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任绍霞: 作品数：33 被引量：33H指数：4; 供职机构：北京首量科技有限公司更多>>; 发文基金：北京市自然科学基金国防民口配套项目国家自然科学基金更多>>; 相关领域：理学核科学技术环境科学与工程机械工程更多>>

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大体积BaF2单晶γ谱仪: 为了配合研制“伴随粒子快中子飞行时间法检测爆炸物系统”,我们建造了一台大体积的 BaF单晶γ谱仪。其能量分辨率为16%(对661keV 的γ射线),时间分辨率在～1ns。BaF晶体直径为100mm,长度在100mm 以上...; 徐四大任绍霞齐卉荃张凤银陈迎堂郑燕宁陈泽民黄宇鹏方雄; 关键词：BAF Γ谱仪; 文献传递

无机闪烁晶体的研究进展被引量：1: 1997年; 无机闪烁晶体的研究进展陈刚任绍霞郑燕宁（北京玻璃研究院，北京１０００６２）ＡｄｖａｎｃｅｍｅｎｔｏｆＩｎｏｒｇａｎｉｃＳｃｉｎｔｉｌａｔｉｏｎＣｒｙｓｔａｌＲｅｓｅａｒｃｈＣｈｅｎＧａｎｇＲｅｎＳｈａｏｘｉａＺｈｅｎｇＹａｎｎｉｎｇ（ＢｅｉｊｉｎｇＧ...; 陈刚任绍霞郑燕宁; 关键词：闪烁晶体晶体性能探测器材料

NaBi(WO_4)_2晶体生长研究被引量：4: 1997年; ＮａＢｉ（ＷＯ４）２晶体生长研究郑燕宁陈刚任绍霞徐玉恒李铭华（北京玻璃研究院，北京１０００６２）（哈尔滨工业大学应用化学系，哈尔滨１５０００６）ＳｔｕｄｙｏｎＧｒｏｗｔｈｆｏｒＮａＢｉ（ＷＯ４）２ＣｒｙｓｔａｌＺｈｅｎｇＹａｎｎｉｎｇＣｈｅｍＧ...; 郑燕宁陈刚任绍霞徐玉恒李铭华; 关键词：引上法晶体生长晶体生长

几种掺杂离子对钨酸铅晶体闪烁性能的提高被引量：1: 2000年; When lead tungstate scintillating crystals are used as dense and fast radiat ors for γ ray detectors in high radiation environment in future high energy a c celerators such as LHC,the main problems are (1) radiation hardness is not yet s atisfactory,(2) light yield is low. When some impurities are removed from the raw materials,the origin of radiation damage is not related to the purity of the raw material but to structural defect s produced during the growth process.These defects result from the leakage of le ad ( V c(Pb)) and oxygen ( V o) and introduce local charge unbalance that ea sily traps electrons or holes and act as temporary color centers under irradiati on. So doping different ions to compensate charge and suppress the existing defe cts is necessary.; 李建哲张颖郑连荣陈刚任绍霞; 关键词：DOPING

大尺寸钨酸铅晶体的研制: 1997年; 大尺寸钨酸铅晶体的研制郑连荣陈刚任绍霞郑燕宁陈晓红韦瑾刘振卿李翠萍范宇红司马恺（北京玻璃研究院，北京，１０００６２）ＧｒｏｗｔｈｏｆＬａｒｇｅＳｉｚｅＬｅａｄＴｕｎｇｓｔａｔｅＣｒｙｓｔａｌｓＺｈｅｎｇＬｉａｎｒｏｎｇＣｈｅｎＧａｎｇＲｅｎＳｈａｏｘ...; 郑连荣陈刚任绍霞郑燕宁陈晓红韦瑾刘振卿李翠萍范宇红司马恺; 关键词：闪烁晶体钨酸铅晶体布里奇曼法

钨酸铋钠晶体闪烁性能研究被引量：1: 2000年; 钨酸铋钠晶体 (NaBi(WO4) 2 ,简称NBW )。做为一种新型闪烁晶体由于其具有发光效率高 ,密度高 ,时间响应快 ,在可见区域有荧光发射 ,抗辐照性能好 ,在相对温湿度变化大的恶劣环境中性能稳定 ,且对中子不灵敏 ,可以在中子、γ混合场中测γ射线 ,在高能物理学、医学、石油工业以及安全检查等领域具有广泛的应用前景 ,从而引起了高能物理界的重视。我们采用提拉法晶体生长 ,所用的原料为高纯的Na2 CO3 ,WO3 ,Bi2 O3 ,在晶体生长方面 ,因NBW粘度与PWO晶体相似 ,故拉速不需太慢 ,为 1～ 3mm/h ,考虑到自然对流与强迫对流的平衡 ,我们采用的转速为 2 0～ 30r/min。生长出的宏观完整晶体尺寸为2 5× 30mm。我们对所得到的样品用日立U32 1 0紫外—可见分光光度计测其透过率 ,结果表明 ,其吸收截止边在 34 0nm ,在 40 0nm以后透过率在 70 %以上 ,与资料报道相符。其荧光发射峰位于440nm(Ex380nm) ,相对荧光发射强度是相同尺寸PWO晶体的 1 .5～ 2倍。另外从掺杂离子的离子半径 ,本征发射谱线位置 ,电荷平衡等角度考虑 ,我们分别制备了Gd3 +,Ce3 +,Nd3 +,Y3 +掺杂的多晶料 ,测试它们的荧光光谱 ,结果表明 ,Ce3 +掺杂样品发光最好。Ce3 +的 5d能级在三价稀土离子中最低 ,可产生f～d跃迁 ,Ce3 +的基态为 4f的2 F5 /; 韦瑾范宇红任绍霞陈刚; 关键词：钨酸铋钠晶体引上法晶体生长掺杂

大尺寸氟化钡晶体的生长被引量：4: 2012年; 通过软件模拟设计合理的炉体温场结构,并对晶体原料的提纯及生长工艺条件进行优化,采用改进的坩埚下降法成功地制备出了大尺寸、高质量的氟化钡晶体。晶体的透过率在0.2～10μm波长范围内高于85%,最高透过率约为94%。; 甄西合任绍霞刘建强史达威张钦辉葛云程; 关键词：氟化钡晶体坩埚下降法透过率

氧杂质对氟化铈闪烁晶体的有害影响: 1997年; 氧杂质对氟化铈闪烁晶体的有害影响陈刚任绍霞郑燕宁张春生李翠萍陈晓红（北京玻璃研究院，北京１０００６２）ＨａｒｍｆｕｌＥｆｆｅｃｔｏｆＯｘｙｇｅｎＩｍｐｕｒｉｔｙｏｎｔｈｅＣｅｒｉｕｍＦｌｕｏｒｉｄｅＳｃｉｎｔｉｌａｉｏｎＣｒｙｓｔａｌＣｈｅｎＧａｎｇ...; 陈刚任绍霞郑燕宁张春生李翠萍陈晓红; 关键词：闪烁晶体

钨酸铅晶体闪烁性能的测试被引量：1: 1997年; 钨酸铅（ＰｂＷＯ４）晶体的发光产额很低，用通常的方法测量其发光产额会引入较大误差。文中介绍了用单光电子脉冲幅度刻度方法对ＰｂＷＯ４发光产额进行测量，可以在实验室条件下利用常见放射源得到比较准确的结果。并给出了用此方法对几种ＰｂＷＯ４样品的发光产额进行测量的实验结果。同时还报告了对这几种样品的发光衰减时间常数及其相对发光强度的测量结果。; 邓景康尚仁成宁传刚朱胜江朱胜江朱维彬任绍霞朱维彬郑连荣任绍霞韦瑾陈刚; 关键词：钨酸铅晶体探测器

异型大截面BaF_2晶体的生长与性能研究: 2000年; 众所周知 ,BaF2 晶体具有快慢 2个发光成分 ,快成分荧光衰减常数为 0 .88ns,比常用的塑料闪烁体还快 ;慢成分发光强度高 ,有很好的能量分辨率 ,使用该晶体可分别进行能量谱和时间谱的测量。为满足高能物理和低能物理实验工程的需要 ,我们采用Bridgman技术 ,设计出适于大截面BaF2 晶体生长的温场 ,加强了下保温 ,选取优质原料 ,使用异型孔状结构的高纯石墨坩埚 ,在真空石墨电阻加热的下降炉中 ,生长出异型大截面晶体。晶体截面为六方形 ,两平行对边之间距离为 1 0 0mm ,晶体全长达 2 5 0mm ,重量达 1 0kg左右。晶体生长工艺参数 :真空度 1～ 2× 1 0 -3 Pa ,固液界面附近温梯 2 0～ 30℃ /cm ,坩埚下降速率 1～ 2mm/h ,降温速率 1 0～ 2 0℃ /h。经一系列实验测量发现 ,晶体中的阴离子如OH-,O2 -等杂质含量较高 ,使晶体在 1 90nm ,2 1 0nm ,2 5 0nm光谱透过波段产生吸收峰 ,可降低晶体的快成分发光和抗辐照性能 ;而一些有害的稀土离子如La ,Tm ,Ce等杂质的存在可影响晶体慢成分的发光 ,并降低晶体的能量分辨率。同时 ,BaF2 原料中常伴生有Ra等放射性元素 ,这使晶体α辐射本底增加 ,影响晶体使用。另外 ,BaF2 晶体加工表面的光洁度和清洁度也会对晶体闪烁性能起到重要作用 ,特别是选用不同的抛光粉和表面?; 任绍霞陈刚于红智张凤银史达威刘建强; 关键词：闪烁晶体布里奇曼法

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