陈睿
- 作品数：18 被引量：39H指数：4
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- 不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应被引量：8
- 2011年
- 对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。
- 费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿王志宽杨永晖李茂顺兰博崔江维赵云
- 关键词：NPN双极晶体管偏置
- PAGAT型聚合物凝胶剂量计的高熔点优化被引量：1
- 2010年
- 使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂、甲醛和琼脂糖等,在常氧条件下制备出四种不同配比的聚合物凝胶剂量计。根据U型管两端水平液面恒等原理,在32℃和60℃下比对筛选出具有较高熔点的凝胶剂量计,实验结果表明PAGAT加入适量甲醛所得的聚合物凝胶剂量计具有60℃以上的熔点,可以很好抵御环境温度的大幅度变化,并且有很好的剂量线性响应特性。
- 赵云何承发郭旗卫平强兰博崔江维李茂顺费武雄陈睿
- 不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应被引量：1
- 2011年
- 在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器(CFA)进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应(ELDRS);在小工作电压下辐照时,器件损伤较小,且不同剂量率之间损伤差异不明显;而在大工作电压下辐照时,器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤,在随后的室温退火中,又恢复到与低剂量率损伤相当的程度,表现为时间相关效应。结果表明,双极器件是否具有ELDRS效应与实验偏置条件有重要关系。
- 王义元陆妩任迪远郑玉展高博陈睿费武雄
- 关键词：电离辐射电流反馈运算放大器偏置
- 不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应被引量：3
- 2010年
- 对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy/s(Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重。并对其损伤机理进行了初步探讨。
- 陈睿陆妩任迪远郑玉展王义元费武雄李茂顺兰博崔江维
- 关键词：模数转换器偏置条件
- 国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性
- 2010年
- 对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明:辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下,依然是正栅氧化层质量决定了器件的抗辐照性能;界面态陷阱电荷的散射作用降低了器件的源漏饱和电流;总剂量辐照后器件的常规可靠性可能会降低。
- 崔江维余学峰刘刚李茂顺兰博赵云费武雄陈睿
- 关键词：总剂量辐照效应退火效应可靠性
- 正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤被引量：1
- 2010年
- 对处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器,进行了高低剂量率辐射试验。结果表明,工作状态影响JFET运放电路的辐射效应和辐射损伤。正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应。高剂量率或低剂量率辐射情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化大于或小于零偏置状态。高剂量率辐射会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管产生氧化物正电荷和界面陷阱。从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET运放电路的退化行为进行了解释。
- 郑玉展陆妩任迪远王义元陈睿费武雄
- 不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应
- 对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重.文中对其...
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- 关键词：模数转换器偏置条件
- 变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用被引量：8
- 2010年
- 对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。
- 费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿李茂顺兰博崔江维赵云王志宽杨永晖
- 关键词：NPN双极晶体管
- 10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应被引量：3
- 2011年
- 对10位CMOS模数转换器ADC7910的^(60)Coγ射线的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果显示:模数混合电路在不同剂量率辐照下的电离辐照响应有明显区别,在高剂量率辐照下的损伤明显大于低剂量率的辐照,但这种差异可通过高剂量率辐照加与低剂量率辐照相同时间的室温退火来消除,因而具有时间相关效应。对辐射敏感参数和损伤机理进行了初步探讨。
- 陈睿陆妩任迪远郑玉展王义元费武雄李茂顺兰博
- 关键词：模数转换器
- 国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究
- 2010年
- 对国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感;辐照引入的深能级界面态陷阱电荷的散射作用,导致了正栅源漏饱和电流的显著降低;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电荷,使得退火后背栅曲线仍与初始值有一定负向距离。
- 崔江维余学峰刘刚李茂顺高博兰博赵云费武雄陈睿
- 关键词：总剂量辐照效应退火
