王水凤
- 作品数：32 被引量：63H指数：4
- 供职机构：南昌大学理学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- 多孔硅光致发光的非线性光学特性被引量：1
- 1999年
- 采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ Ｐ Ｓ）， 测量了多孔硅在近红外光（８００ ｎｍ ）激发下的光致发光（ Ｐ Ｌ）谱和光致发光激发（ Ｐ Ｌ Ｅ）谱， 结果表明多孔硅具有良好的上转换荧光特性， 并随着存放时间的延长， 在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强， 被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关， 光致发光谱的多峰结构表明多孔硅中存在多种发光中心。用量子限制／发光中心模型可以解释本实验结果。
- 任丙彦刘彩池张颖怀崔德升王水凤曾庆城
- 关键词：多孔硅发光机理非线性光学
- ＃+[29]Ｓｉ注入ＧａＡｓ晶片的Ｆｅ杂质沾污及其影响
- 王水凤洪春勇
- 关键词：砷化镓离子注入污染衬底
- 稀土La、Nd掺杂硅基薄膜光致发光特性
- 测量了La、Nd稀土离子注入Si基晶片，在不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱，结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大、随退火条件的不同而改变。并对样品的发光机理作了初步...
- 王水凤曾宇昕元美玲徐飞程国安
- 关键词：稀土掺杂离子注入卢瑟福背散射
- 文献传递
- 掺Nd硅基氧化薄膜光致发光特性研究
- 2002年
- 通过对SiO2:Nd的PL谱分析,并与SiO2:La、SiO2:Ce、Si+→SiO2、C+→SiO2等的PL谱进行比较,总结出薄膜光致发光的一些特性.
- 夏秀文王水凤元美玲
- 关键词：光致发光特性稀土掺杂半导体硅钕PL谱
- MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究被引量：1
- 2002年
- 用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdSi相转变。
- 王水凤曾宇昕程国安徐飞
- 关键词：离子注入集成电路导电性
- 塑封高压硅堆成品管内部结构测试分析被引量：2
- 2002年
- 针对塑封高压硅堆反向特性差的问题 ,采用“显微剖析”技术和“紫外荧光无损检测”(UVF)技术 ,对样管的内部结构及原材料进行测试分析 ,并与进口样管内部结构进行比较 ,找出了国产样管不足之处 。
- 王水凤曾宇昕刘南生
- 关键词：塑封高压硅堆内部结构半导体芯片晶体管
- LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究被引量：1
- 1999年
- 介绍了绿色、红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光 （≤３００ｎｍ ） 和蓝光 （４８８ｎｍ ） 激发方式， 在室温下， 有效地观测了ＬＥＤＧａＰｖＮ （掺氮ＧａＰ晶片） 的多峰ＰＬ谱。根据对上述两种发光ＧａＰ外延晶片的相对光强与金属杂质Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ和Ｃｒ （以Ｆｅ 为主） 紫外荧光 （ＵＶＦ） 谱的实测数据的相关性，
- 王水凤胡力民曾宇昕曾庆城
- 关键词：发光二极管
- 半导体芯片紫外荧光无损检测被引量：1
- 2003年
- Fe、Na、Ni等金属杂质对半导体器件芯片有严重的负面影响,往往导致器件失效,成品率下降,必须进行有效控制处理。采用紫外荧光(UVF)法可有效检测出硅晶片及半导体器件芯片(如GaP、GaAs等)的金属杂质沾污情况,还能检测金属杂质的相对沾污量,对半导体器件芯片的生产可实现实时非破坏性的检测分析。
- 王水凤曾宇昕姜乐
- 关键词：半导体芯片无损检测紫外荧光
- 多孔硅的后处理及其发光特性被引量：13
- 2006年
- 采用一种新颖而简便的方法,改善多孔硅的发光特性。该方法包括酸处理和阴极还原两步。实验证明通过对多孔硅进行酸处理,能有效提高多孔硅的发光强度;通过对多孔硅进行阴极还原处理,能明显改善多孔硅的发光稳定性,而且发光强度也得到了提高。综合酸处理和阴极还原两技术的特点,对所制备的多孔硅立即先进行酸处理,然后再对其进行阴极还原处理,结果表明该方法能较好地提高多孔硅的发光效率和发光稳定性。而且还对其发光机制进行了探讨。
- 王水凤姜乐戴丽丽元美玲唐小迅
- 关键词：多孔硅酸处理阴极还原
- MEVVA离子源(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜近红外光致发光的研究被引量：1
- 2000年
- 利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO_2/Si薄膜,获得高浓度Er掺杂硅基发光薄膜。RBS分析表明,稀土元素Er离子掺杂到热氧化SiO_2/Si薄膜中的Er原子浓度百分比达到～10at.％,即Er原子体浓度为～10^(21)/cm^3。这是高能离子注入所不能达到的,它为稀土Er离子高掺杂硅基发光薄膜的制备提供了一个新途径。XPS研究发现,热氧化SiO_2膜厚,溅射保留量多;Er以固溶态存在。在77K下,我们获得了近红外区1540 nm处较强的光致发光。氧离子对Er掺杂热氧化SiO_2/Si薄膜近红外光致发光起了很大作用,发光强度提高了3～5倍。
- 徐飞程国安肖志松朱景环王水凤张通和
- 关键词：热氧化双注入光致发光
