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曾洪江

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学技术大学工程科学学院精密机械与精密仪器系更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电器
  • 1篇电性能
  • 1篇亚胺
  • 1篇亚胺化
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇微放电
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀速率
  • 1篇放电
  • 1篇放电器
  • 1篇胺化

机构

  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 1篇褚家如
  • 1篇何利文
  • 1篇向伟玮
  • 1篇张秋萍
  • 1篇文莉
  • 1篇曾洪江

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
用于微放电器的聚酰亚胺绝缘层的工艺和性能研究
2011年
研究了一种应用于微放电器的聚酰亚胺绝缘材料的工艺及性能。分析了聚酰亚胺制备过程中亚胺化程度以及图形化过程中反应离子刻蚀功率、气体流量、气体成分、清洗等因素对于薄膜质量、刻蚀速率和残留物的影响,设计了用于测定聚酰亚胺介电常数和击穿强度的电路。实验表明,当聚酰亚胺热环化采用阶梯升温方式,反应离子刻蚀功率为60 W、O2流量为60 cm3/min(标准状态)、加入5%SF6或10%CHF3时,可保证较好的薄膜质量且获得较高的刻蚀速率。实验测得聚酰亚胺相对介电常数为2.8,介电击穿强度为125 V/μm,使用该聚酰亚胺作为绝缘层而制备的微放电器可在10 kPa SF6中稳定放电。
张秋萍文莉向伟玮曾洪江何利文褚家如
关键词:聚酰亚胺微放电亚胺化刻蚀速率介电性能
共1页<1>
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