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干洁

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇微波放电
  • 3篇氧化物薄膜
  • 3篇金属氧化物薄...
  • 3篇硅衬底
  • 3篇衬底
  • 2篇等离子体辅助
  • 2篇电子回旋共振
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇过渡层
  • 1篇导体
  • 1篇氧化硅
  • 1篇三元合金
  • 1篇烧蚀
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇无定形
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇脉冲激光烧蚀
  • 1篇介电

机构

  • 5篇复旦大学

作者

  • 5篇干洁
  • 4篇孙剑
  • 4篇吴嘉达
  • 2篇唐文涛
  • 1篇方芳
  • 1篇高昆

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
在硅衬底上制备无过渡层的金属氧化物薄膜的方法
本发明属材料制备领域，公开了一种在硅衬底上制备无过渡层的金属氧化物薄膜的方法，尤其是在硅衬底上制备不含SiO<Sub>x</Sub>过渡面层、界面良好的IVB族金属氧化物薄膜的方法。本发明方法以IVB族高纯金属和高纯氧气...
吴嘉达孙剑唐文涛干洁
文献传递
一种在硅衬底上制备高介电常数金属氧化物薄膜的方法
本发明属于材料制备技术领域，具体为一种在硅衬底上制备高介电常数金属氧化物薄膜的方法。本发明用物理气相沉积法在硅衬底表面沉积IIIA、IIIB或IVB族金属薄膜，然后用ECR微波放电产生的氧等离子体束流对沉积在硅表面的金属...
吴嘉达孙剑高昆干洁
文献传递
一种常温制备Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N三元合金半导体薄膜的方法
本发明涉及一种在常温条件下制备Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x </Sub>N三元合金半导体薄膜的方法，其利用同一激光束经过分束镜得到两激光束，其中一激光束对铝靶烧蚀向膜层提供铝，另一激光束对AsGa靶烧...
吴嘉达孙剑方芳干洁
文献传递
无定形氧化硅的相分离和纳晶硅镶嵌二氧化硅的制备
尽管面临巨大的挑战,在光电子领域人们对Si仍寄予厚望,各种具有纳米结构的Si材料所显现的不同于体Si材料的光学性质特别是发光特性,激起了人们对发光Si材料和Si基光电子器件的极大兴趣。其中,纳晶Si镶嵌二氧化硅/(Si-...
干洁
关键词：光致发光热退火脉冲激光沉积
文献传递
在硅衬底上制备无过渡层的金属氧化物薄膜的方法
本发明属材料制备领域，公开了一种在硅衬底上制备无过渡层的金属氧化物薄膜的方法，尤其是在硅衬底上制备不含SiO<Sub>x</Sub>过渡面层、界面良好的IVB族金属氧化物薄膜的方法。本发明方法以IVB族高纯金属和高纯氧气...
吴嘉达孙剑唐文涛干洁
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