张广宇
- 作品数：87 被引量：49H指数：4
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院战略性先导科技专项更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学一般工业技术更多>>
- 一种二维半导体材料晶体管及其制备方法
- 本发明提供了一种顶栅二维半导体材料晶体管、其制备方法及相应的CMOS工艺兼容的集成电路制备方法。所述结构的晶圆级顶栅晶体管可以实现优异的电学性能和极高的成品良率，且该结构的制备方法不涉及任何二维材料通常采用的干法或湿法转...
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- 金属硫属化物薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种金属硫属化物薄膜的制备方法，用于用硫族元素源和金属元素源以气相沉积的方式在基片上生长出金属硫属化物薄膜，包括：提供能够分别独立控温的三个温度区域；其中，所述硫族元素源、金属元素源、基片分别放置在所述三个温...
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- 文献传递
- 一种基于二维材料的微流通道的制备方法和微流控制器件
- 提供了一种基于二维材料的微流通道的制备方法及微流控制器器件。根据一实施例，该制备方法包括如下步骤：在衬底上生长二维材料薄膜，然后在二维材料薄膜上沉积保护层，最后通过磁控溅射继续沉积一定厚度的无机薄膜。当遇到水等激发源时，...
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- 文献传递
- 一种在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法
- 本发明提供了一种在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，属于纳米科技技术领域。其包括以下步骤：在氧化硅衬底上剥离单层或多层的二维材料；将剥离的二维材料在高温下退火去除表面吸附；将剥离的或者直接生长的二维材料放入原子层沉...
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- 文献传递
- 二维材料:从基础到应用被引量：8
- 2022年
- 信息社会的飞速发展对信息存储、加工、传输能力提出了与日俱增的迫切需求。随着“摩尔定律”逐渐逼近极限,半导体工业急需寻求新的解决方案。二维材料因为原子级厚度的尺寸特点,表面无悬挂键的结构优势加上极大比表面积导致的对电、光等调控手段的敏感性被认为是“后摩尔定律”时代半导体工业新的突破口。松山湖材料实验室引进一批国内外顶级科学家,组建二维材料团队,以基础科研为根基,以工程应用为导向,重点攻关其中关键问题。其目标在于取得有世界级重大影响力的科研成果,布局我国二维材料产业。
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- 关键词：电子器件自旋电子学光电能源
- 用于制备二维材料范德华异质结的真空转移设备
- 本发明涉及用于制备二维材料范德华异质结的真空转移设备。根据一示例性实施例，一种真空转移设备可包括：真空腔；二维样品驱动模块，安装在所述真空腔上并且包括延伸到所述真空腔内的二维驱动杆，所述二维驱动杆的延伸到所述真空腔内的末...
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- 文献传递
- 石墨烯/六方氮化硼的高度晶向匹配堆叠结构及其制备方法
- 本发明提供了一种石墨烯/六方氮化硼的高度晶向匹配堆叠结构及其制备方法。该方法包括：形成石墨烯/六方氮化硼的初步堆叠结构；对初步堆叠结构进行热处理，以得到石墨烯/六方氮化硼的高度晶向匹配堆叠结构。基于热处理时石墨烯会在六方...
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- 一种异质外延生长石墨烯的方法
- 本发明提供一种异质外延生长石墨烯的方法，利用等离子体增强化学气相沉积法在单晶衬底上外延生长石墨烯，其中该单晶衬底的晶格与石墨烯的晶格相匹配。该异质外延生长石墨烯的方法可在低温下生长，不必采用催化剂，可形成晶格质量完美的外...
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- 文献传递
- 晶圆级单层二硫化钼膜及其制备方法
- 本发明涉及晶圆级单层二硫化钼膜及其制备方法。一种通过化学气相沉积来制备单层MoS<Sub>2</Sub>膜的方法包括：通过第一通道将第一载气引导至衬底，所述第一通道中设置有固态S前体；通过第二通道将第二载气引导至所述衬底...
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- 石墨烯莫尔超晶格被引量：2
- 2015年
- 石墨烯莫尔超晶格来源于六方氮化硼衬底对石墨烯的二维周期势调控.由于这种外加的周期势对石墨烯能带具有显著的调制作用,近年来引发了人们广泛的关注.利用氮化硼衬底上外延的单晶石墨烯薄膜,我们系统研究了基底调制下的莫尔超晶格以及相关的物理特性.首先,我们在电子端和空穴端都观测到了超晶格狄拉克点,并且超晶格狄拉克点同本征狄拉克点类似,都表现出绝缘体的特性.在低温强磁场下,可以观测到到单层石墨烯和双层石墨烯的量子霍尔效应.并且,从朗道扇形图中,可以清晰的看到磁场下形成的超晶格朗道能级.此外,利用红外光谱的方法研究了强磁场下石墨烯超晶格体系不同朗道能级之间的跃迁,发现这种跃迁满足有质量狄拉克费米子的行为,对应38 meV的本征能隙.在此基础上,我们在380 meV位置发现一个同超晶格能量对应的光电导峰.通过利用旋量势中三个不同的势分量对光电导峰进行拟合,发现赝自旋杂化势起主导作用.进一步研究表明赝自旋杂化势强度随载流子浓度的增大显著降低,表明电子-电子相互作用引起的旋量势的重构.
- 卢晓波张广宇
- 关键词：石墨烯能隙
