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魏青竹

作品数：12 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 10篇分子束
  • 10篇分子束外延
  • 8篇碲镉汞
  • 6篇红外
  • 4篇少子寿命
  • 4篇SI基
  • 4篇HG
  • 3篇电学
  • 3篇探测器
  • 3篇退火
  • 3篇焦平面
  • 3篇红外焦平面
  • 3篇HGCDTE
  • 3篇HGCDTE...
  • 2篇电学性质
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇P型
  • 2篇掺杂
  • 2篇AS

机构

  • 12篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...

作者

  • 12篇魏青竹
  • 11篇吴俊
  • 11篇巫艳
  • 10篇何力
  • 10篇陈路
  • 8篇于梅芳
  • 7篇乔怡敏
  • 7篇傅祥良
  • 5篇王伟强
  • 4篇王元樟

传媒

  • 4篇激光与红外
  • 2篇第二届全国先...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第三届全国先...
  • 1篇二〇〇六年全...
  • 1篇2006年全...

年份

  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 7篇2006
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Hg在As激活退火中的作用被引量：2
2006年
对原位 As_4掺杂 MBE HgCdTe 材料退火前后的电学性质进行了研究。原生样品以及 N 型退火样品的测试结果显示,随着 As 掺杂进入 HgCdTe 的同时,样品中产生了额外的 Hg 空位,并且在样品中引进了一种 N 型深能级结构。不同 Hg 分压下的激活退火结果显示,高温汞压下退火可以获得 P 型 MBE HgCdTe 材料。但是,真空退火结果显示 As 很难被激活。说明在激活退火过程中 As 在各个格点之间转移时,外界的 Hg 起重要作用。
吴俊魏青竹巫艳陈路于梅芳乔怡敏何力
关键词：退火碲镉汞分子束外延
束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷被引量：3
2007年
研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察,并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验:其一,在CdTe/GaAs衬底上,低温下用Hg源照射20min,再在其上继续高温生长CdTe;其二,在CdTe/GaAs衬底上,一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷,采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察,通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较,我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。
傅祥良王伟强于梅芳乔怡敏魏青竹吴俊陈路巫艳何力
关键词：HGCDTE分子束外延
Si基HgCdTe材料的电学特性研究被引量：2
2007年
文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现,晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低;Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料,但高补偿性并非材料的固有特性,通过P型退火可使材料变为低补偿材料,迁移率得到提高。采用分子束外延方法制备的3 in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比,性能还有待提高。改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量,从而进一步提高迁移率,是Si基外延研究的关键。
魏青竹吴俊巫艳陈路于梅芳王伟强傅祥良何力
关键词：SI基HGCDTE电学参数少子寿命分子束外延
Si基大面积碲镉汞分子束外延研究
本文阐述了Si基碲镉汞分子束外延(MBE)的最新研究进展。用晶向偏角降低高界面应变能的方法,摸索大失配体系中位错的抑制途径,寻找位错密度与双晶半峰宽的对应关系,基本建立了外延材料晶体质量无损检测评价标准,并对外延工艺进行...
陈路傅祥良巫艳吴俊王伟强魏青竹王元樟何力
关键词：红外探测器分子束外延
文献传递
碲镉汞As掺杂技术研究被引量：5
2006年
对于MBE原位掺杂，HgCdTe的N型掺杂比较容易，而P型掺杂相对来说难度比较大。作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为，在富Te的条件下生长，As有很大的几率进入到阳离子位置处。而As必须进入Te位才能参与导电，表现为P型。因此，采取了多种方法，现已获得10^16-10^18坤cm^-3掺杂水平的P型材料。在成功实现As的掺杂后，研究人员对激活退火做了一些研究。研究发现，需要在汞压下经过高温退火，As原子才能占据Te位成为受主杂质。对As在碲镉汞中的扩散系数也进行了研究。
巫艳吴俊魏青竹陈路于梅芳王元樟傅祥良乔怡敏何力
关键词：碲镉汞分子束外延
分子束外延P型Hg_(1-x)Cd_xTe少子寿命的研究被引量：1
2007年
本文利用μ-PCD载流子寿命测量系统,对采用MBE方法生长的Hg空位型中波HgCdTe P型材料和原位As掺杂激活中波P型材料的少子寿命进行了测量,并对材料的少子寿命与温度、载流子浓度的依赖关系进行了研究。结果发现,Hg空位型HgCdTe材料,在非本征区范围内,SRH再结合机制起主要作用;在本征区域,Auger再结合和Radiative再结合机制起主要作用。通过拟和得到,低温下作为SRH再结合中心的汞空位能级位置在离价带顶30meV处,有着类受主的性质,起库仑吸引作用,限制了材料的少子寿命。As掺杂P型材料的少子寿命与同载流子浓度Hg空位为主的P型材料少子寿命相比,大了一个数量级。这就决定了As掺杂P型材料制成的红外探测器件比Hg空位P型材料的探测率高,因此这种材料更适合做多色红外焦平面列阵探测器。
魏青竹吴俊巫艳陈路于梅芳傅祥良乔怡敏王伟强何力
关键词：HGCDTE少子寿命
Hg在As激活退火中的作用
对原位As4掺杂MBEHgCdTe材料退火前后的电学性质进行了研究.原生样品以及N型退火样品的测试结果显示,随着As掺杂进入HgCdTe的同时,样品中产生了额外的Hg空位,并且在样品中引进了一种N型深能级结构.不同Hg分...
吴俊魏青竹巫艳陈路于梅芳乔怡敏何力
关键词：退火碲镉汞分子束外延电学性质红外焦平面探测器
文献传递
HgCdTe材料p型掺杂及相关电学性质
第三代HgCdTe红外焦平面列阵技术向多光谱、大规模的发展过程中，分子束外延(MBE)技术面临扩大外延面积、精确控制原位掺杂等技术挑战。分子束外延碲镉汞P型掺杂问题是国际上的研究热点，也是现代碲镉汞焦平面技术的关键，具有...
魏青竹
关键词：红外焦平面列阵碲镉汞材料P型掺杂电学性质
Hg在As激活退火中的作用
对原位As4掺杂MBEHgCdTe材料退火前后的电学性质进行了研究。原生样品以及N型退火样品的测试结果显示,随着As掺杂进入HgCdTe的同时,样品中产生了额外的Hg空位,并且在样品中引进了一种N型深能级结构。不同Hg分...
吴俊魏青竹巫艳陈路于梅芳乔怡敏何力
关键词：退火碲镉汞分子束外延
文献传递
Si基大面积碲镉汞分子束外延研究被引量：1
2006年
文章报道了Si基碲镉汞分子束外延（MBE）的最新研究进展。尝试用晶向偏角降低高界面应变能的方法，摸索大失配体系中位错的抑制途径，寻找位错密度与双晶半峰宽的对应关系，基本建立了外延材料晶体质量无损检测评价标准，并对外延工艺进行指导。通过上述研究，15～20μm Si基CdTe复合材料双晶半峰宽最好结果为54arcsec，对应位错密度（EPD）小于2×10^6／cm^2，与相同厚度的GaAs／CdTe（211）双晶水平相当，达到或优于国际最好结果。获得的3in 10μm Si基HgCdTe材料双晶半峰宽最好结果为51arcsec，目前si基HgCdTe材料已经初步应用于焦平面中波320×240器件制备。
陈路傅祥良巫艳吴俊王伟强魏青竹王元樟何力
关键词：SI基碲镉汞分子束外延红外焦平面阵列
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