程秀兰
- 作品数：112 被引量：170H指数：6
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金上海市科委重大科技攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- 90nm技术中接触层Cu扩散缺陷分析与解决方案
- 2008年
- 在90 nm工艺时代,接触孔工艺问题对于提升90 nm产品的成品率具有重要意义。基于在90 nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的Cu扩散问题,通过失效分析,确定引起Cu扩散问题的主要原因是由于光刻胶残留造成的。通过合理的设计,优化了光刻胶清洗流程,最终达到成品率提升的目的。
- 阎海滨程秀兰
- 关键词：半导体制造
- 嵌入式相变存储器的技术特点和研究现状被引量：2
- 2008年
- 从2001年Intel在IEDM发表第一篇相变存储器的论文以来,相变存储器的发展十分迅猛。相变存储器由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐射、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH和DRAM而成为未来半导体存储器主流产品。文中系统地介绍了嵌入式相变存储器的存储机理及其主要工作特点,从相变材料,器件结构,存储阵列等方面分析国内外研究现状,并讨论了器件失效与可靠性问题。
- 尹文程秀兰
- 关键词：相变存储器相变材料存储阵列
- 二氧化铈研磨液在化学机械平坦化中的应用被引量：6
- 2007年
- 当集成电路的特征尺寸小于0.25μm时,浅沟道隔离(STI)逐渐成为CMOS工艺器件隔离的标准工艺技术。相比较于硅石(silica)研磨液,二氧化铈(CeO2)研磨液由于其比较高的研磨速度、高的选择比和自动停止的特性,而广泛地应用于直接的浅沟道隔离(DSTI)化学机械平坦化(CMP)工艺中。在简要介绍了CMP的一些基本知识后,着重介绍了CeO2研磨液的特性及其在直接的浅沟槽隔离化学机械平坦化(DSTI-CMP)中的应用。
- 许怀程秀兰
- 关键词：二氧化铈研磨液浅沟道隔离化学机械平坦化
- 基于Low K介质QFN 55nm铜线键合ILD断层的分析被引量：1
- 2013年
- 主要介绍了低介电常数介质芯片层间介质层的分类,特别是对铜线键合过程中低介电常数介质层间介质断层方面的分析,以及铜线键合过程中如何优化工艺。在工艺优化过程中主要采用了键合参数的优化来改善芯片本身存在的设计缺陷,这主要是从工艺稳定性方面考虑。通过一系列工艺的优化,通过大量实验设计,获得了尽可能少的层间介质断层缺陷。
- 张金辉程秀兰
- 关键词：低介电常数层间介质
- 利用OPC方法提高NAND FLASH CELL WL均匀性
- 2008年
- 随着集成电路制造工艺的飞速发展,图形最小线宽(CD)越来越小。为了提高分辨率,在设备方面,光刻机一方面不断减小光源的波长,另一方面尽可能地增大透镜孔径的大小。但是这会极大的增加成本,而且同时也无法解决随着最小线宽的逐渐缩小,实际曝光时,由于光的衍射,投影到光刻胶涂层上的图形对比度和图形失真的问题。所以在六、七年前0.18μm技术节点时,OPC(Optical Proximity Correction)技术就被广泛应用到掩模版的制作,以得到在相同光刻条件下更高的分辨率和更逼真的图形。文章主要介绍在传统的OPC技术下如何结合其他新的OPC技术提高NAND FLASH CELL WL的均匀性。
- 徐海洁程秀兰
- 关键词：光刻OPC分辨率均匀性
- TiNi/Si复合膜微驱动器原理及结构参数优化
- 2001年
- 应用有限元方法对TiNi/Si复合膜微驱动器的结构设计进行了分析。因TiNi和Si之间的热膨胀系数差别很大 ,溅射在Si( 1 0 0 )衬底上的TiNi膜 ,当从晶化的高温降下来时会积聚很大的热应力。这种微驱动器 ,就是利用了TiNi的形状记忆效应而引起的这些应力的释放与恢复从而引起复合膜的振动。图形化TiNi薄膜制成加热电阻条作为自加热电阻 ,可降低功耗、提高响应速度、简化结构。但作为驱动单元的一部分 ,其图形化的结构参数对复合膜的挠度有很大的影响。通过结构参数优化 ,可使复合膜的中心挠度值达到最大 ,从而提高驱动器的性能。
- 陈鉴蔡炳初徐东王莉程秀兰
- 关键词：微驱动器形状记忆效应TINI结构参数优化
- 新型功率器件SON-LDMOS的设计和研究
- 2009年
- 本文提出了一种新型的对称式SON LDMOS功率器件。在对器件击穿电压进行解析分析的基础上,利用SilvacoTCAD仿真软件Atals验证了漂移区设计对器件击穿电压的影响,证明了峰值击穿电压的存在。并且对比分析了SON LD-MOS与SOI LDMOS击穿电压和寄生电容方面的优劣,研究表明SON LDMOS在击穿电压上比SOI LDMOS器件提高了近3倍,并且其寄生电容也较小,这为SON LDMOS在功率方面的应用提供了部分理论支持。
- 高正鑫程秀兰
- 关键词：SOISONLDMOS击穿电压
- 石墨烯纳米孔的制备及λ-DNA穿孔初步研究被引量：4
- 2014年
- 纳米孔测序是有可能实现"$1,000 Genome"目标的技术之一.近年来,研究较多的纳米孔有蛋白质纳米孔和硅基材料的固态纳米孔.蛋白孔寿命比较短,而基于硅基底的固态纳米孔深度显著超过单链DNA相邻碱基的间距,所以,无法实现DNA的单个碱基的分辨.作者用聚焦离子束先制造氮化硅基底,并在该基底上铺设石墨烯,再用聚焦电子束刻蚀石墨烯,获得直径10 nm以下的纳米孔,初步分析了DNA穿越纳米孔时产生的电信号及穿孔噪音,向单层石墨烯纳米孔测序DNA迈出了一步.
- 王跃余旭丰刘芸芸谢骁程秀兰黄少铭王志民
- 关键词：石墨烯纳米孔测序聚焦离子束
- 聚焦离子束对铌酸锂表面加工的形貌控制研究被引量：4
- 2020年
- 聚焦离子束是一种高精度、无掩膜的先进微纳加工手段。本文以铌酸锂晶体为研究对象,利用聚焦离子束/电子束双束系统对铌酸锂表面进行图形刻蚀,研究了离子束重复次数/驻留时间、扫描方式、扫描步长及束流大小等刻蚀参数对图形加工造成的影响。结合利用扫描电子成像和原子力显微镜三维形貌测量,对不同参数下的刻蚀形貌进行观察分析。该研究为实现基于铌酸锂材料的超低损耗光存储、光传导器件提供了重要的工艺参考依据。
- 瞿敏妮沈贇靓乌李瑛田苗王英程秀兰
- 关键词：聚焦离子束原子力显微镜铌酸锂表面形貌
- 一种高性能氧化铪基铁电电容器及其制备方法
- 本发明公开了一种高性能氧化铪基铁电电容器及其制备方法，涉及电容器加工技术领域。本发明高性能氧化铪基铁电电容器从上到下依次为TiN顶电极层、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜层，HZO层、TiON层...
- 乌李瑛程秀兰付学成刘丹张文昊
