朱丽娜
- 作品数：16 被引量：29H指数：3
- 供职机构：上海市计量测试技术研究院更多>>
- 发文基金：上海市科委纳米专项基金上海市技术性贸易措施应对专项国家质检总局科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信一般工业技术更多>>
- 一种金纳米颗粒修饰氧化锌的制备方法
- 本发明涉及一种用于在环境保护中处理污水的金纳米颗粒修饰氧化锌的制备方法。它包括如下步骤：a、将锌盐溶液与六次甲基四胺溶液均匀搅拌，锌盐溶液与六次甲基四胺溶液物质的量的比例为1∶1～4；b、在锌盐溶液与六次甲基四胺溶液组成...
- 徐建吴立敏辛立辉朱丽娜陈永康何慈晖
- 文献传递
- 一种电阻法粒度分析仪固体颗粒粒径校准系数K<Sub>d</Sub>的测量方法
- 本发明涉及计量测试技术领域，尤其是涉及一种电阻法粒度分析仪固体颗粒粒径校准系数K<Sub>d</Sub>的测量方法。一种电阻法粒度分析仪固体颗粒粒径校准系数K<Sub>d</Sub>的测量方法，其特征是它包括如下步骤：a...
- 吴立敏何慈晖徐建辛立辉朱丽娜
- 文献传递
- 一种用于电阻法粒度分析中固体颗粒计数有效性的测量方法
- 本发明涉及计量测试技术领域，尤其是涉及一种用于电阻法粒度分析中固体颗粒计数有效性的测量方法。一种用于电阻法粒度分析中固体颗粒计数有效性的测量方法，其特征是它包括如下步骤：a、浸润密度ρ的测量；b、样品制备；c、粒度分析；...
- 吴立敏何慈晖徐建辛立辉朱丽娜
- 文献传递
- 表面羟基对Pd/ZnO复合材料光催化性能的影响被引量：3
- 2010年
- 利用一锅水热法成功地制备了具有不同钯摩尔分数的Pd/ZnO复合物,采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、能量色散能谱(EDX)及X射线光电子能谱(XPS)等手段对产物进行了表征。结果表明,所得产物为部分钯颗粒负载在氧化锌的表面,剩余的钯则掺杂到了氧化锌的晶格中。XPS测试表明不同钯摩尔分数修饰的Pd/ZnO复合物中表面羟基发生变化,结合Pd/ZnO复合物光催化性能认为,在反应体系中加入适量的氯化钯溶液,可增加氧化锌表面羟基的含量,也能促进光生电子-空穴的分离,从而提高了Pd/ZnO复合物光降解效率。
- 徐建朱丽娜吴立敏辛立辉王虎
- 关键词：表面羟基光催化性能复合材料
- 半导体放电管和扩展电阻技术在放电管开发中的应用
- 2003年
- 半导体放电管是新一代抗电浪涌保护器件。本文概略地叙述了放电管的结构、特性和主要的电参数。分析了这些电参数与硅片的物理参数以及扩散的结深和掺杂浓度分布的关系。同时介绍了扩展电阻探针在半导体放电管的开发、制管工艺的监控和失效分析中的应用。
- 吴晓虹朱丽娜闵靖
- 关键词：半导体放电管扩展电阻浪涌保护器件电参数电阻率
- 一种金纳米颗粒修饰氧化锌的制备方法
- 本发明涉及一种用于在环境保护中处理污水的金纳米颗粒修饰氧化锌的制备方法。它包括如下步骤：a、将锌盐溶液与六次甲基四胺溶液均匀搅拌，锌盐溶液与六次甲基四胺溶液物质的量的比例为1∶1～4；b、在锌盐溶液与六次甲基四胺溶液组成...
- 徐建吴立敏辛立辉朱丽娜陈永康何慈晖
- 文献传递
- 一种制备标准氧化钽薄膜的方法
- 本发明涉及计量测试量值传递技术领域，尤其是涉及一种在金属钽片上制备纳米厚度标准氧化钽薄膜的方法。一种制备标准氧化钽薄膜的方法，它包括如下步骤：a、对金属钽片进行表面处理，b、将金属钽片作为阳极、贵金属丝作为阴极，在阳极、...
- 徐建陆敏朱丽娜吴立敏陈永康
- 文献传递
- 研制国产硅晶体间隙氧含量标准物质
- 朱丽娜周全德宗龙章
- 该项目主要研制的是用于傅立叶红外光谱仪测试的硅晶体间隙氧含量标准物质。该项目研制的氧含量标准物质，是按照美国NIST氧含量标准制备要求和标准测试方法ASTM F1188-93a，结合我国国家测试标准国标标准GB1557-...
- 关键词：
- 关键词：硅晶体标准物质
- 苯氧乙醇标准物质的纯度分析方法及不确定度评定被引量：4
- 2017年
- 采用质谱(MS)和核磁共振谱(NMR)对原料苯氧乙醇进行定性分析,优化并建立了液相色谱法及气相色谱法测定苯氧乙醇,纯度为99.3%。以甲醇为基体溶液,采用重量-容量法制备苯氧乙醇标准物质。以液相色谱(紫外法、示差法)两种方法进行定值,并做了均匀性检验和稳定性跟踪。建立不确定度评定方法,标准物质特性值为99.3(±1.1)μg/mL(k=2)。苯氧乙醇标准物质具有溯源性和准确性,对于化妆品中防腐剂苯氧乙醇含量的准确测定及监控具有重要意义。
- 顾玲玲田玉平吴建军朱丽娜刘悦
- 关键词：标准物质均匀性稳定性不确定度
- 硅外延片中的杂质控制被引量：13
- 2003年
- 有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度,决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂质在外延层中对器件有害,防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度。
- 朱丽娜闵靖
- 关键词：自掺杂
