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曾莉

作品数:9 被引量:8H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇电路
  • 5篇集成电路
  • 2篇电路工艺
  • 2篇双极集成电路
  • 2篇离子注入
  • 2篇集成电路工艺
  • 2篇功率器件
  • 2篇
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇移相器
  • 1篇移相驱动器
  • 1篇双极工艺
  • 1篇铁氧体
  • 1篇曲率补偿
  • 1篇专用集成电路
  • 1篇转换器
  • 1篇模拟集成电路
  • 1篇刻蚀

机构

  • 7篇中国电子科技...
  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 9篇曾莉
  • 5篇税国华
  • 2篇刘玉奎
  • 2篇张正元
  • 1篇徐世六
  • 1篇徐学良
  • 1篇余佳
  • 1篇郭林
  • 1篇于奇
  • 1篇石红
  • 1篇徐岚
  • 1篇王志宽
  • 1篇何艳红
  • 1篇杨永晖
  • 1篇苏丽萍
  • 1篇张正元
  • 1篇蒲大勇
  • 1篇林乃喜
  • 1篇胡波
  • 1篇廖良

传媒

  • 6篇微电子学
  • 1篇纳米科技
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇全国第二届专...

年份

  • 3篇2007
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇1998
  • 1篇1992
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种铁氧体移相驱动器专用集成电路被引量:1
1998年
介绍了SA018铁氧体移相驱动器专用集成电路的工作原理、电路设计和实验结果。该电路的内部电路设计有双路激励驱动器、放大器、积分器和双路高速比较器等功能单元。将铁氧体移相器的激励驱动器和相位控制器融于一体,大大减少了铁氧体移相器的外围设计。
苏丽萍林乃喜蒲大勇曾莉
关键词:专用集成电路移相器铁氧体移相驱动器
高压功率器件硼基区工艺优化研究
随着功率双极集成电路在军民两用的各种电源管理、功率驱动等领域中应用日益广泛,集成电路工作电压逐步提高,原有工艺技术和工艺规范已不满足这类产品的要求。文章介绍了工作电压高于50V的功率器件硼基区工艺优化方案,给出了工艺结果...
曾莉王志宽李杰税国华
关键词:高压功率器件
功率器件硼基区注入工艺研究
2007年
随着功率双极集成电路在军民两用的各种电源管理、功率驱动等领域的广泛应用,以及集成电路生产规模的进一步扩大,对参数一致性、重复性、均匀性的要求越来越高;文章重点介绍功率器件硼基区注入工艺,对工艺原理和工艺方案进行了详细阐述;并给出了工艺结果以及在产品中的应用情况。
曾莉税国华李杰
关键词:功率器件离子注入集成电路工艺
一种8位高速硅D/A转换器的设计
2004年
 介绍了一种电流舵结构的单调乘法型8位高速硅D/A转换器。着重讨论了为实现高速而采用的全差分电流开关和电流分裂技术及3μm双极工艺。模拟测试结果证明了设计的正确性。
何艳红曾莉余佳于奇
关键词:D/A转换器双极工艺
SOI电路窄沟槽隔离技术研究
2005年
文章利用SOI材料片做衬底,开展了SOI电路窄沟槽隔离技术的研究,解决了窄槽刻蚀、多晶硅回填、平整化等技术难题,获得了优化的SOI电路窄沟槽隔离工艺技术条件;岛与岛之间的隔离击穿达到300V,为下一步研制生产SOI电路打下了坚实的基础。
张正元徐学良税国华曾莉刘玉奎
关键词:SOI
高压大功率器件小电流控制技术研究
2005年
随着高压大功率双极功率集成电路在各种电源管理、功率驱动等领域中的应用日益广泛,产品的可靠性设计和控制显得尤其重要。介绍了高压大功率器件小电流的控制研究,说明了小电流形成的原理,及其对产品可靠性的影响;对各类曲线进行了详细分析,阐明了小电流的测试和控制技术,以及小电流对高压大功率双极型集成电路可靠性的重要性。
曾莉税国华张正元杨永晖徐岚
关键词:双极集成电路SPC
一种实用的曲率补偿带隙基准电压源被引量:6
2007年
介绍了一种带隙基准电压源二阶曲率补偿技术及其在传统双极工艺中的实现。与传统带隙基准电压源相比,这种结构只需增加几个电阻,便可极大地改善温度特性。Hspice仿真结果表明,在-55~125℃范围内,温度系数可以减小到7ppm/℃这种结构可通过其他IC工艺实现,具有极高的实用价值。
胡波李骏廖良石红曾莉
关键词:曲率补偿带隙基准电压源模拟集成电路
自隔离三重扩散技术研究
郭林曾莉
关键词:双极集成电路扩散集成电路工艺离子注入
一种硅基谐振型压力传感器技术研究被引量:1
2005年
文章利用硅/硅键合、减薄抛光和IC工艺技术,开展硅基谐振型压力传感器技术研究,解决了三维体加工与IC工艺兼容的关键技术问题,成功地研制出一种硅基谐振型压力传感器样品,在常压下测试其Q值达到400,进一步参数测试还在进行中。
张正元徐世六税国华曾莉刘玉奎
共1页<1>
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