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文献类型

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领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇磁性
  • 1篇导体
  • 1篇性能研究
  • 1篇稀磁半导体
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  • 1篇光致发光谱
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  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO基稀磁...
  • 1篇O

机构

  • 3篇福建师范大学

作者

  • 3篇谢玲玲
  • 1篇陈水源
  • 1篇黄志高
  • 1篇刘凤金
  • 1篇林应斌
  • 1篇张建敏

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
PLD制备ZnO基稀磁半导体及其性能研究
传统的微电子器件利用的是电荷的输运性质。已在电子计算机技术和信息技术中获得极大的应用。目前,微电子器件的计算速度和存储的容量已经接近理论值。电子不仅具有电荷的性质,还有另外一个自由度——自旋。若能同时利用电子的自旋和电荷...
谢玲玲
关键词:稀磁半导体ZNO基稀磁半导体铁磁性
文献传递
笔筒(白瓷篆青系列)
1.本外观设计产品的名称:笔筒(白瓷篆青系列)。;2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于笔筒,收纳毛笔或者其他笔具。;3.本外观设计产品的设计要点:本外观设计产品设计要点是保护产品整体形状。;4.最能表明本外观设计...
张宇晴林伊淳谢玲玲李媛林伟新
Zn0.97Cr0.03,O的PLD制备及其铁磁性被引量:1
2014年
采用脉冲激光沉积(PLD)的方法在石英基片上制备了不同氧分压(0,0.05,0.15和0.20 Pa)下Zn0.97Cr0.03O薄膜,并测量了它们的磁性、XRD谱、PL谱及XPS谱等.实验结果表明,所有的样品都具有良好的结晶性,且都沿c轴高度取向;磁测量结果表明,四个样品都具有铁磁性,且在氧压为0.15 Pa下沉积的薄膜磁性最强;四个样品都存在VZn,Oi,Zni,VZn,VO缺陷,尤其是VZn对应共振峰面积占所有缺陷总面积的百分比和样品的饱和磁化强度具有相同的变化趋势,表明Zn0.97Cr0.03O磁性与锌空位密切相关;四个样品中都存在Cr3+离子,且在0.15 Pa时Cr3+的含量最多.上述实验结果表明,Cr3+和VZn的缺陷复合体是ZnO:Cr样品具有稳定的铁磁有序的最有利条件,它证实了早先的基于第一性原理的计算结果.
谢玲玲陈水源刘凤金张建敏林应斌黄志高
关键词:ZNO
共1页<1>
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