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张峰

作品数：37 被引量：20H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划上海市科学技术发展基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信医药卫生理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 4篇科技成果
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 3篇医药卫生
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇波导
  • 7篇注氧隔离
  • 6篇SOI
  • 5篇退火
  • 5篇高温退火
  • 4篇心脏
  • 4篇氧化硅
  • 4篇人工心脏
  • 4篇离子刻蚀
  • 4篇刻蚀
  • 4篇硅锗
  • 4篇二氧化硅
  • 4篇反应离子
  • 4篇反应离子刻蚀
  • 4篇衬底
  • 3篇导光
  • 3篇心脏瓣膜
  • 3篇血液相
  • 3篇血液相容性
  • 3篇载流子

机构

  • 37篇中国科学院
  • 3篇上海新傲科技...
  • 2篇华东师范大学
  • 1篇苏州科技学院
  • 1篇同济大学
  • 1篇中国航天科技...
  • 1篇信息产业部电...

作者

  • 37篇张峰
  • 14篇林志浪
  • 13篇王永进
  • 13篇程新利
  • 10篇王曦
  • 7篇陈志君
  • 6篇曹共柏
  • 5篇肖海波
  • 4篇陈猛
  • 4篇柳襄怀
  • 3篇俞跃辉
  • 3篇林成鲁
  • 3篇张昌盛
  • 3篇高凡
  • 3篇邹世昌
  • 3篇陈静
  • 3篇李昌荣
  • 3篇张正选
  • 3篇郑志宏
  • 2篇金波

传媒

  • 4篇功能材料与器...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇光学学报
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇光电子技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇科技通讯（上...
  • 1篇苏州科技学院...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 4篇2007
  • 7篇2006
  • 7篇2005
  • 9篇2004
  • 4篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇1997
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺
本发明公开了一种改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺，在半导体衬底上依次是体硅锗层、注氧埋层和顶层硅锗，工艺依次包括离子注入、二氧化硅保护层生长、高温退火和二氧化硅去除。本发明利用锗在二氧化硅中扩散系数小的...
陈志君张峰张正选
文献传递
结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法
本发明涉及一种结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法，包含输入波导、输出波导、至少两个调制直波导，其特征在于以绝缘层上的硅(SOI)为基材料，每条调制波导有各自独立的载流子注入区域，调制波导之间的连接通过利用硅的各...
林志浪张峰王永进程新利曹共柏
文献传递
具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法
本发明提供具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法，属于半导体材料的制备领域。一种SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，所述顶层硅层中还掺有重金属元素；一种制备上述衬底的方法，包括以下...
王学良张峰叶斐赵常盛王曦
低功耗电路设计分析优化方法及嵌入式SOI DRAM结构的设计
俞跃辉黎传礼张峰陈可炜李文钧宋朝瑞
该项目建立了一套有效的新功耗建模、估计和优化的方法学。对低功耗CMOS集成电路的设计技术进行了深入的研究。研究表明，将集成电路低功耗设计优化学的方法应用到集成电路的设计过程当中去，可以避免设计者反复验证系统的功耗和性能，...
关键词：
关键词：SOIDRAM低功耗嵌入式
改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺
本发明公开了一种改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺，在半导体衬底上依次是体硅锗层、注氧埋层和顶层硅锗，工艺依次包括离子注入、二氧化硅保护层生长、高温退火和二氧化硅去除。本发明利用锗在二氧化硅中扩散系数小的...
陈志君张峰张正选
文献传递
氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响
2006年
研究了氧化对外延在SOI衬底上的Si Ge薄膜的残余应变弛豫过程的影响.通过对Si Ge薄膜采用不同工艺的氧化,从而了解不同氧化条件对SOI基Si Ge薄膜的应变弛豫过程的影响.氧化将会促使Si Ge薄膜中的Ge原子扩散到SOI材料的顶层硅中.而Si Ge薄膜的残余应变弛豫过程将会与Ge原子的扩散过程同时进行.通过对Si Ge薄膜和SOI顶层硅中位错分布的分析发现在氧化过程中,Si Ge薄膜和SOI衬底之间存在一个应力传递的过程.
金波王曦陈静张峰程新利陈志君
关键词：SIGESOI应变弛豫
一种厚膜绝缘层上硅材料的制备方法
本发明涉及制备厚膜SOI(Silicon on insulator)材料的方法，其特征在于利用SIMOX技术制备的薄SOI材料作为衬底，然后利用气相外延工艺进行外延生长单晶硅层。用该方法制备的SOI材料可以用作光波导材料...
张峰程新利林志浪王永进
文献传递
新一代人工心脏瓣膜材料研究
柳襄怀张峰王曦郑志宏陈安清王向辉李昌荣蒋振斌俞柳江
目的探讨表面改性后的人工心脏瓣膜材料的血液相容性。方法氧化钛（Ti-O）试样薄膜与目前的心脏瓣膜材料热解碳（LTIC）薄膜成对置入动物犬体内。腹主动脉内埋置60天。右心房内埋置17天，60天，100天。改性后Ti-O瓣膜...
关键词：
关键词：人工心脏瓣膜抗凝血安全性
超紧凑型SOI基3×3 MMI波导光开关的优化设计被引量：2
2005年
提出一种基于SOI材料的超紧凑型3×3 MMI波导光开关,开关仅有一个多模波导,且多模波导采用更为紧凑的双曲结构。用FD-BPM方法对其各个状态进行了模拟和分析,并对器件的结构参数进行了优化设计。结果表明,这种光开关可以成功实现任意两输入和输出通道间的开关功能,优化后的开关呈现优良的综合性能,且整个器件的尺寸小于4 mm。
贾晓玲高凡张峰
关键词：多模干涉耦合器光开关SOI双曲结构
基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法
本发明公开了一种基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法，依次包括二氧化硅保护层生长、离子注入、高温退火和去除二氧化硅层。其特征在于(1)注入前，在硅锗上生长二氧化硅层，层厚20～120nm；(2)离子注入的能...
陈志君张峰
文献传递
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