夏克军
- 作品数：6 被引量：7H指数：2
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种新型结构的光电负阻器件被引量：2
- 2003年
- 提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管 (photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的 .由于两个NPN管到光电二极管的距离不同 ,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异 ,同时两个NPN管电流放大系数相差较大 ,最终导致器件负阻现象的出现 .文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟 ,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论 ,初步建立了器件模型 .
- 李丹李树荣夏克军郭维廉郑云光
- 关键词：光电器件负阻晶体管
- SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究被引量：1
- 2003年
- 在带有应变SiGe沟道的SOIMOSFET结构中 ,把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管 (SiGeSOIBMHMT) .在SIVACO软件的器件数值模拟基础上 ,对这种结构的P型沟道管工作过程作了分析 ,并建立了数学模型 .提出在低电压 (小于 0 7V)下 ,衬底电极的作用可近似等效成栅 ,然后依据电荷增量 (非平衡过剩载流子 )的方法 ,推导出该结构的I V特性方程 .该方程的计算结果与器件模拟结果相一致 .
- 夏克军李树荣王纯郭维廉郑云光陈培毅钱佩信
- 关键词：晶体管SIGESOIMOSFET
- 光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型被引量：2
- 2003年
- 本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后 ,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路 ,描述了光电双基区晶体管 (PDUBAT)
- 张生才郑云光郭辉李树荣张世林郭维廉胡泽军夏克军
- 关键词：光电双基区晶体管反馈电流瞬态电流
- 光电双基区晶体管的工作机理被引量：1
- 2003年
- 通过分析光电双基区晶体管 (PDUBAT)内部载流子的二维传输过程 ,获得它的物理模型 ,得出PDUBAT是个新型光控振荡器的结论 ,并依此模型给出了它的等效电路 ,利用SPICE程序得到的一系列计算结果与实验结果是一致的 .结合这些计算结果 ,完整解释了PDUBAT产生耦合、负阻、振荡的物理过程 .给出了起振电压 (输出电流峰值电压 )、振荡频率随光强变化的关系式 。
- 夏克军李树荣李丹郑云光毛陆虹郭维廉
- 关键词：振荡器负阻光电器件
- 基于DUBAT的新型压控振荡器研究被引量：1
- 2004年
- 本文首次研制了一种基于双基区晶体管 (DUBAT)的无电感新型压控振荡器 (VCO) .文中详细分析了其工作原理 ,并给出了它的等效电路 ,模拟结果与实验结果是一致的 .由于DUBAT结构简单 ,工艺与双极集成电路工艺完全相容 ,从而为压控振荡器结合其它功能电路的大规模集成提供了一种新的实现方式 .
- 吴静李树荣夏克军郑云光郭维廉
- 关键词：振荡器晶体管等效电路正反馈模拟电路
- SOI SiGe HDTMOS器件及电路研究
- 该文利用SIVACO的工艺和器件模拟软件,对SOI SiGe HDTMOS作了完整的理论研究.首先,分析了DTMOS的工作原理,介绍了DTMOS的静态、动态和功耗模型.而后,深入探讨SiGe层的引入对P管的性能的提高,表...
- 夏克军
- 关键词：SOI技术SIGE技术
- 文献传递
