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黄健文

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇元胞
  • 4篇终端结构
  • 4篇击穿电压
  • 4篇集成度
  • 4篇功率半导体
  • 4篇功率半导体器...
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体器件
  • 2篇功率器件
  • 2篇半导体功率器...
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底材料
  • 1篇击穿机理
  • 1篇薄层
  • 1篇PLD
  • 1篇SOI
  • 1篇LDMOS器...
  • 1篇MOS器件

机构

  • 5篇电子科技大学

作者

  • 5篇黄健文
  • 4篇乔明
  • 4篇张波
  • 4篇吴文杰
  • 4篇蔡林希
  • 4篇李燕妃
  • 4篇章文通
  • 4篇陈涛
  • 4篇胡利志
  • 4篇许琬

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种横向高压功率半导体器件
一种横向高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了...
乔明章文通李燕妃许琬蔡林希吴文杰陈涛胡利志黄健文张波
文献传递
一种横向超结高压功率半导体器件
一种横向超结高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构、终端结构和漏极引出结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围，漏极引出结构位于终端结构的外侧或外围；纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降...
乔明李燕妃章文通吴文杰许琬蔡林希陈涛胡利志黄健文张波
文献传递
一种横向高压功率半导体器件
一种横向高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了...
乔明章文通李燕妃许琬蔡林希吴文杰陈涛胡利志黄健文张波
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薄层SOI pLDMOS器件击穿机理研究
SOI(Silicon on insulator)技术相比体硅材料具有高速、高集成度、低泄漏电流和隔离性好等优点而越来越广泛的用于功率集成电路中。由于薄层SOI在抑制闩锁效应、消除kink效应和降低寄生效应方面相比厚层S...
黄健文
关键词：击穿机理
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一种横向超结高压功率半导体器件
一种横向超结高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构、终端结构和漏极引出结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围，漏极引出结构位于终端结构的外侧或外围；纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降...
乔明李燕妃章文通吴文杰许琬蔡林希陈涛胡利志黄健文张波
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