王一丁
- 作品数:189 被引量:773H指数:17
- 供职机构:吉林大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域:电子电信机械工程理学自动化与计算机技术更多>>
- 基于虚拟锁相放大器的中红外CO检测系统被引量:7
- 2014年
- 利用PC机和LabVIEW平台较强的数据处理能力,设计并实现了一种基于虚拟锁相放大器的中红外CO检测系统。系统采用双通道热释电探测器检测气体浓度,利用USB数据采集卡采集探测器的传感信号,利用LabVIEW平台的乘法器、滤波器及直流幅值提取模块构建的虚拟锁相放大器提取传感信号幅度。为了表征虚拟锁相放大器的性能,利用幅度可调的标准正弦信号作为待测信号,对虚拟锁相放大器输出信号的幅度与标准正弦信号的幅度做实验测量与对比,二者呈现出良好的线性关系,线性拟合优度约为99.978%。对配备的20种CO气体样品开展气体标定实验,并测量了本文系统的精度、稳定性和检测下限等指标。实验结果显示,系统的检测下限约为50×10-6,对20种气体样品的检测误差均小于4.2%,对浓度为3 500×10-6气体样品3h测量结果的最大波动范围为±6%。由于LabVIEW资源丰富且功能可任意扩展,因此在实验室环境中的气体检测,本文系统相比采用嵌入式微处理器的系统更具有优势。
- 宋楠隋越董明李国林郑传涛王一丁
- 关键词:USB数据采集卡LABVIEW
- Ⅱ型超晶格InAs/GaInSb红外探测材料被引量:1
- 2008年
- 综述了近年来对InAs/GaInSb Ⅱ型超晶格材料的研究结果,给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。InAs/GaInSb Ⅱ型超晶格材料对应的工作波长范围在3—25μm,有望在LWIR和VLWIR方面替代HgCdTe。
- 殷景志高福斌马艳纪永成赵强王一丁汤艳娜索辉杜国同
- 关键词:红外探测器
- 一种基于谷光子晶体波导边界态的气体传感装置及气体检测方法
- 本发明提供一种基于谷光子晶体波导边界态的气体传感装置及气体检测方法,属于红外分析物检测技术领域。针对目前常规光子晶体波导存在的损耗大、器件难以拐弯及性能易受工艺误差影响的问题,本发明的传感装置包括谷光子晶体波导传感模块、...
- 皮明权郑传涛田卫建彭子航宋芳杨悦王一丁
- 一种基于表面增强红外吸收光谱的狭缝光波导传感器及制备和检测方法
- 本发明提供一种基于表面增强红外吸收光谱的狭缝光波导传感器,涉及红外分析物检测领域。包括输入锥形耦合波导、输入矩形波导、内嵌金属天线的传感波导、输出矩形波导、输出锥形耦合波导;沿截面方向上,内嵌金属天线的传感波导包括衬底、...
- 郑传涛皮明权赵焕郑凯元王一丁
- 文献传递
- GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究被引量:4
- 2005年
- 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.
- 李晓婷王一丁汪韬殷景致王警卫赛小锋高鸿楷张志勇
- 关键词:LP-MOCVDGASBINASSB生长温度
- 近红外光谱仪中调制器的误差分析被引量:8
- 2004年
- 调制器的误差会引起调制波频率和形状的变化 ,从而影响近红外光谱仪器检测信号的强度。就此分析了调制器各种常见的源误差 (如调制盘偏心误差、调制盘的轴心偏离狭缝中心的误差、直流电动机的轴向晃动误差、直流电动机的稳定性误差、调制盘齿形误差等 )对调制波的影响 。
- 王智宏林君王一丁占细雄
- 关键词:调制器调制波变频直流电动机误差分析
- 一种铜铁矿型铜铝氧红外透明导电膜的制备方法
- 本发明涉及一种纳米级红外透明导电膜的制备方法,特别是用于红外窗口的既透明又导电的红外透明导电薄膜的制备方法。本发明选用蓝宝石或硅(111)做为薄膜生长的衬底材料;制备薄膜主要采用高真空磁控溅射工艺;提出共靶溅射的方法,靶...
- 王一丁曹峰陈君景董成军曹佳佳付强揣雅惠陈晨
- 文献传递
- ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点发光光谱特性的研究被引量:3
- 2014年
- ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是一种无毒,无重金属的'绿色'半导体纳米材料。在研究中,制备了三种尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS核壳量子点,其直径分别为3.3,2.7,2.3nm。通过测量不同尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的光致发光光谱,其发射峰值波长随尺寸的减小而蓝移。其吸收峰值波长和发射峰值波长分别是510,611(3.3nm),483,583(2.7nm)以及447,545nm(2.3nm)。ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点具有显著的尺寸依赖效应。ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的斯托克斯位移分别为398meV(3.3nm),436meV(2.7nm)以及498meV(2.3nm),这样大的斯托克斯位移证明,ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的发光机制与缺陷能级有关。同时,对直径为3.3nm的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点进行了温度依赖的光致发光光谱的测量,当温度为15~90℃时,该量子点发射峰值波长随温度的升高而红移,发光强度随温度的升高而降低,说明ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是以导带能级与缺陷能级之间跃迁为主的复合发光。
- 林以军刘文闫张宇毕克张铁强冯毅王一丁
- 关键词:ZNSEZNS量子点温度依赖光致发光光谱
- InAs/GaSbⅡ型超晶格红外探测器的发展被引量:1
- 2007年
- InAs/GaSbⅡ型超晶格具有特殊的能带结构,做成的探测器工作波长可覆盖3~30 μm,文中阐明了Ⅱ型超晶格探测器的工作机理,并综述了目前国外利用InAs/GaSbⅡ型超晶格能带结构的特殊性广泛开展对其材料和器件研究的新进展.
- 殷景志高福斌汤艳娜张天舒刘驰王一丁杜国同
- 关键词:INAS/GASB红外探测器
- 基于碳量子点和ZnCuInS量子点的三原色匹配白光LED及其制备方法
- 本发明公开了一种基于碳量子点和ZnCuInS量子点的三原色匹配白光LED及其制备方法。选取紫外光芯片作为激发光源,制备胶体碳量子点、一种红色发光的胶体ZnCuInS量子点、一种绿色发光的胶体ZnCuInS量子点混合荧光粉...
- 张宇王鹤林孙春于伟泳张晓宇王一丁刘文闫张铁强王国光
- 文献传递