钱国兴
- 作品数：22 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院科研项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 一类压电单晶体及其生长方法
- 本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于：通过同族元素替代形成了的压电晶体，通式为Sr<Sub>3－x</Sub>Me<Sub>x</Sub>NbGa<Sub>3</Sub>Si<Sub>2</Sub...
- 安华徐家跃钱国兴陆宝亮侍敏莉张爱琼李新华林雅芳
- 文献传递
- 掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术
- 本发明涉及一种掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术,属于单晶生长领域。特征是:初始原料按Nd<Sub>x</Sub>Gd<Sub>1－x</Sub>Ca<Sub>4</Sub>O(BO<Sub>3</Sub>)<Sub>...
- 钟真武范世徐家跃罗军孙仁英钱国兴
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- 新型弛豫铁电单晶PMNT的生长研究被引量：1
- 2004年
- 新型弛豫铁电晶体(1—x)Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))-xPbTiO_3是具有钙钛矿结构的固溶体材料,在医用超声成像、声纳、微位移器等方面具有广阔的应用前景。在坩埚下降法生长炉内,采用自发成核和通气诱导成核两种方法生长了0.67Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))-0.33PbTiO_3晶体,尺寸分别达到φ30mm×35mm和35mm×35mm×40mm。XRD分析表明,所得晶体为钙钛矿结构。比较研究了自发成核生长和通气诱导成核生长两种不同的生长工艺及其优缺点。
- 童健侍敏丽钱国兴徐家跃
- 关键词：晶体生长自发成核钙钛矿结构
- 氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法
- 本发明涉及第三代半导体材料ZnO晶体的通气坩埚下降生长方法，属于单晶生长领域。特征是：将初始原料ZnO(4N)与助熔剂按一定的摩尔比称量、配料并均匀混合，装入贵金属坩埚内；将坩埚置于事先设计好的具有通气或通水系统的保温陶...
- 徐家跃李新华申慧钱国兴罗丽庆武安华林雅芳
- 文献传递
- 硼酸铋晶体的坩埚下降法生长工艺
- 本发明涉及一种硼酸铋，BiB<Sub>3</Sub>O<Sub>6</Sub>晶体的坩埚下降法生长工艺，属于单晶生长领域。特征是：以Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和B<Sub>2</Sub>O<S...
- 徐家跃张爱琼丁嘉煊侍敏莉林雅芳钱国兴
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- 一种钕离子掺杂氟化物激光晶体
- 本发明涉及一种钕离子掺杂氟化物激光晶体，所述氟化物激光晶体-MeF<Sub>2</Sub>中还掺杂有与所述钕离子Nd<Sup>3+</Sup>共掺的一价态阳离子M<Sup>+</Sup>。本发明在Nd:MeF<Sub>2...
- 苏良碧李红军徐军王庆国郑丽和钱国兴姜大朋唐慧丽
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- 一种大尺寸钙-稀土硼酸盐晶体的制备方法
- 本发明公开了一种大尺寸钙-稀土硼酸盐晶体的制备方法，所述方法是坩埚下降法，是首先将初始原料按Ca<Sub>4</Sub>RO(BO<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>化学式配料混合均匀，预烧，再次混匀，和晶...
- 武安华徐军郑燕青施尔畏钱国兴
- 文献传递
- 一类压电单晶体及其生长方法
- 本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于：通过同族元素替代形成了的压电晶体，通式为Sr<Sub>3-x</Sub>Me<Sub>x</Sub>NbGa<Sub>3</Sub>Si<Sub>2</Sub...
- 安华徐家跃钱国兴陆宝亮侍敏莉张爱琼李新华林雅芳
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- 弛豫铁电单晶铌锌酸铅－钛酸铅的两步法生长方法
- 本发明涉及一种新型弛豫铁电单晶铌锌酸铅－钛酸铅(PZNT)的两步法生长方法，特征在于：初始原料按(1－x)Pb(Zn<Sub>1/3</Sub>Nb<Sub>2/3</Sub>)O<Sub>3－x</Sub>PbTiO<...
- 徐家跃童健侍敏莉范世林雅芳钱国兴陆宝亮
- 文献传递
- PZN-PT晶体从各种熔剂中生长被引量：3
- 2000年
- 铌锌酸铅 钛酸铅固溶体单晶 (Pb(Zn1/3 Nb2 /3 )O3 PbTiO3 缩写为PZN PT或PZNT) 6 0年代末 ,首次由S .Nomuza用缓冷技术从PbO熔剂中生长。由于其生长难度大 ,生长研究中断近 2 0年后 ,才重新因该晶体的优异压电性能引起人们进一步的研究兴趣。本文报道了PZN PT晶体从各种熔剂 ,如PbO ,PbO +PbF2 ,PbO +B2 O3 ,PbO +PbF2 +B2 O3 及PbO +BaTiO3 生长的实验结果。PZN PT晶体的差热分析结果表明 ,该晶体为非一致熔融 ,并在熔化前已分解失重。因此必须选择熔盐法生长。配料经过熔化 ( 1 1 5 0～ 1 2 0 0℃ )、泡料 ( 1 0～ 2 0h)、缓冷 ( 1～ 5℃ /h)过程 ,在冷却至熔质过饱和时 ,自发成核析晶。为对比各种熔剂下的生长结果 ,化合物与熔剂的摩尔比均为 1∶2。对复合熔剂而言 ,PbO∶PbF2 为 6 0∶40 ;PbO∶B2 O3 为 88∶1 2 ;PbO∶PbF2 ∶B2 O3 为 5 2 .8∶35 .2∶1 2 ;PbO∶BaTiO3 为 95∶5。在不同熔剂中 ,PZN PT晶体以钙钛矿相或烧绿石相的形式析出 ,而且晶体析出量有很大差别。各种熔剂下的析出量从溶质的 6 4 %至 1 6 %其熔剂依次为PbO +PbF2 +B2 O3 →PbO +PbF2 →PbO +B2 O3 →PbO→PbO +BaTiO3 。熔剂在整个过程中 ,(半封闭状态 )的挥发也不同。PbO +PbF2 +B2 O3 熔剂的挥发为最大 ,约 5 % (重量比 )
- 孙仁英范世林雅芳钱国兴
- 关键词：熔盐法压电晶体
