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刘智
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78
被引量:17
H指数:3
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
成步文
中国科学院半导体研究所
郑军
中国科学院半导体研究所
薛春来
中国科学院半导体研究所
左玉华
中国科学院半导体研究所
李传波
中国科学院半导体研究所
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刘智
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硅基宽光谱探测器及制备方法
一种硅基宽光谱探测器及制备方法,该硅基宽光谱探测器,包括:一SOI衬底,包括一底部Si材料层和制作在其上的二氧化硅填埋层以及制作在二氧化硅填埋层上的顶层硅,该顶层硅位于二氧化硅填埋层的中间,该二氧化硅填埋层的两侧形成台面...
刘智
成步文
何超
李传波
薛春来
王启明
锡自催化横向生长的硅基无位错GeSn材料
余凯
丛慧
刘智
薛春来
成步文
王启明
李传波
红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片
本发明提供了一种红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片。红外光电器件包括:衬底,所述衬底上形成有p型掺杂区和n型掺杂区,其中,所述p型掺杂区与所述n型掺杂区不接触;单晶窄带隙材料台面,设置于所述衬底的上表面,且位于所...
黄秦兴
刘香全
郑军
刘智
门涛
左玉华
成步文
一种硅基电吸收调制器及其制备方法
本发明提供了一种硅基电吸收调制器及其制备方法。该调制器基于电吸收的方式利用电压调节半导体的光吸收系数,从而实现光信号强度的调节。由于硅是一种弱电光材料,因此引入了在通信波段C波段有显著的电光吸收调节效应,同时与现CMOS...
刘智
成步文
薛春来
硅基锗激光器及其制备方法
本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括:硅材料,具有相应的晶向;锗层,外延生长于硅材料上,包括:锗脊形波导,由刻蚀锗层形成,构成全部或部分的激光谐振腔;p型掺杂区和n型掺杂区,位于锗脊形波导的两侧;...
刘智
成步文
李传波
李亚明
薛春来
左玉华
王启明
文献传递
半导体红外探测器及其制备方法
本发明提供了一种半导体红外探测器,应用于半导体技术领域,包括:硅基衬底,硅基衬底上依次外延有p型锗锡吸收层、锗硅势垒层和p型锗锡接触层,该p型锗锡吸收层、锗硅势垒层和p型锗锡接触层在该硅基衬底上形成台面结构,该p型锗锡接...
郑军
刘智
成步文
大失配体系硅基无位错异质外延方法
一种大失配体系无位错异质外延方法,包括以下步骤:步骤1:取一硅衬底;步骤2:清洗,将清洗干净的硅衬底装入高真空生长室中;步骤3:对硅衬底进行脱氧处理;步骤4:在硅衬底上生长金属催化剂;步骤5:退火;步骤6:在生长了金属催...
张大林
李传波
刘智
张东亮
成步文
王启明
文献传递
表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜及其制备方法
本发明提供一种表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜及其制备方法,涉及光电材料技术领域。该方法包括:步骤S1,制得初始钙钛矿薄膜;步骤S2,使用真空热蒸发法在该初始钙钛矿薄膜表面制备LiF薄膜,得到表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿...
陈丹
杨亚洲
叶正澜
刘香全
左玉华
郑军
刘智
成步文
雪崩光电探测器及其制备方法
一种雪崩光电探测器及其制备方法。一种雪崩光电探测器,包括:SOI衬底,SOI衬底包括多层含Si层;掺杂层,设置在SOI衬底的上部,并包括:倍增区;n型掺杂区,设置在倍增区的横向一侧,n型掺杂区设有与倍增区具有相同厚度的阶...
庞雅青
刘智
成步文
郑军
用于碳基钙钛矿太阳能电池的介孔碳电极及其制备方法
一种用于碳基钙钛矿太阳能电池的介孔碳电极及其制备方法,该制备方法包括如下步骤:(1)制备含有纤维素和任选的NiO<Sub>X</Sub>或WO<Sub>y</Sub>纳米材料的碳电极浆料,其中,x为1~1.5;y为2~3...
周琳
刘陶然
左玉华
郑军
刘智
成步文
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