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黄伍桥

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇电池
  • 3篇太阳电池
  • 3篇涂层
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇太阳
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷材料
  • 2篇陶瓷材料制备
  • 2篇陶瓷涂层
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米晶
  • 2篇纳米晶结构
  • 2篇耐腐
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格失配
  • 2篇非晶
  • 2篇非晶纳米晶
  • 2篇GAAS/G...
  • 2篇GAAS/G...

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇黄伍桥
  • 3篇杨辉
  • 3篇陆书龙
  • 3篇董建荣
  • 3篇张耀辉
  • 2篇薛卫昌
  • 1篇王瑗
  • 1篇王永疆
  • 1篇熊康林
  • 1篇赵勇明
  • 1篇何巍
  • 1篇任雪勇

年份

  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
非晶纳米晶陶瓷材料、陶瓷涂层及其制备方法
本发明涉及一种非晶纳米晶陶瓷材料、陶瓷涂层及其制备方法。该陶瓷材料包含按重量百分比计的如下组分：氧化铝Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub> 20-75wt％，氧化锆10-40wt％，稀土氧化物10-60...
薛卫昌黄伍桥张耀辉
双结串行式InGaAs/InGaAsP双端太阳电池及其制作方法
本发明揭示了一种应用于太阳光谱长波段的双结串联式InGaAs/InGaAsP高效双端太阳电池的制作方法。本发明利用p+InGaAs/n+InGaAs作为隧道结，将基于InP衬底上的InGaAs和InGaAsP太阳电池结果...
何巍董建荣陆书龙熊康林赵勇明任雪勇黄伍桥杨辉
文献传递
一种复合涂层材料及其制备方法
本发明公开了一种复合涂层材料，包括基材层和喷涂在基材层表面的复合涂层，所述复合涂层包括采用超音速喷涂工艺将高聚物喷涂在基材表面而形成的高聚物缓冲层，和采用超音速喷涂工艺将非有机材料喷涂在高聚物缓冲层表面而形成的非有机涂层...
张耀辉黄伍桥陆明康
文献传递
四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法
本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法，利用晶片键合的方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池单片集成，充分利用Ge电池，既直接作为四结电...
陆书龙董建荣杨辉黄伍桥
文献传递
非晶纳米晶陶瓷材料、陶瓷涂层及其制备方法
本发明涉及一种非晶纳米晶陶瓷材料、陶瓷涂层及其制备方法。该陶瓷材料包含按重量百分比计的如下组分：氧化铝Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub> 20-75wt％，氧化锆10-40wt％，稀土氧化物10-60...
薛卫昌黄伍桥张耀辉
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非线性光学晶体硼酸钠钙及其制备方法和应用
<B> </B>一种非线性光学晶体硼酸钠钙及其制备方法和应用。该光学晶体硼酸钠钙为具有厘米级尺度的单晶，其分子式为NaCa<Sub>4</Sub>B<Sub>3</Sub>O<Sub>9</Sub>，属于正交晶系，分子量...
王永疆任学勇王瑗黄伍桥
文献传递
四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法
本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法，利用晶片键合的方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池单片集成，充分利用Ge电池，既直接作为四结电...
陆书龙董建荣杨辉黄伍桥
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