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陈文锁

作品数：57 被引量：21H指数：4
供职机构：重庆大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金重庆市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 3篇科技成果
  • 2篇学位论文

领域

  • 22篇电子电信
  • 8篇理学
  • 3篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 25篇导电类型
  • 22篇晶体管
  • 15篇双极型
  • 15篇双极型晶体管
  • 15篇肖特基
  • 13篇阳极
  • 13篇势垒
  • 13篇绝缘栅
  • 12篇整流
  • 12篇整流器
  • 12篇重掺杂
  • 12篇绝缘栅双极型...
  • 8篇肖特基接触
  • 8篇极区
  • 7篇导通
  • 7篇重整化
  • 7篇关断
  • 7篇半导体
  • 6篇栅极
  • 5篇电路

机构

  • 48篇重庆大学
  • 9篇重庆平伟实业...
  • 8篇电子科技大学
  • 6篇重庆平伟伏特...
  • 1篇解放军电子工...
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇重庆通信学院
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇重庆中科渝芯...

作者

  • 55篇陈文锁
  • 17篇廖瑞金
  • 8篇李剑
  • 7篇方祯云
  • 5篇张波
  • 5篇蒋再富
  • 4篇李晓玲
  • 4篇方健
  • 4篇李辉
  • 4篇曾正
  • 4篇邵伟华
  • 4篇蒲贤洁
  • 3篇蒋敏
  • 3篇乔明
  • 3篇李肇基
  • 2篇关旭
  • 2篇陈学文
  • 2篇高飞
  • 2篇汪先友
  • 2篇朱坤峰

传媒

  • 4篇重庆大学学报...
  • 3篇原子与分子物...
  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 1篇2025
  • 16篇2024
  • 2篇2023
  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高可靠性肖特基接触超级势垒整流器
本发明公开了一种高可靠性肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型注入结构、肖特基接触超级势垒整流器元包序列和上电极层。所述高可靠性肖特基接触超级势垒整流器...
陈文锁廖瑞金
精确计算电子重整化链图传播下的Compton散射微分截面被引量：5
2008年
采用电子与光子电磁相互作用最小耦合模型,对电子重整化链图传播下Compton散射微分截面作了严格解析计算,获得精确理论结果;并将该计算结果与电子树图和重整化单圈图传播下Compton散射微分截面作对比分析,获得了有关辐射修正的重要信息.此研究结果对精确描述Compton散射现象以及对电磁相互作用所呈现的复杂内部过程的深入探讨,都将从一个重要研究侧面给出理论计算研究方面某些可供借鉴与参考之处.
汪先友陈文锁方祯云彭庆军王凯俊
关键词：COMPTON散射微分散射截面
一种逆导型绝缘栅双极晶体管
本申请提供一种逆导型绝缘栅双极晶体管，该绝缘栅双极晶体管通过重掺杂第一导电类型逆导区域、重掺杂第二导电类型集电极区域和轻掺杂第二导电类型底部区域形成集电极侧注入结构，当绝缘栅双极晶体管逆向导通时，从发射极注入的空穴不仅直...
陈文锁俞齐声徐向涛张成方王航张力
一种包含异质结二极管的肖特基源极功率金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明公开一种包含异质结二极管的肖特基源极功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括漏极金属层(1)、重掺杂第一导电类型衬底层(2)、轻掺杂第一导电类型漂移区(3)、第一导电类型传导区域(4)、逆行掺杂第二导电类型体区域(5...
朱坤峰陈文锁 俞齐声 黄嘉伟文李剑
强γ背景下中子针孔成像的点扩展函数被引量：1
2008年
利用基于Geant4建立起来的针孔成像模型获得了不同偏移量下γ与中子的好事例、能量沉积的比值，并模拟分析了强γ背景对中子针孔成像点扩展函数的影响。研究结果表明：在偏移量小于1cm时，γ与中子的好事例之比、γ与中子的能量沉积峰值之比以及γ与中子的能量沉积总和之比分别在0.40～0.42，0.63～0.65以及0.46～0.49之间；偏移量大于1cm时，比值下降明显，γ对中子的影响减小。在同一偏移量下，γ射线的点扩展函数的分布范围要比中子的小，两者叠加后所获得的点扩展函数的分布范围介于两者之间。在一定入射偏移范围内的成像质量优于在针孔中心位置入射时的成像质量。
蒋敏方祯云胡炳全马庆力陈文锁唐世彪
关键词：点扩展函数GEANT4
一种OCL-LDO电路
本发明公开一种OCL‑LDO电路，包括带隙基准单元、超级源随器、偏置电路、功率晶体管M<Sub>P</Sub>、误差放大器、翻转电压跟随器、频率补偿单元和高通网络；本发明引入了一种独特的无输出电容低压差(OCL‑LDO)...
陈文锁舒航彭海清朱坤峰李剑
一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管
本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括阳极接触区(1)、重掺杂第二导电类型阳极区(2)、第一导电类型阳极缓冲区(3)、第一导电类型漂移区(4)、第二导电类型阴极阱区(5)、重掺杂第一导电...
陈文锁简鹏王玉莹张澳航李剑廖瑞金
一种高效整流器及其制造方法
本发明公开了一种高效整流器及其制造方法，高效整流器包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、第一导电类型漂移层、沟槽栅介质区、沟槽栅填充区、肖特基势垒接触区、隔离介质区和上电极层。制造方法步骤为：1)准备重掺杂第一导电类型...
陈文锁徐向涛张成方廖瑞金
文献传递
一种包含肖特基二极管的肖特基接触超势垒整流器
本发明公开一种包含肖特基二极管的肖特基接触超势垒整流器，包括阳极金属层(1)、重掺杂第二导电类型多晶硅层(2)、栅氧化层(3)、重掺杂第二导电类型阳极区域(4)、轻掺杂第一导电类型漂移区(5)、重掺杂第一导电类型衬底层(...
陈文锁张澳航
一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
本申请提供一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该半导体场效应晶体管通过辅助栅阳极氧化层、第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域、第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域共同构成辅助栅结构，辅助栅作为反向导通二极管，当器件...
陈文锁 俞齐声 徐向涛 张成方 王航 张力
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