李国科
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：石家庄铁道大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程理学文化科学更多>>
- 氧化层对水分解阳极多孔Si性能的影响
- 2018年
- 通过改变腐蚀时间,研究了多孔硅的反射率、禁带宽度、发光性能,比较了退火前后多孔硅作为水分解阳极的工作性能.测试表明,当腐蚀时间为45min时,得到的多孔硅孔隙均匀,反射率低.大气退火在多孔硅表面形成了一层SiO_2,在水分解中起到很好的保护作用.对于退火样品,腐蚀时间为45min样品,电流密度较早达到稳定,腐蚀速率最小.
- 刘雅欣杜海红刘志超李盼李国科甄聪棉
- 关键词：多孔硅反射率禁带宽度发光性能
- 多晶二氧化钛薄膜的制备、结构和光学性质
- TiO<,2>薄膜具有大的折射率和介电常数、在可见光和红外波段有具良好的透过率以及良好的耐磨性和热稳定性，因而被广泛应用于光学薄膜、微电子器件和保护涂层。本论文采用对向靶直流反应磁控溅射法制备了多晶TiO<,2>薄膜，系...
- 李国科
- 关键词：TIO2薄膜锐钛矿金红石光学带隙光学薄膜
- 文献传递
- 非晶Sm_xCo_(1-x)薄膜的反常霍尔效应研究
- 2015年
- 为了研究量子效应对磁性薄膜低温输运性质的影响,采用直流磁控溅射方法,通过改变Sm质量分数,制备了厚度约为100 nm的非晶Sm_xCo_(1-x)系列薄膜。输运性质测量发现,由于结构的高度无序,薄膜出现了显著的弱局域化效应。当温度低于50 K时,Sm_xCo_(1-x)薄膜的纵向电阻率和反常霍尔电阻率均随温度降低而呈对数增长。基于Mitra等人提出的颗粒模型,计算了弱局域化效应对纵向电导率和反常霍尔电导率的修正,并进一步分析了反常霍尔电导率与纵向电导率之间的依赖关系。结果表明x=5,29%和x=16,7%样品中弱局域化效应对霍尔电导的修正为零,与理论分析结果一致。
- 李国科刘岩赵瑞斌梁文会申俊杰
- 关键词：反常霍尔效应
- 省级物理实验教学示范中心建设规划的制定
- 2014年
- 文章围绕省级物理实验中心建设规划的制定,分析了石家庄铁道大学物理实验中心的实际情况,结合当前物理实验教学改革的方向以及学校的人才培养战略,制定出以"把大学物理实验课程打造成为培养创新型工程技术人才在实践教学环节中的第一级台阶"为核心的发展规划。
- 张闪刘虎崔建坡冀建利李洋高凤菊郑乔李国科张变芳史严
- 关键词：实验教学示范中心教学体系创新教育
- NiMnZn铁氧体的制备和磁电性能被引量：1
- 2015年
- 用溶胶-凝胶制备了系列Ni0.4Mn0.3Zn0.3Fe204铁氧体微粉。借助于TG-DTA、XRD、TEM、VSM和PNA技术,对干凝胶的热分解过程、产物的物相、微观结构、磁性和介电常数进行研究。结果表明,反应温度为30℃,前驱体在1000℃烧结转变成尖晶石相,但仍然有Fe2O3相存在,无法获得纯的Ni0.4Mn0.3Zn0.3Fe204铁氧体微粉。另外,由于杂质粒子的存在和晶粒表面结构缺陷,粉体样品在室温出现交换偏置场。块状样品随着煅烧温度的提高。
- 张变芳沈英明郭海勇李宝才李国科
- 关键词：交换偏置场磁结构热分析介电常数
- La_(0.67)Sr_(0.33-x)Ag_(x-y□y)MnO_3/Ag_y多晶材料的磁电阻
- 2014年
- 采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备La0.67Sr0.33-xAgx-y□yMnO3/Agy(x=0.20,0.30)多晶粉末,经压制与1 400℃/12h烧结获得相应的块体材料,借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和多功能物性测量系统(PPMS,附件VSM),对材料的相结构、微观结构和磁性能进行研究。结果表明:La0.67Sr0.33-xAgx-y□yMnO3/Agy粉末形貌为接近球形的凸多面体,平均粒度在150 nm左右,块体材料结构致密但粒度变大。另外,粉末与块体材料中都有金属Ag相和Sr空位存在。在室温下块体材料的磁电阻较小,而且为负值。在低温区,外加磁场越高,则磁电阻越大,在外加磁场为3T、温度为174和20 K条件下,La0.67Sr0.13Ag0.20-y□yMnO3/Agy的磁电阻分别为-37.5%和-43.3%,在141和20 K温度下La0.67Sr0.03Ag0.30-y□yMnO3/Agy的磁电阻分别为-45.1%和-53.9%。
- 张变芳沈英明刘力虎李国科
- 关键词：磁电阻锰氧化物
- 一种在MgO(111)基片上外延生长多种相结构氮化铁薄膜的方法
- 本发明公开了一种在MgO(111)基片上外延生长多种相结构氮化铁薄膜的方法，涉及薄膜材料技术领域，包括如下步骤：将Fe靶固定在溅射腔室内强磁靶上；将单晶MgO基片和玻璃同时固定在基片托上，放入溅射腔室，进行抽真空；待溅射...
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- 文献传递
- 一种在MgO（111）基片上外延生长多种相结构氮化铁薄膜的方法
- 本发明公开了一种在MgO(111)基片上外延生长多种相结构氮化铁薄膜的方法，涉及薄膜材料技术领域，包括如下步骤：将Fe靶固定在溅射腔室内强磁靶上；将单晶MgO基片和玻璃同时固定在基片托上，放入溅射腔室，进行抽真空；待溅射...
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