缘
  • 3篇干法刻蚀

机构

  • 28篇北京京东方光...
  • 5篇京东方科技集...

作者

  • 28篇肖红玺
  • 5篇吴平
  • 4篇李伟
  • 3篇徐斌
  • 3篇陈皓
  • 3篇王志强
  • 2篇刘还平
  • 2篇赵海生
  • 2篇刘祖宏
  • 2篇吕俊君
  • 2篇陈正伟
  • 2篇侯智
  • 2篇郑云友
  • 1篇田露
  • 1篇郝金刚
  • 1篇黄东升
  • 1篇王威
  • 1篇李楠
  • 1篇张学智
  • 1篇林雨

传媒

  • 3篇液晶与显示
  • 1篇2014中国...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
TFT-LCD阵列基板及其制造方法
本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。制造方法包括:在基板上依次沉积半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜,通过第一次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形;依次沉积第一绝缘层和栅金属薄膜...
侯智郑载润郑云友肖红玺李伟
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反应腔真空门及其保护装置
本实用新型公开了一种反应腔真空门及其保护装置,涉及工业生产制造领域,解决了由于断电或断气造成的真空门意外打开的技术问题。反应腔真空门保护装置,包括:数套配套的插销和插口,设置在反应腔和真空门上;与所述插销数量相等的驱动装...
肖红玺李楠李伟苏顺康李正勳
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TFT-LCD阵列基板及其制造方法
本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括栅线、数据线和像素电极,像素电极设置在栅线和数据线限定的像素区域内,像素区域内开设有用于形成像素电极图形的隔断槽。制造方法包括:在基板上沉积一层栅金属薄膜,通...
肖红玺郑载润刘祖宏洪泽镐李正勲
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母板及TFT阵列基板的制造方法
本发明实施例公开了一种母板及TFT阵列基板的制作方法,涉及液晶显示技术领域,解决了TFT阵列基板在制造过程容易发生静电击穿的问题。本发明实施例在每个显示区域相邻两侧的预切割区域分别设有电连接的栅线连通线和数据连通线;所述...
刘华锋肖红玺苏顺康吴平丁汉亭
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一种下部电极
本实用新型提供了一种下部电极,涉及干法刻蚀领域,解决了现有技术中下部电极的陶瓷点和陶瓷层经不同工序形成,陶瓷点与陶瓷层结合强度不高,陶瓷点容易从陶瓷层上脱落的问题。一种下部电极,包括:金属基板和绝缘层,其中,所述金属基板...
蒋晓纬肖红玺刘华锋陈皓朱孝会
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TDDI产品Mo-Al-Mo膜层腐蚀原因分析及改善被引量:2
2017年
为降低TDDI产品Lead Open型线不良发生率,本文对Lead Open的发生机理进行了研究及改善验证。对TDDI产品生产数据进行了对比,对Mo-Al-Mo结构的SD膜层进行研究,根据以上结果确定改善方案并投入验证。首先,明确了Lead Open发生率与Delay Time的关系。接着,对SD膜层的微观结构进行了表征。然后,根据膜层结构和不同金属的电化学特征,建立了SD膜层电偶腐蚀模型。分析表明:Mo、Al两种金属间存在1.47V的电极电位差,具有很强的电偶腐蚀倾向性,且表层Mo中存在10nm级别的贯穿性孔洞,直径为0.4nm的水分子可轻易渗入,进而引发电偶腐蚀。表层Mo厚度增加25%后,其腐蚀速度较量产条件降低30%,Lead Open发生率降低1.4个百分点,维持在0.1%的较低水平,满足TDDI产品量产对该类不良发生率的要求。
李森尚建兴张大伟田露张鹏曲肖红玺郝金刚黄东升王威张学智
关键词:LEADOPEN电偶腐蚀电化学
湿法刻蚀FI CD均一性的影响因素及提高刻蚀均一性的研究被引量:5
2016年
随着高分辨率产品导入,TFT-LCD阵列段各项参数范围越来越小,工艺要求更为严格,为了更好地管控湿法刻蚀各项参数,本文以湿法刻蚀FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影响因素及如何提高FI CD均一性为目的进行研究。首先,通过对湿法刻蚀设备参数(主要包括刻蚀液温度、流量、压力、浓度、Nozzle Sliding、Oscillation Speed、刻蚀时间等)进行试验,验证各项参数对FI CD均一性的影响。其次,对沉积工序、曝光工序以及产品设计等进行试验,获悉影响因素并进行改善。通过对湿法刻蚀设备自身参数的调整,如减少设备温度、流量、压力波动,使参数保持相对稳定状态,可有效改善湿法刻蚀FI CD均一性,FI CD的均一性可从1.0降低至0.5。通过对湿法刻蚀设备参数进行试验并做相应调整,湿法刻蚀FI CD均一性改善效果显著。
范学丽靖瑞宽翁超陈启省王晏酩肖红玺刘还平
关键词:TFT-LCD湿法刻蚀FICD均一性
一种背板及其制作方法、检测装置
本发明公开一种背板及其制作方法、检测装置,涉及X射线衍射技术领域,为解决采用现有技术制作的XRD产品中的光电转换器件,具有较高的漏电流,影响XRD产品的生产良率的问题。所述背板的制作方法包括:在衬底基板上制作薄膜晶体管阵...
赵海生肖红玺李嘉鹏蒋会刚裴晓光
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薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法
本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法,属于显示技术领域,其可解决现有的薄膜晶体管的制备方法中,源极和漏极中的源、漏极所采用的金属材料被形成欧姆接触层的反应气体腐蚀而导致显示不良的问题。本发明的薄膜晶...
肖志莲肖红玺赵海生
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一种真空泵入口端管道及真空泵组件
本实用新型的实施例提供一种真空泵入口端管道及真空泵组件,涉及真空系统的技术领域,提高了真空泵的使用周期,避免了不必要的设备停产的情况发生。该管道包括:一非水平设置的进气管、一非水平设置的出气管和至少一非水平设置的中间管;...
蒋晓纬吴平关跃征肖红玺任志强
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共3页<123>
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