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向导

作品数:8 被引量:6H指数:1
供职机构:重庆邮电大学更多>>
发文基金:重庆市科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇文化科学

主题

  • 5篇半导体
  • 3篇放电
  • 3篇半导体放电管
  • 2篇导体
  • 2篇电路
  • 2篇学分
  • 2篇阴极发射
  • 2篇原胞
  • 2篇数学
  • 2篇数学分析
  • 2篇通信
  • 2篇通信领域
  • 2篇雷击
  • 2篇防雷
  • 2篇防雷击
  • 2篇放电管
  • 2篇半导体物理
  • 2篇PN结
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声

机构

  • 7篇重庆邮电大学

作者

  • 7篇向导
  • 4篇唐政维
  • 3篇张盼盼
  • 2篇赵卫峰
  • 2篇李文富
  • 2篇蒋龙
  • 2篇谢欢
  • 2篇左娇
  • 2篇张志华
  • 2篇徐佳
  • 2篇罗嵘
  • 1篇刘盛锋
  • 1篇周召涛
  • 1篇周平
  • 1篇杨小优
  • 1篇席静

传媒

  • 2篇科技资讯
  • 1篇电子质量
  • 1篇重庆邮电大学...
  • 1篇科技创新导报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 5篇2012
8 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法
本发明公开一种分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法,涉及半导体技术领域,本发明将单元胞放电管的阴极发射区N1和N3的面积进行等分,分割成多个正方形的阴极发射区,将等分分割之后形成的正方形的阴极发射区在基区上横向和纵向展...
唐政维左娇谢欢蒋龙向导张盼盼徐佳张志华罗嵘赵卫峰李文富
文献传递
PN结在大注入条件下的数学分析
2012年
本文结合半导体物理中的复合理论的知识对发生大注入条件下的PN结的电流公式进行数学推导。在学习理工科课程的过程中若只接触到语言性描述是很不足够的,有必要通过对数学描述的逻辑理解而达到一个认知的高度。由于大部分教材对于PN结大注入的数学描述往往是一笔带过的,许多学生不免对PN结大注入条件下的电流公式的得出颇感困惑。针对这一问题,本文详细介绍了PN结大注入条件下的电流公式的得出过程,旨在帮助初学者理解PN结大注入这一物理现象。
向导
关键词:PN结半导体物理
PIN光电探测器低噪声前置放大电路设计被引量:5
2012年
该文设计了一款PIN光电探测器的低噪声前置放大电路,选用低噪声器件,设计带通滤波电路,实现阻抗匹配,消除噪声。该电路由+15V和±5V三电源驱动,照射激光波长λ=850nm,光脉冲频率f=10kHz,光脉冲宽度τ=20ns。通过软件仿真及实物测试,达到响应度Re(V/W)≥2×105,上升时间Tr(ns)≤13,暗噪声电压峰峰值VN(mV)≤10,闭环增益A(dB)≥60等指标,表明该文方法可以为低噪声前置放大电路设计提供指导。
杨小优唐政维周平席静向导
关键词:光电探测器低噪声响应度上升时间
一种高压大电流半导体放电管的研究被引量:1
2013年
针对常规半导体放电管在超大浪涌电流作用下,易局部过热而损坏这一问题,采用镓闭管扩散代替硼扩散、台面工艺解决二氧化硅不能掩蔽镓扩散所带来的问题、玻璃钝化工艺实现高压结面保护等方法。实验结果表明,通过镓扩散、台面刻槽、玻璃钝化和钛镍银多层金属化等工艺,提高了放电管的启动保护电压和最大浪涌电流,其最大浪涌电流达到6 kA,比设计值5 kA提高了20%。
唐政维向导张盼盼
关键词:高压大电流半导体放电管玻璃钝化
基于Cadence仿真设计的两级跨导放大器电路
2012年
本文用Cadence软件仿真设计了CMOS两级跨导放大器电路,旨在为初学者介绍仿真思想。电路在设计与仿真时会出现的诸多问题,例如沟道宽长比与过驱动电压的确定、体效应的影响、频率特性的改善。针对以上问题,本文介绍一种简明实用的仿真思想。为了方便初学者学习使用Cadence,还给出了具体操作步骤。
向导刘盛锋周召涛
关键词:CADENCECMOS跨导放大器
PN结在大注入条件下的数学分析
2012年
本文结合半导体物理中的复合理论的知识对发生大注入条件下的PN结的电流公式进行数学推导。在学习理工科课程的过程中若只接触到语言性描述是很不足够的,有必要通过对数学描述的逻辑理解而达到一个认知的高度。由于大部分教材对于PN结大注入的数学描述往往是一笔带过的,许多学生不免对PN结大注入条件下的电流公式的得出颇感困惑。针对这一问题,本文详细介绍了PN结大注入条件下的电流公式的得出过程,旨在帮助初学者理解PN结大注入这一物理现象。
向导
关键词:PN结半导体物理
分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法
本发明公开一种分布式多原胞集成半导体放电管及制造方法,涉及半导体技术领域,本发明将单元胞放电管的阴极发射区N1和N3的面积进行等分,分割成多个正方形的阴极发射区,将等分分割之后形成的正方形的阴极发射区在基区上横向和纵向展...
唐政维左娇谢欢蒋龙向导张盼盼徐佳张志华罗嵘赵卫峰李文富
共1页<1>
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