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吴自勤
作品数:
129
被引量:366
H指数:12
供职机构:
中国科学技术大学
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孙霞
中国科技大学
张庶元
中国科技大学
王晓平
中国科学技术大学物理学院物理系
丁泽军
中国科技大学
康士秀
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1995
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1994
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1993
4篇
1992
4篇
1991
5篇
1990
5篇
1989
共
129
条 记 录,以下是 1-10
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被引量排序
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人造软X射线单色器结构与性能的模拟计算
被引量:1
1989年
本文用计算机模拟计算的方法较详细地研究了W/C和Mo/Si人工多层膜x射线单色器结构与性能的关系。得到了多层膜层数和多层膜膜厚偏差对x射线衍射峰峰度、峰宽影响的一系列数据。本文还比较了膜厚无规涨落与系统线性偏差这两种偏差对单色器能量分辨率的影响,计算的结果表明后者的危害较大。
刘文
刘文汉
吴自勤
关键词:
X射线
单色器
模拟计算
X光光谱仪探测效率的测定以及在定量分析中的应用
<正> 本文介绍在日立X—650扫描电子显微分析仪上对X光光谱仪探测效率T的测定工作。利用探测效率作定量成份分析不仅可以减少测试工作量,而且可以解决某些难以制备的纯元素标样问题。并可逐步过渡到和X光能谱仪连机使用。一、探...
徐力
元洁
吴自勤
段建中
文献传递
TiN/TaN多层膜原子力显微镜图像的多重分形谱
被引量:2
2000年
熊刚
孙霞
刘文汉
吴自勤
关键词:
氮化钛
多层膜
原子力显微镜
多重分形谱
超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅱ)──尺寸缩小带来的巨大挑战
被引量:3
2002年
随着CMOS技术缩至 10 0nm或更小 ,在CMOS器件结构、接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战 .
刘洪图
吴自勤
关键词:
超大规模集成电路
接触电阻
自对准硅化物
材料物理
尺寸缩小
互补的微分析方法—扫描电子显微术和扫描探针显微术
2002年
本文介绍扫描电子显微术 (SEM)和扫描探针显微术 (SPM)这两种最常用的微分析方法的新进展。简述了它们各自的构成、工作原理。
王晓平
李凡庆
吴自勤
关键词:
扫描电子显微术
SEM
SPM
含笼状Si_(20)的金属硅化物的合成和物性
1995年
含笼状Si_(20)的金属硅化物的合成和物性随着C60等富勒烯和M3C60(M=K,Rb等)超导材料研究的巨大进展,人们对其他含笼状团簇化合物的探索正在加紧进行。1995年日本学者在《固体物理》期刊上介绍了含笼状Si20的金属Si化物、特别是对Na2...
吴自勤
关键词:
物理性质
聚合物PtBuA薄膜不同温度下的AFM图像及其多重分形谱
孙霞
王晓平
吴自勤
文献传递
用软X射线进行无标样定量分析
1989年
目前低压扫描电镜已得到发展,相应地低压电子探针定量分析也需要发展。本文用NBS的Cu—Au合金、GaAs、GaP和InP等标样,对三种商用EDS (EDAX9100,TN5500和Kevex8000)在5~30 kev下的无标样定量分析结果进行了比较,指出了提高低压电子探针定量分析准确性需要解决的问题。
元洁
徐力
吴自勤
万德锐
张宜
徐淑霞
关键词:
X射线
无标样
金属材料
非晶态半导体/金属薄膜的分形晶化
被引量:3
1994年
本文综述非晶态半导体/金属薄膜退火过程中金属诱导非晶态半导体晶化的研究,综述对若干非晶态半导体与金属组成的薄膜(Ge-Au、Ge-Ag、Ge-Al、Ge-Se、Ge-pd、Si-Ag、Si-Al、Si-pd、Si-Cu、sic-Al、Si_3N_4-A1)晶化后形成的图形进行的分形研究,内容包括分形形成的实验规律、根据微结构电镜观测结果提出的随机逐次成核模型、以及对分形晶化进行的计算机模拟。
吴自勤
张人佶
关键词:
晶化过程
金属薄膜
非晶半导体
晶核
Mott对凝聚态物理学的重大贡献——纪念Mott诞辰100年
被引量:2
2005年
吴自勤
关键词:
凝聚态物理学
THOMSON
物理学家
物理系
母亲
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