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申志辉

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电气工程

主题

  • 4篇电池
  • 4篇太阳能
  • 4篇太阳能电池
  • 3篇氮化镓
  • 3篇氮化镓薄膜
  • 3篇硅衬底
  • 3篇衬底
  • 2篇吸收率
  • 2篇晶格
  • 1篇性能模拟
  • 1篇氧化锌纳米
  • 1篇模拟器
  • 1篇纳米
  • 1篇极化效应
  • 1篇硅基
  • 1篇INGAN

机构

  • 4篇华中科技大学

作者

  • 4篇申志辉
  • 3篇刘胜
  • 3篇汪连山

年份

  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
InGaN太阳能电池的建模仿真与设计
氮化镓铟/(InGaN/)太阳能电池是一种新型的半导体太阳能电池,它凭借禁带宽度可调且与太阳光谱完美匹配的特点,已成为国际上氮化物材料和新型高效太阳电池研究领域的前沿研究方向。然而,与传统的太阳电池材料和器件相比较,目前...
申志辉
关键词：太阳能电池性能模拟极化效应
文献传递
硅基单结氮化镓铟太阳能电池
本实用新型涉及硅基单结氮化镓铟太阳能电池，其结构是：由自下而上排列的背面电极(11)、n型掺杂的硅衬底(1)、氧化锌籽晶层(2)、氧化锌纳米阵列缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、n型掺杂的In<Sub>a</S...
汪连山申志辉刘胜
文献传递
太阳能电池
本发明涉及硅基单结氮化镓铟太阳能电池，其由自下而上排列的背面电极(11)、硅衬底(1)、籽晶层(2)、缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、In<Sub>a</Sub>Ga<Sub>1-a</Sub>N层(5)、非...
汪连山申志辉刘胜
太阳能电池
本发明涉及硅基单结氮化镓铟太阳能电池，其由自下而上排列的背面电极(11)、硅衬底(1)、籽晶层(2)、缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、In<Sub>a</Sub>Ga<Sub>1-a</Sub>N层(5)、非...
汪连山申志辉刘胜
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