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王磊

作品数：51 被引量：13H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信机械工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 45篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 21篇自动化与计算...
  • 6篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 21篇图像
  • 6篇实时图
  • 6篇实时图像
  • 6篇图像校正
  • 6篇自标定
  • 6篇自标定方法
  • 6篇标定方法
  • 5篇视差
  • 5篇网络
  • 5篇相机
  • 4篇深度图
  • 4篇双目
  • 4篇衬底
  • 4篇传感
  • 3篇电磁
  • 3篇语义
  • 3篇栅格
  • 3篇深度图像
  • 3篇视觉里程计
  • 3篇轻量

机构

  • 51篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇上海爱观视觉...

作者

  • 51篇王磊
  • 24篇张晓林
  • 11篇李伟
  • 6篇刘衍青
  • 5篇付凤杰
  • 2篇王俊
  • 1篇高超
  • 1篇仇超
  • 1篇孙凌
  • 1篇刘博
  • 1篇程秀兰
  • 1篇王康如
  • 1篇冯志刚

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 14篇2024
  • 12篇2023
  • 5篇2022
  • 8篇2021
  • 7篇2020
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
共 51 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种多目立体相机的校准及深度图像处理方法
本发明提供一种多目立体相机的校准及深度图像处理方法，包括：在多目相机设备中选取基准相机和待修正相机，并获取相应的基准相机图像和对待修正相机图像；根据所述基准相机图像和对待修正相机图像对所述待修正相机的内参量和外参量进行优...
王磊李嘉茂朱冬晨张晓林
文献传递
双目相机自标定方法及系统
本发明提供一种双目相机自标定方法及系统，包括：1)获取左右原始图像；2)校正左右原始图像；3)从左右校正图像中提取特征点并匹配；4)统计左右图像纵坐标偏差的平均值，若大于对应阈值则修正估计第一参数组，反复迭代修正，直至小...
王磊李嘉茂朱冬晨刘衍青张晓林
文献传递
一种结合语义边缘的深度估计方法
本发明涉及一种结合语义边缘的深度估计方法，包括：获取待深度估计的图像；将所述图像输入至训练好的深度学习网络中得到深度预测图和语义边缘预测图；所述深度学习网络包括：共享特征提取模块、深度估计模块、边缘增强权重模块、深度边缘...
朱冬晨吴德明张广慧石文君李嘉茂王磊张晓林
紫外和可见光共透镜双光路成像探测系统及其制作方法
本发明提供了一种紫外和可见光共透镜双光路成像探测系统，包括依次设置的超表面透镜、两探测器和图像处理系统，超表面透镜的微纳结构超表面为具有相同的高度、指向角度和不同的横截面尺寸的微纳结构的阵列；各微纳结构的横截面尺寸基于微...
周易李伟甘峰源王磊杨雪雷蓝盾
文献传递
一种实时图像序列的几何校正装置
本发明涉及一种实时图像序列的几何校正装置，其中，流水线实时计算模块用于根据标定的相机参数实时计算输出图像像素点的位置坐标相对于输入图像像素点的位置坐标；输入缓存单元用于缓存输入图像数据；输入缓存管理模块用于根据输入图像像...
罗艺华付凤杰刘德华李嘉茂王磊张晓林
一种移动机器人视听觉融合感知与导航方法
本发明涉及一种移动机器人视听觉融合感知与导航方法，包括以下步骤：对移动机器人的视觉传感器系统与听觉传感器系统进行参数标定；利用视觉传感器系统和标定的参数构建导航栅格地图；使用视觉传感器系统获取交互对象的视频序列，并基于三...
李嘉茂朱冬晨刘衍青王文浩王磊张晓林
一种深度卷积网络的轻量化压缩方法
本发明涉及一种深度卷积网络的轻量化压缩方法，包括以下步骤：对第一网络模型的输出进行精简，并对第一网络模型的主干网络部分进行剪枝，得到第二网络模型；所述第一网络模型为训练好的深度卷积网络模型；对所述第二网络模型进行基于知识...
王康如朱冬晨李嘉茂王磊张晓林
基于双目结构光系统的接触网磨耗检测系统、方法及终端
本发明的基于双目结构光系统的接触网磨耗检测系统、方法及终端，通过基于采用标定板对两个相机进行标定获得的双目标定位置关系数据，将由两个相机采集到的目标接触网的图像数据提取的二维激光点集数据转换为待拟合的三维点集数据，并通过...
李辰懋吴丽李嘉茂郭远博明伟黄乔中朱冬晨王磊付凤杰张晓林
高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响被引量：4
2008年
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS,DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线(Ib-Vg曲线)有两个峰.通过实验和TCAD模拟揭示了DDDMOS衬底电流的形成机理,发现衬底电流第一个峰的成因与传统MOS器件相同;第二个峰来自于发生在漂移区远离沟道一侧高场区的碰撞离化电流.通过求解泊松方程和电流连续性方程,分析了器件的物理和几何参数对导致衬底电流重新上升的漂移区电场的影响.在分析了DDDMOS衬底电流的第二个峰形成机理的基础上,考察了其对器件的可靠性的影响.
王俊王磊董业民邹欣邵丽李文军杨华岳
关键词：高压器件衬底电流可靠性
基于原位水汽生成的超薄栅氧膜电学特性研究(英文)被引量：4
2008年
介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究。通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺相比传统炉管氧化工艺能够有效地提高界面态特性,这种电学特性上的提高被认为与活性氧原子的氧化机制有关。同时,通过测试还发现提高生长温度和减小H2在反应气体中的比重可以获得更好的电特性,这也指明了原位水汽生长工艺存在进一步提高的可能。
孙凌高超王磊杨华岳
关键词：界面态迁移率
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