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GaAs/Ga_xAl_(1-x)As异质结的调制反射光谱研究: 1993年; 用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs异质结,发现不同厚度的GaAs复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响,由GaAs带间跃迁的Franz-Keldysh效应计算出表面层表面电场随外延层的变薄而增大,并计算出表面费密能级与导带底的距离f=0.27(0.03)eV,通过对Ga_(1-x)Al_xAs调制光谱的分析,发现表面复盖层对Ga_(1-x)Al_xAs层的调制光谱线形有调节作用,不同厚度的复盖层使PR线形发失变化,这与考虑干涉效应后的理论预计线形一致。; 章灵军沈学础陆飞; 关键词：异质结砷化镓

GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡: 1991年; 本文报道了用RHEED强度振荡方法来测定GaAs,Al_xGa_(1-x)As生长速度及Al组分,并初步讨论了产生RHEED强度振荡的机制及其与生长条件的关系。; 陆泳陆飞李爱珍; 关键词：分子束外延 GAAS 振荡

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陆飞