李显
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：西安理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学更多>>
- 磁场非平衡度对Cr镀层晶体生长过程的影响被引量：3
- 2009年
- 采用扫描电子显微镜、表面粗糙度测试仪及X射线衍射仪分析了直流、单靶磁控溅射条件下磁控管非平衡度对Cr镀层生长过程的影响。结果表明:磁控管非平衡度的改变显著影响着整个沉积过程中镀层的表面形貌、表面粗糙度以及镀层晶体结构。镀层沉积各时间段内均由不同的影响因素主导其生长过程,斜向沉积和自遮蔽效应是柱状晶斜向生长的主要原因。同一沉积时间下,镀层粗糙度随磁控管非衡度的增大而增大。随着沉积速率的增大,镀层晶体经历了由随机生长向择优生长的转变过程且镀层晶体发生了由密排面Cr(110)向次密排面Cr(200)择优生长的转变。
- 文晓斌李显梁戈蒋百灵
- 关键词：表面形貌粗糙度晶体结构
- 磁控管非平衡度及偏压对 Cr膜生长和组织性能的影响研究
- 本文采用直流磁控溅射离子镀设备于单靶溅射条件下在单晶Si基底上制备了Cr镀层。采用SEM、表面轮廓测试仪及XRD观察了不同磁控管非平衡度状态下Cr镀层生长过程中形貌演化过程;采用四点探针法、纳米压入测试仪和表面轮廓测试仪...
- 李显
- 文献传递
- 非平衡度和闭合状态对磁控溅射离子镀过程的影响被引量：4
- 2009年
- 利用非平衡磁控溅射离子镀技术于不同磁控管非平衡度和磁场闭合状态下在单晶硅基体上制备出Cr镀层,采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪分析了不同生长阶段Cr镀层的微观形貌、表面粗糙度和晶体择优生长趋势的变化。结果表明:磁控管非平衡和磁场闭合状态的改变显著影响着Cr镀层生长过程中的结晶取向、表面粗糙度和致密度。不同非平衡度下,Cr镀层组织为疏松的柱状晶体组织,镀层表面粗糙度随磁控管非衡度的增大而增大。随着磁场闭合程度的增加,Cr镀层组织由疏松的柱状晶体组织,向较致密的柱状晶体再向致密的无明显柱状晶体的组织转化,镀层晶体有沿低能量(110)晶面生长向高能量(200)晶面过渡择优生长的趋势。
- 蒋百灵文晓斌栾亚丁小柯李显
- 关键词：磁控溅射离子镀粗糙度
- 磁场非平衡状态对磁控管放电特性及Cr膜微观结构的影响
- 2010年
- 通过采用不同磁场强度的磁铁获得了3种不同非平衡态的磁控管,采用单靶溅射模式于单晶硅衬底上制备了Cr膜。研究了不同磁场非平衡状态下磁控管的伏安特性,并对不同非平衡状态下溅射空间的磁场分布进行了模拟;采用扫描电镜和X射线衍射仪分别对所沉积Cr膜的微观组织和晶体结构进行了观察和分析。结果表明:随着磁场非平衡度的降低,靶表面磁场趋于内敛,磁场对等离子体的约束能力n值由6.05增至20.24。不同磁场非平衡状态下获得的Cr膜均为沿Cr(110)面择优生长的柱状晶结构,磁场非平衡度的增大有利于镀层颗粒的细化及表面质量的改善,但致密性变化趋势相反。
- 文晓斌李显蒋百灵
- 关键词：磁控溅射伏安特性
- 磁控管非平衡状态对Cr膜微观形貌及性能的影响
- 2010年
- 采用直流磁控溅射方法于不同磁控管非平衡度状态下,通过单靶溅射模式在单晶Si衬底上制备了Cr膜。利用AFM、SEM、四探针测试仪及MTS Nano Indenter XP纳米压入测量仪分别对两种磁控管非平衡状态下所得Cr膜的微观形貌、电阻率、纳米硬度和抗磨损性进行了观察和分析,研究了不同磁控管非平衡状态下Cr膜微观结构与性能之间的关系。结果表明:磁控管非平衡状态显著影响着Cr膜的微观结构及性能。不同非平衡度状态下,镀层晶体均为沿Cr(110)择优生长的柱状晶组织。同一靶基距处,镀层晶粒尺寸及硬度与非平衡度大小成正比,而电阻率及抗磨损性能变化趋势却相反。靶基距亦为影响镀层微观结构和性能的重要因素之一。
- 文晓斌李显梁戈蒋百灵
- 关键词：微观形貌
