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周文飞
作品数:
3
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王占国
中国科学院半导体研究所
张世著
中国科学院半导体研究所
叶小玲
中国科学院半导体研究所
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作者
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叶小玲
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张世著
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王占国
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周文飞
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2014
2篇
2012
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有效折射率微扰法研究单缺陷光子晶体平板微腔的性质
2012年
应用有效折射率微扰法结合二维/三维平面波方法研究了施主和受主缺陷型H1微腔的性质,使用修正后的有效折射率可以准确地计算微腔的腔模频率,与三维全矢量时域有限差分法的计算结果很相近.对于施主型H1微腔,以介质带边为匹配标准修正的有效折射率计算的微腔腔模频率误差最小,而对于受主型H1微腔,匹配标准则应设置为中间带.有效折射率微扰法既可以将计算的维度从三维降到二维,大大减少计算所需的计算机内存和时间,又可以保持计算结果的准确性,这对于光子晶体微腔的广泛应用具有非常重要的价值.
周文飞
叶小玲
徐波
张世著
王占国
关键词:
有效折射率
同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法
本发明公开了一种在高温湿法氧化时同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>(1-x)</Sub>As氧化层热稳定性的方法。该方法是通过在GaAs层上采用等离子体化学气相淀积法生长一定厚度...
周文飞
徐波
叶小玲
张世著
王占国
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同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法
本发明公开了一种在高温湿法氧化时同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>(1-x)</Sub>As氧化层热稳定性的方法。该方法是通过在GaAs层上采用等离子体化学气相淀积法生长一定厚度...
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