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应质峰

作品数：19 被引量：15H指数：2
供职机构：复旦大学本科生院（教务处、招办、教师教学发展中心）更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部跨世纪优秀人才培养计划更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇会议论文
  • 5篇期刊文章
  • 3篇专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 5篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇激光
  • 4篇等离子体
  • 4篇烧蚀
  • 4篇激光烧蚀
  • 2篇氮化碳
  • 2篇氮化碳薄膜
  • 2篇等离子体辅助
  • 2篇原子
  • 2篇原子分子
  • 2篇原子分子物理
  • 2篇原子束
  • 2篇石英玻璃
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇弧光放电
  • 2篇辉光
  • 2篇辉光放电
  • 2篇激光溅射
  • 2篇激光诱导

机构

  • 19篇复旦大学

作者

  • 19篇应质峰
  • 12篇许宁
  • 9篇李富铭
  • 8篇吴嘉达
  • 7篇杜元成
  • 7篇孙剑
  • 5篇凌浩
  • 2篇赖菊水
  • 2篇沈轶群
  • 2篇施维
  • 1篇李郁芬
  • 1篇江志裕
  • 1篇罗龙根
  • 1篇钱士雄
  • 1篇陈良尧
  • 1篇郁祖湛
  • 1篇崔启明
  • 1篇丁训民
  • 1篇苏毅
  • 1篇章企

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇中国大学教学
  • 1篇应用激光
  • 1篇应用化学
  • 1篇原子核物理评...
  • 1篇'2001全...
  • 1篇第四届中国功...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇1996全国...
  • 1篇1998年中...
  • 1篇第四届中国功...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2002
  • 5篇2001
  • 2篇1998
  • 1篇1996
  • 1篇1993
  • 1篇1990
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
p-Si上激光诱导局部沉积铂被引量：2
1998年
The partial deposit films on p-silicon wafers were formed from three kinds of plating solution: chloro-platinic acid, potassium tetranitroplatinate and diammine platinium dinitrate under Nd: YAG laser irradiation. The compositions and properties of the depositswere investigated by AES, SEM and XPS techniques. The Pt deposits have ohmic contactwith p-type silicon.
崔启明江志裕郁祖湛应质峰
关键词：激光诱导P-SI铂
脉冲激光烧蚀沉积ZnSe簿膜的研究
我们用248nm 的KrF 准分子脉冲激光烧蚀ZnSe 靶材沉积ZnSe薄膜。靶采用多晶ZnSe片,衬底采用抛光GaAs(100)。衬底预处理采用化学刻蚀和高温处理。原子力显微镜(AFM)观察显示在GaAs(100)沉积...
许宁杜元成应质峰凌浩李富铭
关键词：激光烧蚀
弧热束化学汽相沉积合成氮化碳薄膜
本文采用弧热束化学汽相（CVD）沉积法在光滑的Si（100）单晶片上沉积氮化碳薄膜,衬底的体温度保持在100℃以下.一台弧热等离子体源被用来分解CH,N和H,出射束由高密度的中性N、H和CH-构成(10-10原子/弧度 ...
许宁应质峰杜元成李富铭
关键词：氮化碳薄膜
脉冲激光烧蚀沉积ZnSe薄膜的研究
我们用248nm的KrF准分子脉冲激光烧蚀ZnSe靶材沉积ZnSe薄膜.靶采用多晶ZnSe片,衬底采用抛光GaAs(100).衬底预处理采用化学刻蚀和高温处理.原子力显微镜(AFM)观察显示在GaAs(100)沉积的Zn...
许宁杜元成应质峰凌浩李富铭
关键词：激光烧蚀
可调谐激光器中光栅的安装和调整
1990年
使用光栅的调谐激光器。其输出功率、模式和可调范围与激光头中光栅与放电管的相对几何位置有密切关系,本文介绍了在光栅的安装和调整过程中如何实现这些几何要求.
罗龙根应质峰张敏毅钱红声
关键词：可调谐激光器光栅
激光溅射石墨发射光谱及在C3N4制备中的应用
β-CN是最新型的可与金刚石相比的超硬材料,在磁信息存储材料的表面保护等领域有极大的应用前景,其光学非线性和半导体性质等也极有应用价值。实验中用YAG激光溅射结合氮离子束辅助的方法制备其薄膜。通过比较不同激光波长（1.0...
应质峰任忠民杜元成李富铭
关键词：激光溅射C3N4发射光谱
一种直流放电原子束源
本实用新型属薄膜材料制备技术领域，具体为一种用于薄膜材料合成的直流放电原子束源。它由阴极、阳极、阴极基座、阳极法兰、阴极法兰、圆柱形石英玻璃筒和电磁铁组成。阴极法兰和阳极法兰固定于石英玻璃筒上下两端，阴极安插于阴极基座下...
许宁杜元成应质峰李富铭
脉冲激光烧蚀沉积合成ZnSe纳米线及其光电特性研究
ZnSe是一种宽带隙(2.7 eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,可广泛应用于蓝绿光波段发光器件、光电探测器件、光波导器件、太阳能电池等光电器件。大容量高密度光通讯和信息处理技术发展的必然要求光源、光电探测器件、Q开关
许宁赖菊水沈轶群吴嘉达孙剑应质峰
关键词：光电探测器件光电特性一维纳米结构纳米线
弧热氮原子束辅助脉冲激光溅射合成ZnSe:N薄膜
人员用弧热氮原子束辅助脉冲激光溅射方法沉积ＺｎＳｅ掺氮薄膜。溅射靶采用多晶ＺｎＳｅ片，衬底采用抛光ＧａＡｓ（１００）和Ｓｉ（１１１）片。一台弧热束源被用来分解氮气，含大量中性氮原子的出射束（１０〈’１８〉￣１０〈’１９〉...
许宁应质峰杜元成
关键词：掺杂氮掺杂金属薄膜溅射激光溅射
HfO2薄膜的制备及其性质研究
我们知道,半导体材料HfO具有很大的禁带宽度,并且具有很宽的透过光谱、高的损伤阈值、好的热学稳定性及好的机械性能,使得其在光学上,尤其在激光应用上具有很大的实用价值。同时,它也具有较大且适中的介电常数、合理的与Si接触的...
唐文涛孙剑许宁应质峰吴嘉达
关键词：禁带宽度界面层HFO2
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