您的位置： 专家智库 > >

高瑞良

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇半绝缘
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶材料
  • 1篇导体
  • 1篇英寸
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓单晶
  • 1篇物理学
  • 1篇晶片
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体物理
  • 1篇半导体物理学
  • 1篇半绝缘砷化镓
  • 1篇半绝缘砷化镓...
  • 1篇LEC

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇周春锋
  • 2篇赖占平
  • 2篇齐德格
  • 2篇高瑞良
  • 1篇杨连生
  • 1篇刘晏凤

传媒

  • 1篇稀有金属
  • 1篇第二届中国国...

年份

  • 2篇2004
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
6英寸LEC半绝缘砷化镓单晶材料研制
本文对6英寸砷化镓单晶材料研制项目的进展情况及研制过程中解决的关键技术做了比较全面的说明，文中还提出了实现6英寸砷化镓材料的产业化的主攻方向和目前存在的一些技术问题。
高瑞良赖占平齐德格周春锋刘晏凤杨连生
关键词：半绝缘砷化镓单晶材料
文献传递
非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究被引量：3
2004年
为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片 ,有必要降低微缺陷密度。开展了晶片热处理工艺的研究 ,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数 ,证实了采用此项工艺能降低LEC GaAs晶片的砷沉淀密度 ,即AB EPD ,同时也保证了晶片的电学参数不受影响。通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析 ,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释。
周春锋高瑞良齐德格赖占平
关键词：半导体物理学
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0