贺继方
- 作品数：13 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学更多>>
- 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
- 本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化...
- 李密锋喻颖贺继方査国伟尚向军倪海桥贺振宏牛智川
- GaAs基异变量子阱
- 研究了GaAs基InGaAs异变缓冲层结构及其分子束外延生长,对利用源炉温度线性变化实现组分线性变化的方法进行了改进,更精确的实现了InGaAs异变缓冲层中In组分的线性渐变,大大降低了InGaAs异变缓冲层中的穿透位错...
- 朱岩倪海桥王海莉贺继方李密峰尚向军牛智川
- 关键词：激光器
- 文献传递
- 高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器
- 2012年
- 研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器.采用分子束外延设备生长In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs量子阱作为器件的有源区,无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V的直流调谐电压下,实现了波长大于23 nm的调谐.统计结果表明,当调谐电压大于5 V时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系,且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析.
- 王杰韩勤杨晓红倪海桥贺继方王秀平
- 关键词：GAAS高稳定线性调谐
- 在衬底上生长异变缓冲层的方法
- 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓...
- 贺继方尚向军倪海桥王海莉李密峰朱岩王莉娟喻颖贺正宏徐应强牛智川
- 文献传递
- 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法
- 一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一Si衬底，该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层；步骤2：对Si衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，对该...
- 喻颖李密锋贺继方査国伟徐建星尚向军王莉娟倪海桥贺振宏牛智川
- 文献传递
- 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
- 本发明公开了一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法，包括：将GaAs衬底放在样品托上，并引入进样室进行烘烤；烘烤完毕，将GaAs衬底引入制备室，并对GaAs衬底进行除气处理；将除过气的GaAs衬底引入生长室，对Ga...
- 牛智川倪海桥王海莉贺继方朱岩李密峰王鹏飞黄社松熊永华
- 文献传递
- 在衬底上生长异变缓冲层的方法
- 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓...
- 贺继方尚向军倪海桥王海莉李密峰朱岩王莉娟喻颖贺正宏徐应强牛智川
- 高特性GAAS基异变谐振腔增强型1.55μMINGAAS光电探测器
- 本文报道了一种GAAS基顶部入射的异变谐振腔增强型(RCE) 1.55μM INGAAS部分耗尽吸收探测器(PDA-PD).器件的外延结构由分子柬外延系统(MBE)生长.底镜和顶镜分别是由20对ALAS/GAAS分布布拉...
- 刘少卿韩勤杨晓红倪海桥贺继方王欣李彬牛智川
- 关键词：GAASINGAAS谐振腔增强型
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- 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
- 本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化...
- 李密锋喻颖贺继方査国伟尚向军倪海桥贺振宏牛智川
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- 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法
- 一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一Si衬底，该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层；步骤2：对Si衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，对该...
- 喻颖李密锋贺继方査国伟徐建星尚向军王莉娟倪海桥贺振宏牛智川
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