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刘博

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：西安理工大学自动化与信息工程学院电子工程系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇国内会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇大直径
  • 2篇温度场
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇温度梯度
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇晶型
  • 1篇空隙率
  • 1篇SIC
  • 1篇SIC单晶
  • 1篇SIC晶体

机构

  • 3篇西安理工大学

作者

  • 3篇封先锋
  • 3篇陈治明
  • 3篇刘博
  • 2篇张群社

传媒

  • 3篇第十四届全国...

年份

  • 3篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
PVT法SiC单晶生长过程中的晶型变化
本文报导对采用PVT法生长的6H-SiC单晶体切片的晶型和晶体结构的Raman光谱和X射线衍射谱分析.结果表明,采用含一定比例同质异晶型(Polytype)的6H-SiC籽晶生长的单晶体仍含有该种同质异晶型,但其比例在生...
刘博陈治明封先锋
关键词：SIC单晶生长
文献传递
大直径6H-SiC晶体PVT法生长感应加热系统有限元分析
本文采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及生长晶体温度场的影响;分析比较了线圈取不同高度和匝间距时晶体生长面径向温度梯度的变化.结果表明:在中...
张群社陈治明封先锋刘博
关键词：温度场温度梯度有限元
文献传递
粉源对大直径SiC晶体生长的影响
本文研究SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的...
张群社陈治明封先锋刘博
关键词：温度场空隙率晶体生长
文献传递
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