黄昌保
- 作品数：37 被引量：19H指数：3
- 供职机构：中国科学院合肥物质科学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺机械工程更多>>
- 一种硒化镓及其掺杂系列多晶原料的快速合成方法
- 本发明涉及一种硒化镓及其掺杂系列多晶原料的快速合成方法。它可以解决目前硒化镓及其掺杂系列多晶原料合成方法中存在的合成速率低、成分偏离化学计量比等问题。本发明方法特征在于采用单温区电阻炉快速加热，炉体小角度倾斜，合成过程可...
- 倪友保吴海信王振友毛明生黄昌保程旭东
- 文献传递
- 无机化合物硒化钠的制备方法及其装置
- 本发明公开一种无机化合物硒化钠的制备方法及其装置，无机化合物硒化钠通过（1）在真空手套箱内将金属钠和单质硒放入反应器内；（2）对反应器反复抽高真空、充氮气清洗、抽高真空3～4次；（3）通入液氨，使金属钠完全溶解于液氨中；...
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- 文献传递
- 三元氟化物光电晶体材料的生长设备及生长工艺
- 本发明公开了一种三元氟化物光电晶体材料的生长设备及生长工艺，该生长设备包括设有2个以上独立控温的温区和绝热区的加热炉膛；与所述加热炉膛连接的炉膛升降机构，其用于控制加热炉膛升降；设于所述加热炉膛内的晶体生长坩埚；所述晶体...
- 黄昌保 刘国晋倪友保吴海信 毛长宇 徐俊杰
- 一种中长波固体红外激光器
- 本发明公开了一种中长波固体红外激光器，其包括激光泵浦源，以及沿所述激光泵浦源输出激光光路依次设置的功率调整组件、聚焦模块以及谐振腔；所述谐振腔包括沿光路设置的输入镜、红外非线性复合激光晶体和输出耦合镜，其中，所述红外非线...
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- 温度梯度区域熔炼法制备2μm低吸收ZnGeP_2晶体被引量：1
- 2014年
- 针对高温熔体生长的ZnGeP2（ZGP）晶体,易在能带边缘附近出现宽光学吸收带,难以直接应用的问题,开展了籽晶温度梯度区域熔炼生长方法探索研究,最终在较低温度（945℃左右）生长出20 mm×30 mm单晶,晶体2μm附近吸收系数处于0.16~0.3 cm-1之间。但采用当前方法,如何改善晶体光学均匀性、结晶质量,提高原料利用率等一系列问题,还有待进一步研究。
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- Na_2Ge_2Se_5电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：1
- 2014年
- Na_2Ge_2Se_5是一种优异的红外非线性晶体材料.采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法对Na_2Ge_2Se_5进行结构优化,并以此为基础计算研究了Na_2Ge_2Se_5的电子结构和光学性质.结果表明:Na2Ge2Se5是宽禁带间接带隙半导体,价带至导带的电子跃迁主要来自于Ge和Se的48,4p态;Na对光学性质的贡献较小,Ge和Se之间的相互耦合作用决定了Na_2Ge_2Se_5的光学性质;该晶体在紫外区有强烈的反射和吸收,静态折射率为2.133,双折射率值适中,为0.145.理论计算结果表明,Na_2Ge_2Se_5是一种性能优良的红外非线性光学晶体材料.
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- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- 红外非线性晶体Na_2Ge_2Se_5非线性变频模拟计算
- 2015年
- 对红外非线性光学晶体Na2Ge2Se5的非线性性质进行了研究。计算了主平面内倍频调谐曲线,O.946μm、1.064μm、1.1319μm泵浦情况下的倍频空间调谐曲线以及和频产生0.589μm激光的匹配曲线,并对计算结果进行了分析比较。所得结果可为Na2Ge2Se5晶体用于特定波长激光器,设计新波段提供理论依据。
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- 关键词：非线性光学相位匹配二次谐波和频
- 一种红外非线性光学晶体材料高通量合成设备及方法
- 本发明公开了一种红外非线性光学晶体材料高通量合成设备及方法，该设备包括基座和安装基座上的不锈钢耐压壳体，不锈钢耐压壳体具有中空的水冷腔，不锈钢耐压壳体的左右两端通过高压法兰密封，高压法兰具有充气阀；不锈钢耐压壳体的内部安...
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- 高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se(12)、AgGaGeS4晶体被引量：1
- 2018年
- AgGaGe_5Se_(12)、AgGaGeS_4非线性晶体在中远红外激光具有良好的应用前景。合成高纯多晶是制备可器件化单晶元件的关键。但S、Se易挥发、高温下饱和蒸气压高,易导致石英坩埚的爆炸,组分偏离化学计量比。为此,本文采用一种新型的高压辅助法合成出大尺寸高纯的多晶原料,解决了石英坩埚爆炸和组份偏离问题,并在此基础上进行了单晶的生长过程。多晶X射线粉末衍射测试结果与模拟图谱或者标准PDF卡片一致; X射线荧光光谱分析得到各元素百分含量非常接近化学计量比,AgGaGe_5Se_(12)中Ag、Ga、Ge、Se各占7. 86%、5. 08%、23. 80%、63. 26%,AgGaGeS_4中Ag、Ga、Ge、S各占28. 22%、18. 24%、19. 52%、34. 02%;单晶透过率测试得到AgGaGe_5Se_(12)、AgGaGeS_4透过率分别为60%、70%,证明此方法制备的AgGaGe_5Se_(12)、AgGaGeS_4晶体性能优良,展现了该方法在多晶合成的应用潜力。
- 马佳仁黄昌保倪友保吴海信王振友
- 基于实验参数的Dy^(3+),Na^(+):PbGa_(2)S_(4)中红外激光理论研究
- 2024年
- 基于加工出的Dy^(3+),Na^(+):PbGa_(2)S_(4)晶体元件的吸收光谱测试以及Judd-Ofelt理论计算数据,通过互易法计算出各发光能级间的荧光吸收与发射截面.通过测试与计算得到的数据,数值模拟了采用1.3μm和1.7μm泵浦源直接抽运Dy^(3+),Na^(+):PbGa_(2)S_(4)晶体产生4.3μm中红外激光的实验方案.计算分析了激光功率、增益和吸收系数在晶体内的空间分布,分析比较了泵浦光功率、元件长度和输出镜反射率对输出功率的影响.模型中在光路中引入2.9μm级联激光振荡,以此抽运因为4.3μm发光堆积在能级^(6)H_(13/2)上的粒子数,发现其可以有效降低能级^(6)H_(11/2)到^(6)H_(13/2)跃迁的自终止效应,提高激光输出功率.计算结果表明:采用1.3μm和1.7μm泵浦源,当功率都为4 W时,最大的输出功率分别为103 mW和315 mW,斜率效率可达到2.8%和8.0%.数值模拟的结果对下一步晶体元件的改良加工以及光路搭建参数的选取提供了一定的指导意义.
- 余学舟黄昌保吴海信胡倩倩刘国晋李亚李亚祁华贝朱志成王振友
- 关键词：中红外激光数值模拟晶体
