2025年1月29日
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罗杰
作品数:
32
被引量:3
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
杜江锋
电子科技大学光电信息学院电子薄...
严慧
电子科技大学
黄思霓
电子科技大学
尹成功
电子科技大学
方健
电子科技大学光电信息学院电子薄...
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作者
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罗杰
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杜江锋
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于奇
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方健
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尹成功
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黄思霓
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严慧
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宗竹林
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赵子奇
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2008
1篇
1994
共
32
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一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管,从下至上依次主要由漏极,n<Sup>+</Sup>‑GaN衬底,GaN沟道层,AlGaN势垒层,以及AlGaN势垒层上的源极和栅极组成,源极与漏极均为欧姆接触,栅极为肖...
杜江锋
赵子奇
尹成功
罗杰
黄思霓
严慧
罗谦
于奇
文献传递
单片式电源管理芯片设计
电源管理芯片是指将电源有效分配给系统不同组件的管理芯片,通过芯片管理降低组件闲置时的能耗,为整个系统节能。电源管理芯片在邮电通信、仪器仪表、工业设备、消费电子等诸多领域有着广泛的应用,为系统提供稳定、高效的动力并为节能作...
罗杰
关键词:
BCD工艺
LDMOS
电源管理芯片
文献传递
网络资源链接
背电极对AlGaN/GaN RESURF HEMT击穿电压的影响
针对常规AlGaN/GaN RESURF HEMT中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出了一种带有背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构.该背电极通过感应诱生负电荷,调制器件沟道处的电...
赵子奇
尹成功
罗杰
杜江锋
关键词:
高电子迁移率晶体管
击穿电压
背电极
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一种电平位移电路
本发明公开了一种电平位移电路。针对现有的电平位移电路不能同时实现较小的电路版图的面积和不同占空比输入电压都可以有效的电平位移的缺陷,本发明提出了一种电平位移电路,包括双脉冲产生与整形电路、高低电平位移转换电路、高压脉冲滤...
方健
柏文斌
管超
吴琼乐
王泽华
高大伟
陈吕赟
杨毓俊
罗杰
一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管,从下至上依次主要由漏极,n<Sup>+</Sup>-GaN衬底,n-GaN缓冲层,p-GaN电流阻挡层,GaN沟道层,AlGaN势垒层,以及AlGaN势...
杜江锋
赵子奇
罗杰
尹成功
黄思霓
严慧
罗谦
于奇
文献传递
一种基于FPGA的二维平面阵数字波束形成方法
本发明属于阵列信号处理技术领域,具体涉及一种基于FPGA的二维平面阵数字波束形成方法。本发明针对大规模阵列情况下,采样矩阵协方差求逆(SMI)运算量过大情况,提出一种基于FPGA的二维平面阵数字波束形成方法,该方法基于共...
宗竹林
罗杰
文献传递
一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管
本发明涉及一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管,包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化铝插入层、铝铟镓氮势垒层、以及铝铟镓氮势垒层上的源极、漏极和栅极;其中源极和漏极与铝铟镓氮势垒层形成欧姆接触,栅极与铝铟镓氮势垒层形成...
杜江锋
严慧
刘斌
尹成功
黄思霓
罗杰
白智元
陈南庭
于奇
一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管,从下至上依次主要由漏极,n<Sup>+</Sup>-GaN衬底,n-GaN缓冲层,GaN沟道层,AlGaN势垒层,以及AlGaN势垒层上的源极和栅极...
杜江锋
赵子奇
罗杰
尹成功
严慧
黄思霓
罗谦
于奇
文献传递
一种高压电平位移电路
本发明公开了一种高压电平位移电路。针对现有的高压电平位移电路不能同时减小电路版图面积和解决电路存在输出初始状态不定的问题,本发明提出了一种高压电平位移电路,包括脉冲产生电路、脉冲整形电路、第一偏置电路、箝位电路、LDMO...
方健
柏文斌
管超
吴琼乐
王泽华
陈吕赟
杨毓俊
罗杰
李文昌
于廷江
黄国辉
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面向MQAM信号图域调制识别方法研究与实现
自动调制分类(Automatic Modulation Classification,AMC)可以自动识别待检测信号的调制类型,信号的调制类型是通信信号的重要信息,因此调制识别是通信信号处理领域内的重要一环。在如电子战、...
罗杰
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