白玉珂
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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- SI-GaAs29Si+离子注入层性能研究
- 1前言在Sl—GaAs晶片上直接离子注入Si,是制作多种徽波器件和GaAs集成电路的重要方法。Si注入,热退火之后,Sl-GaAs基体上就形成了一低阻薄层。在器件工艺过程中,这些低阻薄层的性能将对器件和集成电路的性能起决...
- 卜俊鹏曹福年白玉珂吴让元惠峰刘明焦何宏家
- 文献传递
- GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析被引量：3
- 1999年
- 采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生胶粒带电程度的变化，从胶体理论的角度解释了ＳｉＯ２胶体溶液不稳定对ＧａＡｓ抛光晶片亚表面损伤层的影响。
- 郑红军卜俊鹏何宏家吴让元曹福年白玉珂惠峰
- 关键词：砷化镓抛光亚表面损伤层
- X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度被引量：8
- 1998年
- 本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种定量检测ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论．
- 曹福年卜俊鹏吴让元郑红军惠峰白玉珂刘明焦何宏家
- 关键词：抛光晶片亚表面损伤层
- SI—GaAs中砷沉淀与微观均匀性的关系
- 1前言GaAs超高速集成电路,微波单片集成电路和光电集成是以直接离子注入工艺在SI—Ga As晶片上进行的,因此需要高度完整和均匀的半绝缘砷化镓材料。随着集成度的提高,目前国际上已经对SI—GaAs的微观完整性和均匀性提...
- 刘明焦曹福年白玉珂惠峰吴让元卜俊鹏何宏家
- 文献传递
- 单晶炉的多管式结构
- 本实用新型一种单晶炉的多管式结构，包括：一炉子内壁，为圆筒状，上下两端为贯通；一反应杯托架，为圆柱形，该反应杯托架的纵向开有多个概呈梯形的圆孔，该梯形的圆孔的底端为封闭状；一反应杯，为薄的透明体，其形状与反应杯托架上的梯...
- 白玉珂
- 文献传递
- 高温高压气体容器的轴的动态密封装置
- 一种高温高压气体容器的轴的动态密封装置,包括密封体、容器、轴,在密封体内径开一桶状槽,在轴和容器壁之间的桶状槽内放置O形圈和垫片。本实用新型装置应用于LEC单晶炉籽晶杆、坩埚杆的转动和升降密封,避免高温、高压气体泄漏,利...
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