张云峰
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：桂林电子科技大学信息与通信学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>
- 退火工艺对La-Nb共掺杂Bi4Ti3O12薄膜结构的影响被引量：1
- 2008年
- 采用sol-gel法制备了Si基Bi3.25La0.75Ti2.94Nb0.06O12.03(BLTN)铁电薄膜,研究了退火温度、升温速率和退火时间对BLTN薄膜微观结构的影响。结果表明:制备的BLTN薄膜具有单一的钙钛矿结构,且为随机取向,表面平整致密;退火温度由550℃升高到750℃时,薄膜的衍射峰强度增强,晶粒尺寸由65 nm增大到110 nm;退火升温速率由10℃/min提高为20℃/min时,薄膜的晶化程度降低;退火时间对薄膜的晶相结构影响不大,但时间超过30 min会造成薄膜表面孔洞增多、致密性下降。
- 张云峰王华任明放
- 关键词：无机非金属材料铁电薄膜退火温度升温速率退火时间
- 基于MFS结构铁电器件应用的Si基镧、铌共掺杂钛酸铋铁电薄膜的制备与性能研究
- 针对MFS(Metal-Ferroelectric-Semiconductor)结构铁电器件应用的需要,采用溶胶一凝胶工艺制备了p-Si基La.-Nb共掺杂Bi4_ La Ti3_yNby012+y/2(BLTN,z一0...
- 张云峰
- 关键词：铁电薄膜铁电性能退火工艺
- 文献传递
- Nb掺杂对Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜微观结构与性能的影响
- 2008年
- 采用Sol-gel法在p-Si和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3-xNbxO12(BLTN)铁电薄膜,研究了Nb掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明:650℃退火处理的BLTN薄膜具有单一的层状钙钛矿结构,表面平整致密,且为随机取向;Nb掺杂量x在0.06的BLTN薄膜介电与铁电性能优良,剩余极化Pr和Ec分别为21.6μC/cm2和96.8kV/cm,室温下,在测试频率为10kHz时,薄膜的介电常数为386,介电损耗为0.69%。
- 张云峰
- 关键词：铁电薄膜
- Sol-gel法制备Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_(2.94)Nb_(0.06)O_(12)铁电薄膜及其性能研究被引量：3
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)在p_Si和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi3.25La0.75Ti2.94Nb0.06O12(BLTN)铁电薄膜,研究了BLTN薄膜的晶相结构、表面形貌、铁电性能、介电性能和C_V性能。结果表明:所制备的BLTN薄膜具有单一的层状钙钛矿结构,且为随机取向;高于650℃退火处理的BLTN薄膜表面平整致密;铁电性能测试显示较饱和的电滞回线;当退火温度为650℃时,其剩余极化Pr和Ec分别为24.6μC/cm2和96.8 kV/cm,明显优于Bi3Ti4O12(BIT)薄膜的铁电性能;室温下,当测试频率为10 kHz时,薄膜的介电常数为386,介电损耗为0.69%,具有良好的介电性能;C_V曲线为顺时针方向回滞,记忆窗口约为1.5 V,可以实现极化存储。
- 张云峰王华任明放
- 关键词：SOL-GEL法铁电薄膜
