吴申立 作品数:19 被引量:9 H指数:2 供职机构: 中国电子科技集团公司第四十三研究所 更多>> 相关领域: 电子电信 电气工程 一般工业技术 金属学及工艺 更多>>
一种LTCC滤波器的制备方法及LTCC滤波器 本发明公开了一种LTCC滤波器的制备方法及LTCC滤波器,将中间导体层的露出端头处厚度增加从而达到烧结后的设计标准,端印后LTCC滤波器导通率得到保证。改进后的LTCC滤波器的产品合格率得到大幅度提升,从原来的50%提高... 杨靖鑫 吴申立 章瑜 李建辉 宗志峰文献传递 一种LTCC基SiP封装外壳 本实用新型公开了一种LTCC基SiP封装外壳,包括LTCC基板,固定在LTCC基板顶部的金属围框以及固定在金属围框顶部的金属盖板;LTCC基板包括陶瓷基板、以及对称固设在陶瓷基板顶部和底部的复合金属布线层;陶瓷基板的内部... 刘俊永 刘慧 李靖巍 吴建利 周波 王伟 吴申立文献传递 单列直插式电阻网络的研究 2000年 研制了一种高精度、低温度系数单列直插式电阻网络。通过优选电阻材料 ,改进工艺条件、激光调阻方法、包封工艺等解决了研制中出现的问题 ,使相对精度达到 0 0 3 % ,绝对精度达到± 0 0 2 % ,|α|≤ 7 61× 10 -6℃ -1,跟踪α≤ 5 0× 10 -6℃ -1,完全符合使用要求。 吴申立关键词:电阻网络 电阻温度系数 集成电路 一种具有高成品率的LTCC滤波器 本实用新型公开了一种具有高成品率的LTCC滤波器,将中间导体层的露出端头处厚度增加从而达到烧结后的设计标准,端印后LTCC滤波器导通率得到保证。改进后的LTCC滤波器的产品合格率得到大幅度提升,从原来的50%提高到改进之... 杨靖鑫 吴申立 章瑜 李建辉 宗志峰文献传递 一种LTCC基SiP封装外壳及其制备方法 本发明公开了一种LTCC基SiP封装外壳及其制备方法,该SiP封装外壳包括LTCC基板,固定在LTCC基板顶部的金属围框以及固定在金属围框顶部的金属盖板;LTCC基板包括陶瓷基板、以及对称固设在陶瓷基板顶部和底部的复合金... 刘俊永 刘慧 李靖巍 吴建利 周波 王伟 吴申立文献传递 一种扁平结构的片式变压器及其制作方法 本发明涉及一种扁平结构的片式变压器及其制作方法。该片式变压器包括变压器主体以及设置在变压器主体相对两个面上的第一端盖与第二端盖;所述变压器主体包括依次设置的多层LTCF铁氧体生瓷片以及设置在相邻所述LTCF铁氧体生瓷片之... 王伟 马涛 王飞 王慷 杨丽丽 吴申立薄膜金属化低温共烧陶瓷基板的阻碍层对共晶焊的影响 2001年 讨论了低温共烧陶瓷基板薄膜金属化技术中,有效阻碍层的选择对基板共晶焊的剪切强度、互连阻抗、可焊性的影响。试验结果表明,Ti / Ni是一种高可靠性的阻碍层,且Ti / Ni / Au也是一种较理想的低温共烧陶瓷基板薄膜金属化结构。 吴申立关键词:共晶焊 剪切强度 AOI技术在LTCC制程中的应用研究 被引量:3 2014年 简述了自动光学检测(AOI)技术在低温共烧陶瓷(LTCC)基板研制中的应用原理,研究了影响检测性能的关键技术,实现了在LTCC生产线上通孔、印刷、检测等工艺参数的优化,为批量生产T/R(传输/接收)组件打下了良好的基础。 吴申立 王正义关键词:工艺参数 低温共烧陶瓷基板的薄膜金属化 被引量:1 2001年 就低温共烧陶瓷(LTCC)基板实用化过程中遇到的问题,研究了LTCC基板的薄膜金属化技术;经复合膜系Ti/Ni/Au薄膜金属化的LTCC基板可满足各项技术指标要求,通过考核证明了用此方法制得的基板可靠性高,完全满足使用要求。 吴申立关键词:低温共烧陶瓷 基板 低温共烧陶瓷 磁控溅射 集成电路 LTCC滤波器侧面印刷工艺技术研究 被引量:1 2020年 主要针对LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)滤波器电气连通率较低的问题进行了相关研究。通过比较,发现自制的LTCC滤波器端口导带露出端偏薄,从而导致在端口印上导带之后与中间层导带在端口处的电气连接性能不佳。通过进一步的分析,发现导致滤波器端口导带过薄的原因有两个,一是生瓷切片时刀口的带瓷,二是烧结过程中导体浆料与瓷体材料的收缩率不一致导致导体内缩。最后针对性地提出了相应的改进措施,获得了最优化的工艺技术方案。 杨靖鑫 吴申立 吴申立 董兆文 麻茂生关键词:LTCC滤波器 收缩率