孙长春
- 作品数：8 被引量：17H指数：2
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部重点实验室基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术医药卫生电子电信更多>>
- BEPC电子直线加速器束流线改进和e,π试验束被引量：12
- 2004年
- 在BEPC电子直线加速器上建立起了E1,E2 ,E3试验束 ,其中E1初级束专门提供给强流慢正电子装置应用 ,E2束是初级正 /负电子束 ,E3为次级高能e± ,π± 和质子等单粒子试验束 ,其动量连续可调 .粒子定位误差 0 .2— 0 .4mm ,混合负粒子计数率 3— 4Hz .已成功地为BESⅢ的TOF探测器模型测试提供试验束流 .
- 李家才吴元明崔象宗张良生周宝庆刘正全张少平刘士兴孙长春沈激阴泽杰张永明陈子瑜张竹湘张彩娣郑林生
- 关键词：试验束BEPC束流BES电子直线加速器计数率
- GaN的离子辐照效应
- 首先采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的结构参数、结晶品质,然后注入He+,N离子,研究注入产生的电阻变化和晶格损伤.在不同的温度下,氮气保护退火30分钟,用Hall法测量电阻率,发现GaN...
- 周生强姚淑德焦升贤孙长春孙昌
- 关键词：GAN电阻率离子注入辐照损伤
- 文献传递
- 离子注入聚碳酸酯表面力学性能改变研究被引量：3
- 2004年
- 将B+和O+离子分别注入到高分子化合物聚碳酸酯(PC)中,PC的表面显微硬度和耐磨性能均得到了较大提高。用纳米硬度计测量注入前后PC的显微硬度,硬度提高了7～25倍。用球盘式磨损实验机测量注入前后PC的耐磨性能,磨痕的宽度比未注入的窄,最窄的磨痕(或最窄处)为未注入磨痕宽度的1/3～1/2。傅里叶变换红外光谱(FTIR)测试表明,注入前后高分子的结构发生了变化。
- 孙昌姚淑德周生强孙长春
- 关键词：表面显微硬度傅里叶变换红外光谱聚碳酸酯耐磨性能力学性能
- 高能正电子面沟道辐射的理论研究与实验准备
- 该文首先对高能正电子(~GeV)的面沟道辐射进行了理论研究和分析,然后设计了具有较高探测效率的高能γ光子谱仪,最后建立一套沟道辐射实验装置,同时也对实验大厅的本底进行了蒙特卡洛模拟计算.该文内容主要分为三章:第一章主要对...
- 孙长春
- 关键词：沟道效应沟道辐射
- He^+、N^+注入GaN的背散射和电学特性研究
- 2003年
- 采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的物理性质和结晶品质。研究了He+、N+注入所引起的GaN的电阻变化和与退火温度的关系。在不同温度下,氮气保护退火30min,用Hall法测量电阻率。测量结果表明:GaN的电阻率增大7～8个数量级。在200～400℃下退火,电阻率变化最大。经高温(600～700℃)退火后,电阻率仍比注入前大3～4个数量级。
- 周生强姚淑德焦升贤孙长春孙昌
- 关键词：GAN背散射电学特性辐照损伤氦离子
- 带电粒子的沟道效应研究
- 本文对带电粒子的沟道效应研究正在逐步深入.背散射/沟道分析是判定材料结晶品质优劣的重要手段,应用范围由金属推广到半导体、光电材料等薄膜样品,用沟道分析首次得到高结晶品质的GaN的Xmin=1.17％(1),GaN及InG...
- 姚淑德吴名枋周生强孙长春孙昌张亚伟
- 关键词：带电粒子沟道效应晶格常数
- 文献传递
- 带电粒子的沟道效应研究
- 对带电粒子的沟道效应研究正在逐步深入.背散射/沟道分析是判定材料结晶品质优劣的重要手段,应用范围由金属推广到半导体、光电材料等薄膜样品,用沟道分析首次得到高结晶品质的GaN的Xmin=1.17%,GaN及InGaN的晶格...
- 姚淑德吴名枋周生强孙长春孙昌张亚伟
- 文献传递
- 高能γ光子CsI(Tl)谱仪的研究与设计被引量：2
- 2004年
- 利用EGS4程序包模拟研究了6.6MeV的高能γ光子在CsI闪烁体中的运动行为,决定了探测这种能量γ光子所需CsI晶体的大小。根据模拟计算和实验的要求,设计了CsI(Tl)γ光子谱仪。用137Cs和22Na源对谱仪的测试表明,此探测器具有较好的探测效率,在0.662MeV的光电峰上可以达到74%。模拟计算对3.3和6.6MeV的光电峰可以分别达到37.12%和23.00%。
- 孙长春李家才姚淑德张亚伟张少平
- 关键词：Γ谱仪反符合
