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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学

主题

  • 2篇电性质
  • 2篇异质结
  • 2篇碳60
  • 2篇离子注入
  • 2篇光电性质
  • 2篇SI异质结
  • 2篇C_(60)
  • 1篇电特性
  • 1篇原位测试
  • 1篇离子
  • 1篇离子掺杂
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇掺杂

机构

  • 3篇武汉大学

作者

  • 3篇雷园园
  • 2篇傅德君
  • 1篇范湘军
  • 1篇彭友贵
  • 1篇叶明生
  • 1篇李金钗

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 2篇1999
  • 1篇1998
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
离子-C_(60)相互作用及其对C_(60)/Si异质结光电特性的影响
1999年
用离化团簇束(ICB)沉积法制备了C60薄膜。XRD测试表明,膜呈多晶结构;原位电阻测试表明,膜的室温电阻率超过103Ωcm,具有负的电阻温度系数。用80keVp+,BBr3+,Ar+和He+对C60膜作剂量范围为0—1016cm-2的离子注入,C60膜的电阻率随注入剂量的增加而下降,p+注入使膜呈n型电导,离子与C60团簇的相互作用导致C60分裂,并使膜表面非晶化。在沉积过程中溅射掺Al得到p型C60膜。C60/Si样品具有明显的异质结特性,光照对结特性有明显响应。
雷园园傅德君李金钗郭怀喜叶明生范湘军
关键词:光电性质异质结
C_(60)薄膜的离化团簇束沉积及离子掺杂
1998年
用离化团簇束(ICB)沉积法在石英玻璃和云母衬底上形成了C60薄膜,XRD测试表明膜呈多晶结构,原位电阻测试表明膜的室温电阻率超过104Ωcm,具有负的电阻温度系数.用80keVP+,BBr3+,Ar+和He+对C60膜作剂量范围为0~1016cm-2的离子注入,C60膜的电阻率随注入剂量增加而急剧下降,磷注入具有n型掺杂作用,离子与C60分子的相互作用导致C60分子分裂,引起薄膜表面非晶化.
傅德君雷园园李金钗叶明生彭友贵范湘军
关键词:离子注入原位测试碳60
C_60薄膜的离子注入及C_60/Si异质结的光电性质
雷园园
关键词:离子注入光电性质
共1页<1>
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