杨师
- 作品数：14 被引量：24H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 集成电路工艺中减薄与抛光设备的现状及发展被引量：4
- 2014年
- 晶圆加工是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,为了得到更稳定的硅片,提高其平整度和表面洁净度,国内外技术人员越来越注重减薄与抛光设备的研究与改进。介绍了针对硅片平坦化工艺的减薄设备及现阶段加工过程中防止碎片的技术方法;介绍了化学机械抛光设备的技术发展现状以及针对硅片抛光的后清洗工艺。
- 费玖海杨师周志奇
- 关键词：集成电路硅片减薄
- 压电效应与主动制振技术研究
- 2024年
- 介绍了压电陶瓷促动器与传感器的基本结构与特征;概括了压电堆叠结构制备工艺、主要生产厂商及应用压电陶瓷进行主动减振的发展过程与结构特征;针对应用于精密半导体设备的典型减振结构进行了压电堆叠选型与动态力计算;对减振结构单体进行了有限元建模及刚度仿真分析。
- 杨师路继松赵宏宇景亚慧程一启
- 关键词：压电陶瓷
- 半导体制造设备排气通风设计及仿真被引量：2
- 2021年
- 从设计标准、性能标准、测试方法等方面介绍了SEMI S6标准,并以CMP后清洗设备为例介绍了排气通风设计中的一些注意事项。以CMP后清洗设备中的清洗槽为例,介绍了利用流体仿真软件对排气通风设计的有效性进行验证的方法,对设备排气通风的设计具有指导意义。
- 史霄杨师杨元元费玖海
- CMP在线光学终点检测算法研究及应用
- 2021年
- 介绍了化学机械抛光(CMP)中表面膜层为金属和非金属晶圆的在线终点检测原理。研究了窗口检测算法,实时检测光强变化趋势,抓取趋势特征点,从控制抛光过程,实现CMP在线终点检测。实验结果表明,检测算法可达到预期的检测精度,能够满足生产实际需要。
- 杨元元杨旭史霄孟晓云杨师
- 关键词：化学机械抛光特征点
- SEMI标准在半导体制造设备中的应用被引量：2
- 2023年
- SEMI标准是一项国际通用的半导体行业标准,为研究SEMI标准在半导体制造设备中的应用情况,介绍了SEMI S2半导体设备安全准则、SEMI F47半导体设备电压暂降抗扰度标准并说明了标准的实际应用。分析了SEMI S23半导体设备能源、电力和原料的使用效率标准、SECS/GEM通讯标准及其研究应用现状;提出了我国半导体产业的快速发展需要加大SEMI标准的普及应用。
- 韦薇林煦呐张帅谢琼杨师
- 关键词：半导体制造设备
- PG-300去应力抛光系统的结构设计与优化
- 2015年
- 介绍了集成于减薄抛光一体机中的PG-300去应力抛光系统的主要结构及技术特点,主要包括抛光头主轴部分的正向设计,论述了花键轴的安装结构及调平方法,导向轴的设计安装等。并通过运用有限元软件对该抛光头机架进行受载情况仿真,消除了抛光过程中结构变形对抛光效果的影响,进而在理论和实践两个方面确定了该机架已达到设计要求。
- 杨师李伟王铮史霄
- 关键词：主轴机架
- 多段可控式加热台的性能测试与应用验证
- 2020年
- 介绍了一种自主研发的多段可控加热台的系统构造与工作原理,对其相关性能进行了测试,并在介电材料聚酰亚胺的制备过程中,对其进行了实际应用验证。结果表明,该加热台在PLC控制器与温控器的综合控制下,最多可设置12段加热温度曲线,可实现室温至450℃范围内温度的连续调节,升温速率范围为0~20℃/min;在升温速率较小(如1~5℃/min)的情况下,具有温控精度高(优于±1℃)、超调量小、稳定性高等优点;同时,该加热平台使用灵活,既可单独使用,也可集成到其它设备中作为加热附件使用。但由于加热面积大(300 mm×200 mm),当升温速率较大时,也存在加热滞后现象。
- 王洪宇王大志张奇刘建国曾晓雁杨师
- 运动台结构刚度及接触形式动态性能优化被引量：1
- 2024年
- 介绍了运动台结构刚度优化的目的与思路,根据仿真结果对几种结构优化形式的预期效果进行判断,并结合整机需求完成定型及设计结果测试,通过实践闭环了仿真模型;根据运动台断开与连接整机重复性需求,设计改型了运动台与整机接触形式,并通过机械加速度传递函数测试进行了验证,保证了幅值裕度与相位裕度在较小范围内时,同样实现稳定控制。
- 杨师王月鹏李龙飞赵宏宇陈沿宇
- 关键词：刚度振动控制
- 化学机械抛光技术军民融合发展及推广应用被引量：1
- 2016年
- 介绍了化学机械抛光设备的主要技术特点及功能,技术特点包括抛光盘制造及装配、抛光头压力控制、抛光液流量控制、抛光盘温度控制及晶片蜡粘与断电保护机构等;主要功能介绍了抛光头单独控制、自适应柔性承载器、外形及内部结构特点、人性化操作界面及自动控制程序等。说明了现阶段国内化学机械抛光设备的主要发展方向。
- 杨师姜家宏刘雪娇
- 氮化镓晶片的CMP技术现状与趋势被引量：7
- 2016年
- 综述了半导体材料氮化镓(Ga N)抛光技术的发展,介绍了Ga N晶片化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了CMP亟待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望。
- 熊朋王铮陈威史霄杨师
- 关键词：化学机械抛光抛光工艺
