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一种基于酞菁铜-掺杂硅异质结的近红外光敏二极管: 本实用新型公开了一种基于酞菁铜-掺杂硅异质结的近红外光敏二极管。由于结合了酞菁铜光敏层的高光吸收系数和掺杂硅的高载流子迁移率，本实用新型具有光电流大、光响应度高和稳定性好的优点。依据上述技术思路发明的近红外光敏二极管由掺...; 彭应全郑挺才刘金凤李尧周茂清; 文献传递

一种以酞菁钕为光敏层的平面异质结光敏有机场效应管: 光敏有机场效应管中平面异质结通常由p-型(n-型)光敏层和n-型(p-型)有机沟道层组成。本实用新型公开了一种以酞菁钕为光敏层的平面异质结光敏有机场效应管的设计与制备方法。依据本实用新型的平面异质结光敏有机场效应管包括衬...; 彭应全汤瑜李尧; 文献传递

小分子近红外光敏有机场效应管研究: 近红外光探测器在光纤通信、生物医疗及成像等领域有着重要的应用，它能将近红外光信号转化为电信号。凭借有机半导体材料良好的光吸收、柔性、易加工等优点，有机近红外光探测器得到了迅速的发展。对有机近红外光探测器的研究主要集中在有...; 李尧

Rubrene/TPD表面及其界面的AFM和XPS研究: 2010年; 在indium-tin-oxide(ITO)玻璃上采用多源蒸发的方法制备了红荧烯(Rubrene)/TPD样品。由原子力显微镜(AFM)得到的表面形貌图显示Rubrene膜具有良好的均匀性。利用X射线光电子能谱仪(XPS)研究了两种材料表面和界面的电子态。由Rubrene/TPD的表面分析可知,C1s精细谱中有3个峰最强的峰是由氧化造成的,而不是对应于芳香碳(284.55eV)。空气中的O2和H2O扩散到样品里形成O1s峰。用氩离子束溅射剥蚀表面,随着时间的增长,芳香碳对应的峰越来越强,282.45和289.62eV处的峰则迅速消失,当溅射时间超过4920s时,在2847eV处引入了一个新的峰,对应于C—N键。O1s峰迅速减弱是因为氧沾污的去除。N1s谱中的N—C键缓慢增强,到达界面附近时峰的强度变得稳定。C1sN1s和O1s谱中都有峰发生化学位移。; 冷重钱李海蓉李尧高鹏杰; 关键词：AFM XPS 化学位移

基于并五苯/酞菁铅异质结的近红外光敏有机场效应管(英文)被引量：2: 2014年; 采用并五苯(Pentacene)和酞菁铅(PbPc)两种有机材料作为有源层,制备了异质结有机光敏场效应管。在波长为808 nm、强度为124 mW/cm2的近红外光照条件下,异质结phOFET获得最大的光暗电流比达4.4×104,栅压为-50 V时的最大光响应度为118 mA/W,比单层酞菁铅phOFET分别高出766倍和785倍。在经过120 h后,器件的最大光暗电流比和最大光响应度分别稳定于5.4×104和326 mA/W附近。由于在异质结phOFET中采用了对近红外光具有高吸收效率的酞菁铅作为光敏层,而高空穴迁移率的并五苯材料作为靠近栅介质的沟道层,光生载流子的产生与传输能力得到了有效的提高。实验结果表明,基于并五苯/酞菁铅的有机异质结应用于光敏有机场效应管的结构设计中,可以使phOFET成为一种同时具有良好光敏性及稳定性的近红外光探测器件。; 周茂清李尧姚博吕文理彭应全; 关键词：异质结并五苯近红外

有机场效应晶体管的非线性注入模型: 2017年; 有机场效应晶体管(Organic field effect transistor,OFET)的非线性特性是指其输出特性曲线在较低的漏极电压下出现类似于二极管的电压电流特性曲线,这种现象在有机场效应晶体管的实验研究中极为常见。Simonetti等通过引入随栅极电压变化的迁移率提出了模型并成功解释了这一现象,但实验中从器件转移特性得出的迁移率通常与栅极电压无关。本文通过引入常数迁移率对该模型进行改进,运用改进的模型研究了影响OFET非线性特性的主要因素,并对如何更加准确地获得器件参数进行了探究。; 何兰范国莹李尧吕文理韦一彭应全; 关键词：有机场效应晶体管阈值电压场效应迁移率

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李尧