高丹
- 作品数：5 被引量：8H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家部委资助项目国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- APCVD制备SiOx薄膜工艺研究被引量：1
- 2020年
- 简单介绍常压化学气相沉积法(APCVD)制备氧化硅薄膜的基本原理和工艺。通过调整不同的沉积温度、硅烷流量、稀释氮气流量、分离氮气流量、皮带带速等工艺参数,对所沉积的氧化硅薄膜的厚度及沉积效率进行了分析研究。发现随着硅烷流量或浓度的增加,薄膜厚度增加;SiOx的膜厚与化学输入不成正比;最大沉积厚度的O2∶SiH4比与硅烷流量无关;薄膜厚度随带速的增加而减小,薄膜厚度与带速并不成正比,相同工艺温度和硅烷输入下薄膜厚度与带速的乘积是一个常数。
- 云娜康洪亮高丹佟丽英
- 关键词：常压化学气相沉积硅烷膜厚沉积温度
- 一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法
- 2021年
- 为了查找影响MEMS(微机电系统)器件缺陷的关键因素,通过模拟键合硅片的加工工艺开展了实验,探索出一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法。结果表明这种检验方法可以提前判断硅单晶是否可用于MEMS体硅工艺,对工业化生产具有很好的指导借鉴作用。
- 高丹
- 关键词：微机电系统
- 直拉硅单晶中微缺陷的特征及演变被引量：1
- 2016年
- 直拉硅单晶抛光片经过高温氧化后,腐蚀显示出氧化诱生缺陷,包括漩涡缺陷和氧化层错(oxidation induced stacking faults,OISF),其形状和分布与单晶生长过程中形成的微缺陷有一定的对应关系。文章通过试验显示出漩涡缺陷的内部特征及OISF的密度变化,推测出其对器件性能产生的影响,并确定控制单晶质量的特征参数。
- 佟丽英高丹
- 关键词：微缺陷
- LPCVD设备维护保养的重要性分析
- 2018年
- LPCVD设备是目前国内外半导体集成电路,半导体光电器件制备工艺中常用的CVD设备之一。简要分析正硅酸乙酯源低压化学气相淀积法淀积SiO_2膜过程中产生的问题,并根据实际使用的经验,对低压化学气相淀积法设备在生产过程中出现的问题进行讨论,分析和总结其维护及保养措施。
- 董军恒高丹
- 关键词：淀积速率均匀性真空度
- LPCVD背封片表面颗粒问题研究被引量：6
- 2014年
- 采用LPCVD工艺对硅片背封SiO2薄膜,可以有效地防止外延工序中的自掺杂效应,消除杂质对外延工艺的不利影响。但是当背封好的硅片经抛光放置后,抛光面有亮点,并且随着时间的推移越来越多,严重影响了外延片质量。通过对比不同工艺条件下背封片表面情况,分析了表面颗粒的形成机理以及影响表面颗粒产生的因素。通过调整工艺参数,基本解决了背封片表面颗粒问题,明显改善了表面质量。
- 高丹佟丽英
- 关键词：低压化学气相淀积二氧化硅
