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HL-1M装置真空室硅化的研究被引量：4: 2001年; GDC(He +SiH4 )是为HL 1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下 ,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子分子反应和在壁面上的He+ 诱导脱H2 过程 ,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅 (α Si∶H)薄膜。氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2 (D2 )释放 ,能显著地降低再循环系数 ,有效地控制杂质水平 ,大大拓宽了HL 1M装置的运行范围 ,为HL 1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。; 严东海王恩耀崔成和梁雁许正华张炜刘建宏黄永康; 关键词：硅化再循环 HL-1M装置真空室

HL-1M 装置的真空进展被引量：5: 1999年; 总结了１９９４至１９９８年度ＨＬ－１Ｍ装置的真空进展，包括真空壁条件、真空运行参数、放电进展。; 严东海王恩耀王志文许正华崔成和梁雁张炜刘建宏黄永康; 关键词：HL-1M装置

HL-1M装置的真空抽气系统被引量：9: 1997年; 本文叙述了ＨＬ－１Ｍ装置真空抽气系统的设计、调试。; 严东海孙守祁许正华黄永康刘建宏张炜兰亚明; 关键词：托卡马克

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黄永康