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李娟

作品数:11 被引量:26H指数:3
供职机构:天津理工大学更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 3篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 7篇发光
  • 4篇溅射
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇SIC
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇电致发光
  • 2篇纳米
  • 2篇光材料
  • 2篇发光材料
  • 2篇发光器件
  • 2篇SIC薄膜
  • 1篇导体
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁兼容
  • 1篇电力
  • 1篇电力电子
  • 1篇电力电子装置
  • 1篇电致发光器件

机构

  • 10篇天津理工大学
  • 2篇南开大学
  • 1篇天津理工学院

作者

  • 11篇李娟
  • 6篇刘技文
  • 4篇李昌龄
  • 4篇李延辉
  • 3篇赵燕平
  • 2篇冯秀岚
  • 2篇印寿根
  • 2篇华玉林
  • 2篇许京军
  • 2篇吴晓明
  • 1篇王玉红
  • 1篇孙永昌
  • 1篇安玉凯
  • 1篇马永昌

传媒

  • 2篇光电子.激光
  • 1篇物理
  • 1篇材料导报
  • 1篇天津理工学院...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2002
  • 1篇2001
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电力电子装置电磁兼容传导特性测试方法研究
随着功率器件朝着高频化方向的发展,大量的电力电子装置产生的传导性电磁干扰问题日益严重。特别是在大功率设备中,电压和电流瞬变是由功率器件的高速开关过程引起的,这给电力电子器件带来了严重的电磁干扰,已成为电力电子技术进步的一...
李娟
关键词:电力电子装置电磁兼容抗扰度
射频磁控溅射工艺参数对SiC薄膜发光性能的影响被引量:2
2006年
采用射频磁控溅射和后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了SiC薄膜。采用红外吸收谱仪(FTIR)和X射线光电子谱仪(XPS)分析了薄膜的结构。采用分光光度计测量了SiC薄膜的发光性能。发现衬底加负偏压、适当增大溅射功率、降低工作气压均可以抑制SiO2和无定形碳的出现,有利于β-SiC的形成,同时增加SiC薄膜光致发光(PL)强度。
刘技文李娟许京军
关键词:SIC薄膜磁控溅射工艺参数光致发光
有机/聚合物电致发光器件制备及稳定性研究
华玉林冯秀岚印寿根杨晓晖王万录王常胜李娟吴晓明
以MEH-PPV等聚合物为发光材料以PDPyDP等氧化二唑类材料为电子传输层的双层结构有机薄膜电致发光器件,可用作全固体平板化显示器。具有低压直流驱动、响应速度快、视角大等优势。可望在移动电话、掌上电脑、仪表显示及微机终...
关键词:
关键词:电致发光器件
SiC纳米晶薄膜的制备及发光性质研究被引量:13
2005年
用射频磁控溅射及后退火(800 ℃、1 000 ℃和1 200 ℃)方法,在Si(111)衬底上制备出了 SiC纳米晶(nc SiC)薄膜。傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)形貌像等研究表明,制备出的nc SiC薄膜具有立方结构;样品经 800 ℃、1 000 ℃退火后,表面的纳米晶粒分别为10 nm和20 nm左右;而1 200 ℃退火后,样品晶化完全。光致发光(PL)研究表明,nc SiC薄膜室温条件下发射蓝光,发光峰峰位随退火温度的降低发生蓝移且发光峰强度变大;1 000 ℃退火后样品的发光峰在478 nm,800 ℃退火后发光峰在477 nm,800 ℃退火比1 000 ℃退火的样品发光强度高4倍。
刘技文李娟赵燕平李延辉李昌龄许京军
关键词:SIC射频磁控溅射退火纳米晶薄膜光致发光PL
SiC纳米线的制备研究现状与展望
2005年
综述了近年来围绕SiC纳米线制备所做的一些工作。介绍了基于VLS、SLS、氧辅助生长机制和利用模板等制备SiC纳米线的一些方法,并就纳米线的性能和应用研究给出了今后SiC纳米线可控制生长应开展的研究工作,对SiC纳米线的制备研究工作进行了展望。
李昌龄刘技文赵燕平李延辉李娟
关键词:SIC纳米线
SiC纳米晶薄膜的制备及发光性质
本文对SiC材料的历史发展进行了回顾,并对SiC的基本特性、制备方法、表征方法、应用前景及面临的问题等进行了详细的综述。 详细阐述了溅射原理及其成膜方法,并具体介绍了溅射法在SiC薄膜制备中的应用...
李娟
关键词:多孔薄膜磁控溅射光致发光时间分辨谱
文献传递网络资源链接
一维纳米SiC材料制备及场致电子发射性质研究
刘技文安玉凯马永昌李娟李延辉李昌龄
采用磁控溅射法在碳纳米管表面沉积Si原子后退火的模板技术成功制备了SiC纳米线,发展了一种碳纳米管模板法制备SiC纳米线的方法。初步实现了通过控制催化剂厚度、预处理时间、温度等参数对碳纳米管的可控生长,由此达到对SiC纳...
关键词:
基于发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几条途径被引量:2
2005年
掺铒硅基发光材料可以用于制备光通信用光源、光纤放大器,更重要的是可能成为实现硅基光电子集成技术的重要途径,已成为研究的热点之一.文章讨论了掺铒硅及掺铒硅基材料的发光机理,指出了制约实用化方面存在的问题.从不同方面着重探讨了共掺氧对提高掺铒硅发光效率的作用.最后介绍了基于掺铒硅发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几种途径、目前存在的主要问题及研究进展.
李延辉刘技文赵燕平李昌龄李娟
关键词:发光效率硅基材料发光机理硅基发光材料掺铒硅实用化
溅射技术在制备SiC薄膜中的应用被引量:6
2004年
近20年以来,薄膜科学得到迅速发展,不仅得益于薄膜材料可能具有力、热、光、电、磁、仿生或化学等各种特性,可以使器件小型化,而且也得益于各种薄膜制备手段的进步.其中,溅射技术已成为几种重要的制备薄膜的手段之一.广泛应用于制备超硬涂层、耐磨涂层、耐腐蚀涂层以及具有电学、光学、半导体等性质的薄膜,SiC薄膜就是其中很有发展前景的一种.本文将介绍溅射原理、薄膜制备技术,着重介绍溅射法在制备SiC薄膜中的应用和前景展望.
李娟刘技文王玉红孙永昌
关键词:SIC薄膜半导体薄膜射频溅射反应溅射
热处理方法对有机薄膜电致发光器件性能影响的研究
有机薄膜电致发光(OLED)是平板显示家族中的一员,它以强大的优势而成为众多平板显示技术中非常有希望的一名竞争者.但目前还存在着效率、寿命较低,距实用化有一定差距等尚待解决的问题,该文较全面分析了影响有机电致发光器件发光...
李娟
关键词:电致发光
文献传递
共2页<12>
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