靳春明
- 作品数：25 被引量：45H指数：5
- 供职机构：中国科学院长春物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程化学工程更多>>
- CdS_xSe_（1－x）纳米微晶的辐射跃迁过程被引量：3
- 1996年
- 利用变温吸收光谱和光致发光光谱研究了ＣｄＳｘＳｅ（１－ｘ）纳米微晶的辐射跃迁过程．由Ｖａｒｓｈｎｉ公式，拟合了微晶的吸收峰随温度的变化．根据变温发射光谱，研究了发光峰位置和温度的依赖关系，并分析了吸收峰和发光峰随温度变化的快慢．对发光的动力学过程．作了简单的分析．
- 孙聆东赵家龙靳春明窦恺陈一民黄世华虞家琪席淑珍李磊
- 关键词：吸收光谱发射光谱微晶玻璃纳米
- 光谱烧孔介质中超快光学信号的光谱全息方法研究
- 1995年
- 从理论和实验上给出一种新的确定光场自相关和互相关函数方法，其相关测量可以达到亚ｐｓ量级的超高时间分辨率，动力学范围超过５个数量级．利用这种方法在光谱烧孔材料中实现了全息方式写入和场相关方法读出．
- 窦恺靳春明赵家龙周方策田明真黄世华虞家琪
- 关键词：光谱烧孔光存储全息法
- 半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe中吸收光学非线性和双稳现象研究被引量：1
- 1991年
- 室温下半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(x=0.01)具有较宽的带边吸收.采用泵浦-探测系统观测到随激发功率增加吸收边的蓝移.在激发波长(532—560nm)范围内都能得到光学双稳现象.双稳开关时间短到800ps.讨论了双稳性的来源.
- 窦恺黄世华秦伟平靳春明周方策虞家琪张新夷徐叙瑢
- 关键词：磁性半导体非线性双稳态
- 表面修饰的CdS半导体超微粒子的光学性质研究
- 1992年
- 由于半导体超微粒子(1—100nm)存在着显著的量子尺寸效应,使得它们的光物理和光化学迅速成为目前非常活跃的研究领域。当半导体超微粒子尺寸减小时,它们的吸收光谱和发射光谱发生兰移,同时引起其价带和导带形成一系列分立的能级。另外,由于这些超微粒子的尺寸很小,拥有相对大的表面积,因此在粒子表面存在着许多表面缺陷。
- 高瑛赵家龙张继森靳春明秦伟平黄世华虞家琪邹炳锁李守田肖良质
- 关键词：表面修饰超微粒子光学性质量子尺寸效应发射光谱
- 用不同强度皮秒脉冲相关技术测量甲酚紫吸收恢复时间
- 1992年
- 以Ar^+离子锁模激光器同步泵浦R6G染料激光器作光源,用不同强度皮秒脉冲相关的泵涌—探测技术测得甲酚紫甲醇溶液的吸收恢复时间为162±3.5ps.并且用三能级模型对这一动力学过程进行了理论分析.
- 刘俊业李多录金周哲靳春明黄世华虞家琪
- 关键词：皮秒脉冲染料
- 表面化学修饰对TiO_2半导体超微粒子光学性质的影响被引量：5
- 1993年
- 本文通过测量TiO_2半导体超微粒子的吸收光谱、荧光光谱和激发光谱以及荧光寿命。研究表面化学修饰的TiO_2超微粒子的光学性质,讨论了量子尺寸效应,偶极效应和介电环境效应对TiO_2超微粒子光学性质的影响。同体相TiO_2材料相比,表面包覆一层表面活性剂分子的TiO_2超微粒子的吸收光谱明显地向长波方向移动。并且在室温下可观察到它们的光致发光。
- 赵家龙周方策靳春明张希清朴志圣高瑛黄世华虞家琪邹炳锁张岩肖良质
- 关键词：表面化学修饰二氧化钛超微粒子
- CdS半导体超微粒子的光学性质被引量：8
- 1992年
- 本文研究了水溶胶中的CdS半导体超微粒子和有机溶胶中的粒子表面被有机分子化学修饰的CdS超微粒子的光学性质.我们观察到,当粒子尺寸小于5nm时,CdS超微粒子表现出明显的尺寸量子化效应,并指出CdS超微粒子的表面修饰,增强了它们的发光强度,显著地影响了它们的光学性质。
- 赵家龙张继森靳春明周方策高瑛黄世华虞家琪邹炳锁李守田肖良质
- 关键词：半导体超微粒子光学性质硫化镉
- CdSSe掺杂玻璃中的光致暗变效应研究
- 1991年
- 本文用DFWM和荧光光谱方法研究了光致暗变效应对CdSSe掺杂玻璃光学性质的影响,解释了经过强光照射的样品,DFWM反射率,荧光强度和透射率降低的原因.
- 靳春明秦伟平赵家龙周方策窦恺刘俊业黄世华虞家琪
- CdS半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究被引量：4
- 1995年
- ＣｄＳ半导体纳米晶体高强度激发下光谱特性研究窦恺，赵家龙，靳春明，孙聆东，黄世华，虞家琪（中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室，长春１３００２１）向卫东，丁子上（浙江大学材料科学工程系，杭州３１００２７）１引言ＣｄＳ半导体微晶作为代表性介观材...
- 窦恺赵家龙靳春明孙聆东黄世华虞家琪向卫东丁子上
- 关键词：硫化镉光谱特性纳米晶体
- BiI_3层状半导体超微粒子的光学性质
- 1993年
- 本文研究了BiI_3半导体溶胶的光学性质.进一步证实,在BiI_3胶体样品中,真实的BiI_3半导体微晶粒予的吸收被强的I_3^-离子吸收掩盖了.通过测量激发光谱,确定了BiI_3微晶的吸收位置.用光谱数据计算得到的尺寸分布与电镜结果和理论分析符合得很好.得到的结果表明,BiI_3胶体中的BiI_3微晶与体材料相比。存在着显著的量子尺寸效应.
- 靳春明周方策赵家龙窦恺黄世华虞家琪张岩肖良质
- 关键词：超微粒子光致发光微晶
