余志强
- 作品数：34 被引量：84H指数：5
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 基于测不准原理的氢原子基态能量分析
- 2013年
- 基于测不准原理的基本观点,研究了氢原子的基态能量。结果表明,在测不准原理下所得到的氢原子基态能量与氢原子的狄拉克理论精细结构基态能量符合得非常好,研究结果对人们进一步认识氢原子的内部结构具有重要的意义。
- 张昌华余志强
- 关键词：测不准原理氢原子基态能量
- Cu_2O电子结构与光学性质的第一性原理研究被引量：3
- 2016年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论计算,系统研究了块体Cu_2O的电子结构和光学性质.结果表明,块体Cu_2O为直接带隙半导体,最小禁带宽度为0.52e V;其价带顶主要Cu-3d态电子和O-2p态电子构成,而导带底则主要由Cu-4p态电子和O-2p态电子共同决定;块体Cu_2O的静态介电常数为8.27,光吸收系数最大峰值1.83×105cm-1,研究结果为Cu_2O在光电器件方面的应用提供了理论基础.
- 张昌华余志强
- 关键词：第一性原理CU2O电子结构光学性质
- 基于狭义相对论转动质量效应的X-ray光谱分析
- 2010年
- 基于狭义相对论的基本观点,研究了特征X-ray的产生机理,分析了在狭义相对论下转动质量效应对X-ray光谱的影响,导出了一个计算X-ray特征波长的公式,同时对计算推导的特征波长值做了系统的误差分析,得到了相对误差的规律。结果表明,计算推导的波长值与实验的波长值相比是非常的接近的,并且随着原子序数的增加,转动质量效应对特征波长的影响越来越明显,研究结果在实际应用中对分析特征X-ray光谱具有一定的参考意义。
- 余志强谢泉肖清泉
- 关键词：狭义相对论光谱
- 电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜工艺
- 本发明公开了一种电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜工艺。其过程为:将清洗好的Si片置于蒸镀室内，对蒸镀室抽真空并保持。先将电子束聚焦光斑调宽，预蒸发1～2min，再正式开始蒸镀。蒸镀时...
- 谢泉肖清泉赵珂杰张晋敏陈茜余志强
- 文献传递
- 溅射功率对Mg_2Si薄膜制备的影响
- 2012年
- 采用射频磁控溅射系统,在Si(111)衬底上制备了不同溅射功率下的Mg2Si薄膜。通过X线衍射(XRD)和冷场发射电子显微镜镜(FESEM)对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,理论分析了Mg2Si薄膜在Si(111)衬底上的外延生长关系,得到了Mg2Si薄膜的外延生长特性。研究结果表明,在80～110 W的溅射功率范围内,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的外延择优生长特性,并且随着溅射功率的增加Mg2Si(220)衍射峰先增强后变弱,在100W功率下Mg2Si(220)衍射峰最强。
- 张昌华余志强
- 关键词：磁控溅射MG2SI溅射功率
- 金红石TiO_(2)纳米线忆阻器的制备及阻变存储机制
- 2024年
- 本工作采用简单高效的一步水热法工艺制备了具有一维有序结构的金红石TiO_(2)纳米线阵列,设计了Au/TiO_(2)/FTO器件结构的金红石TiO_(2)纳米线忆阻器,系统研究了器件的阻变存储特性和存储机制,构建了器件基于氧空位迁移的非线性阻变存储机制模型。结果表明,Au/TiO_(2)/FTO结构金红石TiO_(2)纳米线忆阻器具有非易失性的双极性阻变存储特性,器件的阻变开关比可以稳定地保持在10^(2)以上。此外,器件在低阻态时满足线性的欧姆导电特性,在高阻态时服从陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制,而器件的阻变存储行为则遵循基于氧空位迁移的非线性离子迁移阻变存储机制,研究结果表明金红石TiO_(2)纳米线忆阻器在下一代非易失性存储器方面具有重要的应用潜力。
- 余志强余志强韩旭陈诚曲信儒唐锦孙子君徐智谋
- 关键词：非易失性氧空位
- 硅基外延OsSi_2电子结构及光电特性研究被引量：6
- 2012年
- 基于第一性原理密度泛函理论的赝势平面波方法,对Si(111)基外延稳定正交相OsSi_2的能带结构、态密度以及光电特性进行了研究.研究结果表明,Si(111)基外延稳定正交相的OsSi_2是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.625 eV;其价带主要是由硅的3s,3p态电子和锇的5d态电子构成,导带主要由锇的5d态电子与硅的3s,3p态电子构成;其静态介电函数为15.065,折射率为3.85,吸收系数最大峰值为3.9665×10~5cm^(-1).利用理论计算的能带结构和态密度研究了Si(111)基外延稳定正交相OsSi_2的介电函数、折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的变化规律,为Si(111)基外延OsSi_2的应用提供了理论基础.
- 余志强
- 关键词：第一性原理电子结构光电特性
- Mg掺杂ZnSe电子结构与光学性质的第一性原理研究被引量：2
- 2015年
- 采用密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势方法,结合广义梯度近似,对Mg掺杂闪锌矿Zn Se的MgxZn1-xSe电子结构和光学性质进行了研究.结果表明:MgxZn1-xSe是一种直接带隙半导体,其价带顶主要由Se-4p态电子构成,位置基本保持不变;导带底主要由Se-4s态电子和Zn-4s态电子共同决定,并且随着掺杂浓度的增大向高能区方向移动,其能隙宽度随掺杂量的增大而变宽,吸收光谱出现蓝移,计算结果与现有文献符合得很好.
- 张昌华余志强郎建勋来国红李时东
- 关键词：第一性原理硒化锌电子结构光学性质
- Mg_xZn_(1-x)Se合金的电子结构、光学性质和稳定性的第一性原理研究（英文）被引量：1
- 2017年
- 基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了闪锌矿Mg_xZn_(1-x)Se合金的稳定性、电子结构和光学性质.研究结果表明,闪锌矿ZnSe和Mg_xZn_(1-x)Se合金都为直接带隙半导体,Mg_xZn_(1-x)Se合金的带隙宽度Eg和形成能Eb分别可以由Eg=1.30+1.34x和Eb=-1.48+0.60x-0.27x^2进行估计.同时,Mg_xZn_(1-x)Se合金的价带顶主要取决于Se 4p和Zn 3p态电子的相互作用,而其导带底则主要由Zn4s、Zn 3p以及Se 4s态电子共同决定.此外,随着镁掺杂系数x的逐渐增大,Mg_xZn_(1-x)Se合金的静态介电常数逐渐减小,而其吸收谱则出现明显的蓝移现象.研究结果为Mg_xZn_(1-x)Se合金在光电探测器方面的应用提供了重要的理论指导.
- 余志强余志强廖红华李时东郎建勋
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质
- 基于多项加窗插值FFT的谐波相量算法分析被引量：2
- 2018年
- 大量电力电子设备应用于电力系统中时,会产生大量的谐波,谐波对电力系统的稳定有很大的危害.在对电网中的谐波进行分析时,采样与基波信号的频率同步和整周期截断是很难得到实现的,因此在采用快速傅里叶变换算法(FFT)时必然会造成频谱泄露和栅栏效应.研究表明,对FFT算法进行加窗可以减小频谱泄露和栅栏效应.根据分布式电能质量在线监测系统的需要,对比分析了加六项余弦窗、加八项余弦窗与加十项余弦窗的双谱线插值FFT算法,并推导算法和Matlab仿真,验证了加十项余弦窗的插值FFT算法具有更高的计算精度.
- 刘敏丽余志强余志强戴江华
- 关键词：电能质量监测谐波FFT
